Efektywna gęstość stanów w paśmie przewodnictwa Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Urządzenia z elementami optycznymi

Lasery

Urządzenia fotoniczne

✖Efektywna masa elektronu to koncepcja stosowana w fizyce ciała stałego do opisu zachowania elektronów w sieci krystalicznej lub materiale półprzewodnikowym.ⓘ Efektywna masa elektronu [m_eff]			+10% -10%
✖Temperatura bezwzględna reprezentuje temperaturę systemu.ⓘ Temperatura absolutna [T]			+10% -10%

✖Efektywna gęstość stanów odnosi się do gęstości dostępnych stanów elektronowych na jednostkę objętości w strukturze pasm energetycznych materiału.ⓘ Efektywna gęstość stanów w paśmie przewodnictwa [N_eff]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Efektywna gęstość stanów w paśmie przewodnictwa

Formuła

`"N"_{"eff"} = 2*(2*pi*"m"_{"eff"}*"[BoltZ]"*"T"/"[hP]"^2)^(3/2)`

Przykład

`"3.9E^24"=2*(2*pi*"0.2e-30kg"*"[BoltZ]"*"393K"/"[hP]"^2)^(3/2)`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Urządzenia z elementami optycznymi Formuły PDF PDF Image

Efektywna gęstość stanów w paśmie przewodnictwa Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Efektywna gęstość stanów = 2*(2*pi*Efektywna masa elektronu*[BoltZ]*Temperatura absolutna/[hP]^2)^(3/2)
N_eff = 2*(2*pi*m_eff*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2)
Ta formuła używa 3 Stałe, 3 Zmienne

Używane stałe

[BoltZ] - Stała Boltzmanna Wartość przyjęta jako 1.38064852E-23
[hP] - Stała Plancka Wartość przyjęta jako 6.626070040E-34
pi - Stała Archimedesa Wartość przyjęta jako 3.14159265358979323846264338327950288

Używane zmienne

Efektywna gęstość stanów - Efektywna gęstość stanów odnosi się do gęstości dostępnych stanów elektronowych na jednostkę objętości w strukturze pasm energetycznych materiału.
Efektywna masa elektronu - (Mierzone w Kilogram) - Efektywna masa elektronu to koncepcja stosowana w fizyce ciała stałego do opisu zachowania elektronów w sieci krystalicznej lub materiale półprzewodnikowym.
Temperatura absolutna - (Mierzone w kelwin) - Temperatura bezwzględna reprezentuje temperaturę systemu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Efektywna masa elektronu: 2E-31 Kilogram --> 2E-31 Kilogram Nie jest wymagana konwersja
Temperatura absolutna: 393 kelwin --> 393 kelwin Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

N_eff = 2*(2*pi*m_eff*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2) --> 2*(2*pi*2E-31*[BoltZ]*393/[hP]^2)^(3/2)

Ocenianie ... ...

N_eff = 3.87070655661186E+24

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

3.87070655661186E+24 --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

3.87070655661186E+24 ≈ 3.9E+24 <-- Efektywna gęstość stanów

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Urządzenia optoelektroniczne » Urządzenia z elementami optycznymi » Efektywna gęstość stanów w paśmie przewodnictwa

Kredyty

Stworzone przez Priyanka G Chalikar

Narodowy Instytut Inżynierii (NIE), Mysuru

Priyanka G Chalikar utworzył ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 14 Urządzenia z elementami optycznymi Kalkulatory

Pojemność złącza PN

Iść Pojemność złącza = Obszar złącza PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Względna dopuszczalność*[Permitivity-silicon])/(Napięcie na złączu PN-(Napięcie odwrotnego polaryzacji))*((Stężenie akceptora*Stężenie dawcy)/(Stężenie akceptora+Stężenie dawcy)))

Stężenie elektronów w warunkach niezrównoważonych

Iść Stężenie elektronów = Wewnętrzne stężenie elektronów*exp((Poziom quasi-fermiego elektronów-Wewnętrzny poziom energii półprzewodnika)/([BoltZ]*Temperatura absolutna))

Długość dyfuzji regionu przejściowego

Iść Długość dyfuzji obszaru przejściowego = Prąd optyczny/(Opłata*Obszar złącza PN*Szybkość generacji optycznej)-(Szerokość przejścia+Długość złącza po stronie P)

Prąd ze względu na nośną generowaną optycznie

Iść Prąd optyczny = Opłata*Obszar złącza PN*Szybkość generacji optycznej*(Szerokość przejścia+Długość dyfuzji obszaru przejściowego+Długość złącza po stronie P)

Szczytowe opóźnienie

Iść Szczytowe opóźnienie = (2*pi)/Długość fali światła*Długość włókna*Współczynnik załamania światła^3*Napięcie modulacyjne

Maksymalny kąt akceptacji soczewki złożonej

Iść Kąt akceptacji = asin(Współczynnik załamania światła ośrodka 1*Promień obiektywu*sqrt(Dodatnia stała))

Efektywna gęstość stanów w paśmie przewodnictwa

Iść Efektywna gęstość stanów = 2*(2*pi*Efektywna masa elektronu*[BoltZ]*Temperatura absolutna/[hP]^2)^(3/2)

Współczynnik dyfuzji elektronu

Iść Współczynnik dyfuzji elektronów = Mobilność elektronu*[BoltZ]*Temperatura absolutna/[Charge-e]

Kąt Brewstera

Iść Kąt Brewstera = arctan(Współczynnik załamania światła ośrodka 1/Współczynnik załamania światła)

Odstępy między krawędziami przy danym kącie wierzchołkowym

Iść Skrajna przestrzeń = Długość fali światła widzialnego/(2*tan(Kąt interferencji))

Dyfrakcja z wykorzystaniem wzoru Fresnela-Kirchoffa

Iść Kąt dyfrakcji = asin(1.22*Długość fali światła widzialnego/Średnica otworu)

Energia wzbudzenia

Iść Energia wzbudzenia = 1.6*10^-19*13.6*(Efektywna masa elektronu/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Kąt obrotu płaszczyzny polaryzacji

Iść Kąt obrotu = 1.8*Gęstość strumienia magnetycznego*Długość średnia

Kąt wierzchołka

Iść Kąt wierzchołkowy = tan(Alfa)

Efektywna gęstość stanów w paśmie przewodnictwa Formułę

Efektywna gęstość stanów = 2*(2*pi*Efektywna masa elektronu*[BoltZ]*Temperatura absolutna/[hP]^2)^(3/2)
N_eff = 2*(2*pi*m_eff*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!