Comprimento do portão do MESFET Calculadora

✖Velocidade de deriva saturada é a velocidade máxima que pode viajar em um portador de carga de um semicondutor.ⓘ Velocidade de deriva saturada [V_s]			+10% -10%
✖A frequência de corte é definida como a frequência de canto, que é um limite na resposta de frequência do sistema no qual a energia que flui através do sistema começa a ser reduzida em vez de passar.ⓘ Frequência de corte [f_co]			+10% -10%

✖O comprimento da porta é definido como a distância entre a fonte e os eletrodos de dreno ao longo da direção perpendicular ao plano do material semicondutor e paralelo ao eletrodo da porta.ⓘ Comprimento do portão do MESFET [L_gate]

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Fórmula

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Comprimento do portão do MESFET

Fórmula

`"L"_{"gate"} = "V"_{"s"}/(4*pi*"f"_{"co"})`

Exemplo

`"13.24084μm"="5mm/s"/(4*pi*"30.05Hz")`

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Comprimento do portão do MESFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Comprimento do portão = Velocidade de deriva saturada/(4*pi*Frequência de corte)
L_gate = V_s/(4*pi*f_co)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variáveis

Constantes Usadas

pi - Constante de Arquimedes Valor considerado como 3.14159265358979323846264338327950288

Variáveis Usadas

Comprimento do portão - (Medido em Metro) - O comprimento da porta é definido como a distância entre a fonte e os eletrodos de dreno ao longo da direção perpendicular ao plano do material semicondutor e paralelo ao eletrodo da porta.
Velocidade de deriva saturada - (Medido em Metro por segundo) - Velocidade de deriva saturada é a velocidade máxima que pode viajar em um portador de carga de um semicondutor.
Frequência de corte - (Medido em Hertz) - A frequência de corte é definida como a frequência de canto, que é um limite na resposta de frequência do sistema no qual a energia que flui através do sistema começa a ser reduzida em vez de passar.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Velocidade de deriva saturada: 5 Milímetro/segundo --> 0.005 Metro por segundo (Verifique a conversão aqui)
Frequência de corte: 30.05 Hertz --> 30.05 Hertz Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

L_gate = V_s/(4*pi*f_co) --> 0.005/(4*pi*30.05)

Avaliando ... ...

L_gate = 1.32408438512392E-05

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.32408438512392E-05 Metro -->13.2408438512392 Micrômetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

13.2408438512392 ≈ 13.24084 Micrômetro <-- Comprimento do portão

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 13 Características do MESFET Calculadoras

Frequência de corte usando frequência máxima

Vai Frequência de corte = (2*Frequência Máxima de Oscilações)/(sqrt(Resistência à drenagem/(Resistência da Fonte+Resistência à Metalização de Portas+Resistência de entrada)))

Resistência à Metalização de Portas

Vai Resistência à Metalização de Portas = ((Resistência à drenagem*Frequência de corte^2)/(4*Frequência Máxima de Oscilações^2))-(Resistência da Fonte+Resistência de entrada)

Resistência de entrada

Vai Resistência de entrada = ((Resistência à drenagem*Frequência de corte^2)/(4*Frequência Máxima de Oscilações^2))-(Resistência à Metalização de Portas+Resistência da Fonte)

Resistência da Fonte

Vai Resistência da Fonte = ((Resistência à drenagem*Frequência de corte^2)/(4*Frequência Máxima de Oscilações^2))-(Resistência à Metalização de Portas+Resistência de entrada)

Resistência à drenagem do MESFET

Vai Resistência à drenagem = ((4*Frequência Máxima de Oscilações^2)/Frequência de corte^2)*(Resistência da Fonte+Resistência à Metalização de Portas+Resistência de entrada)

Transcondutância na região de saturação

Vai Transcondutância = Condutância de saída*(1-sqrt((Barreira potencial de diodo Schottky-Tensão do portão)/Reduza a tensão))

Frequência Máxima de Oscilações no MESFET

Vai Frequência Máxima de Oscilações = (Frequência de ganho de unidade/2)*sqrt(Resistência à drenagem/Resistência à Metalização de Portas)

Frequência Máxima de Oscilação dada a Transcondutância

Vai Frequência Máxima de Oscilações = Transcondutância/(pi*Capacitância da Fonte de Porta)

Comprimento do portão do MESFET

Vai Comprimento do portão = Velocidade de deriva saturada/(4*pi*Frequência de corte)

Frequência de corte

Vai Frequência de corte = Velocidade de deriva saturada/(4*pi*Comprimento do portão)

Frequência de corte dada transcondutância e capacitância

Vai Frequência de corte = Transcondutância/(2*pi*Capacitância da Fonte de Porta)

Capacitância da Fonte de Porta

Vai Capacitância da Fonte de Porta = Transcondutância/(2*pi*Frequência de corte)

Transcondutância em MESFET

Vai Transcondutância = 2*Capacitância da Fonte de Porta*pi*Frequência de corte

Comprimento do portão do MESFET Fórmula

Comprimento do portão = Velocidade de deriva saturada/(4*pi*Frequência de corte)
L_gate = V_s/(4*pi*f_co)

Quais são as aplicações do MESFET?

Os MESFETs oferecem vantagens como alto ganho, alta velocidade, baixo ruído e baixo consumo de energia, tornando-os adequados para diversas aplicações nas áreas de eletrônica, telecomunicações e biomédica.

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