Gate-Länge des MESFET Taschenrechner

✖Die gesättigte Driftgeschwindigkeit ist die maximale Geschwindigkeit, die sich in einem Ladungsträger eines Halbleiters ausbreiten kann.ⓘ Gesättigte Driftgeschwindigkeit [V_s]			+10% -10%
✖Die Grenzfrequenz wird als Eckfrequenz definiert und ist eine Grenze im Frequenzgang des Systems, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.ⓘ Grenzfrequenz [f_co]			+10% -10%

✖Die Gate-Länge ist der Abstand zwischen den Source- und Drain-Elektroden entlang der Richtung senkrecht zur Ebene des Halbleitermaterials und parallel zur Gate-Elektrode.ⓘ Gate-Länge des MESFET [L_gate]

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Formel

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Gate-Länge des MESFET

Formel

`"L"_{"gate"} = "V"_{"s"}/(4*pi*"f"_{"co"})`

Beispiel

`"13.24084μm"="5mm/s"/(4*pi*"30.05Hz")`

Taschenrechner

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Gate-Länge des MESFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Torlänge = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Grenzfrequenz)
L_gate = V_s/(4*pi*f_co)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 3 Variablen

Verwendete Konstanten

pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288

Verwendete Variablen

Torlänge - (Gemessen in Meter) - Die Gate-Länge ist der Abstand zwischen den Source- und Drain-Elektroden entlang der Richtung senkrecht zur Ebene des Halbleitermaterials und parallel zur Gate-Elektrode.
Gesättigte Driftgeschwindigkeit - (Gemessen in Meter pro Sekunde) - Die gesättigte Driftgeschwindigkeit ist die maximale Geschwindigkeit, die sich in einem Ladungsträger eines Halbleiters ausbreiten kann.
Grenzfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Grenzfrequenz wird als Eckfrequenz definiert und ist eine Grenze im Frequenzgang des Systems, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gesättigte Driftgeschwindigkeit: 5 Millimeter / Sekunde --> 0.005 Meter pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Grenzfrequenz: 30.05 Hertz --> 30.05 Hertz Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

L_gate = V_s/(4*pi*f_co) --> 0.005/(4*pi*30.05)

Auswerten ... ...

L_gate = 1.32408438512392E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.32408438512392E-05 Meter -->13.2408438512392 Mikrometer (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

13.2408438512392 ≈ 13.24084 Mikrometer <-- Torlänge

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 MESFET-Eigenschaften Taschenrechner

Grenzfrequenz unter Verwendung der Maximalfrequenz

Gehen Grenzfrequenz = (2*Maximale Schwingungsfrequenz)/(sqrt(Abflusswiderstand/(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)))

Gate-Metallisierungswiderstand

Gehen Gate-Metallisierungswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand)

Eingangswiderstand

Gehen Eingangswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Gate-Metallisierungswiderstand+Quellenwiderstand)

Quellenwiderstand

Gehen Quellenwiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)

Drain-Widerstand des MESFET

Gehen Abflusswiderstand = ((4*Maximale Schwingungsfrequenz^2)/Grenzfrequenz^2)*(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)

Transkonduktanz im Sättigungsbereich

Gehen Transkonduktanz = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Schottky-Diodenpotentialbarriere-Gate-Spannung)/Spannung abklemmen))

Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = (Einheitsgewinnfrequenz/2)*sqrt(Abflusswiderstand/Gate-Metallisierungswiderstand)

Maximale Schwingungsfrequenz bei gegebener Transkonduktanz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = Transkonduktanz/(pi*Gate-Source-Kapazität)

Gate-Länge des MESFET

Gehen Torlänge = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Grenzfrequenz)

Grenzfrequenz

Gehen Grenzfrequenz = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Torlänge)

Grenzfrequenz bei gegebener Transkonduktanz und Kapazität

Gehen Grenzfrequenz = Transkonduktanz/(2*pi*Gate-Source-Kapazität)

Gate-Source-Kapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz)

Transkonduktanz im MESFET

Gehen Transkonduktanz = 2*Gate-Source-Kapazität*pi*Grenzfrequenz

Gate-Länge des MESFET Formel

Torlänge = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Grenzfrequenz)
L_gate = V_s/(4*pi*f_co)

Welche Anwendungen gibt es für MESFET?

MESFETs bieten Vorteile wie hohe Verstärkung, hohe Geschwindigkeit, geringes Rauschen und geringen Stromverbrauch, wodurch sie für verschiedene Anwendungen in den Bereichen Elektronik, Telekommunikation und Biomedizin geeignet sind.

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