Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Napięcie od bramki do źródła w małym sygnale Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Matematyka
Plac zabaw
Zdrowie
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Inżynieria chemiczna
Inżynieria materiałowa
Inżynieria produkcji
Mechaniczny
⤿
Elektronika analogowa
Antena
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Elektronika mocy
Inżynieria telewizyjna
Komunikacja analogowa
Komunikacja bezprzewodowa
Komunikacja cyfrowa
Komunikacja satelitarna
Linia transmisyjna i antena
Mikroelektronika RF
Produkcja VLSI
Projekt światłowodu
Projektowanie i zastosowania CMOS
Sygnał i systemy
System radarowy
System sterowania
Telekomunikacyjne systemy przełączające
Teoria informacji i kodowanie
Teoria mikrofalowa
Teoria pola elektromagnetycznego
Transmisja światłowodowa
Układy scalone (IC)
Urządzenia optoelektroniczne
Urządzenia półprzewodnikowe
Wbudowany system
Wzmacniacze
⤿
MOSFET
BJT
⤿
Analiza małych sygnałów
Aktualny
Charakterystyka MOSFET-u
Napięcie
Opór
Stronniczy
Transkonduktancja
Tranzystor MOS
Ulepszenie kanału N
Ulepszenie kanału P
Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości
Współczynnik odrzucenia sygnału wspólnego (CMRR)
Współczynnik wzmocnienia/wzmocnienie
✖
Napięcie wejściowe to napięcie wykryte na wejściu tranzystora.
ⓘ
Napięcie wejściowe [V
in
]
Abwolt
Attowolta
Centywolt
decywolt
Dekawolta
EMU potencjału elektrycznego
ESU potencjału elektrycznego
Femtovolt
Gigawolt
hektowolt
Kilowolt
Megawolt
Mikrowolt
Miliwolt
Nanowolt
Petawolt
Picowolt
Planck napięcia
Statwolt
Terawolt
Wolt
Wat/Amper
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Opór samoindukowany to opór wewnętrzny powstający w wyniku obecności własnych nośników ładunku FET (elektronów lub dziur).
ⓘ
Samoindukowany opór [R
si
]
Abohm
EMU of Resistance
ESU of Resistance
Exaohm
Gigaom
Kilohm
Megaom
Mikroom
Miliohm
Nanohm
Om
Petaohm
Planck Impedancja
Skwantowane Hall Resistance
Wzajemne Siemens
Statohm
Wolt na Amper
Yottaohm
Zettaohm
+10%
-10%
✖
Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.
ⓘ
Transkonduktancja [g
m
]
Abmho
Amper/Wolt
Gemmho
Gigasiemens
Kilosiemens
Megasiemens
Mho
Micromho
Mikrosiemens
Millisiemens
Nanosimy
Picosiemens
Skwantowane Hall Przewodnictwo
Siemens
Statmho
+10%
-10%
✖
Napięcie krytyczne to minimalna faza napięcia neutralnego, która świeci i pojawia się wzdłuż przewodu liniowego.
ⓘ
Napięcie od bramki do źródła w małym sygnale [V
c
]
Abwolt
Attowolta
Centywolt
decywolt
Dekawolta
EMU potencjału elektrycznego
ESU potencjału elektrycznego
Femtovolt
Gigawolt
hektowolt
Kilowolt
Megawolt
Mikrowolt
Miliwolt
Nanowolt
Petawolt
Picowolt
Planck napięcia
Statwolt
Terawolt
Wolt
Wat/Amper
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Kopiuj
Kroki
👎
Formuła
✖
Napięcie od bramki do źródła w małym sygnale
Formuła
`"V"_{"c"} = "V"_{"in"}/(1+"R"_{"si"}*"g"_{"m"})`
Przykład
`"1.153374V"="9.4V"/(1+"14.3kΩ"*"0.5mS")`
Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍
Pobierać MOSFET Formułę PDF
Napięcie od bramki do źródła w małym sygnale Rozwiązanie
KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Napięcie krytyczne
=
Napięcie wejściowe
/(1+
Samoindukowany opór
*
Transkonduktancja
)
V
c
=
V
in
/(1+
R
si
*
g
m
)
Ta formuła używa
4
Zmienne
Używane zmienne
Napięcie krytyczne
-
(Mierzone w Wolt)
- Napięcie krytyczne to minimalna faza napięcia neutralnego, która świeci i pojawia się wzdłuż przewodu liniowego.
Napięcie wejściowe
-
(Mierzone w Wolt)
- Napięcie wejściowe to napięcie wykryte na wejściu tranzystora.
Samoindukowany opór
-
(Mierzone w Om)
- Opór samoindukowany to opór wewnętrzny powstający w wyniku obecności własnych nośników ładunku FET (elektronów lub dziur).
Transkonduktancja
-
(Mierzone w Siemens)
- Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Napięcie wejściowe:
9.4 Wolt --> 9.4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Samoindukowany opór:
14.3 Kilohm --> 14300 Om
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
Transkonduktancja:
0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
V
c
= V
in
/(1+R
si
*g
m
) -->
9.4/(1+14300*0.0005)
Ocenianie ... ...
V
c
= 1.15337423312883
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
1.15337423312883 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
1.15337423312883
≈
1.153374 Wolt
<--
Napięcie krytyczne
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
MOSFET
»
Elektronika analogowa
»
Analiza małych sygnałów
»
Napięcie od bramki do źródła w małym sygnale
Kredyty
Stworzone przez
Ritwik Tripathi
Vellore Instytut Technologiczny
(VIT Vellore)
,
Vellore
Ritwik Tripathi utworzył ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez
Parminder Singh
Uniwersytet Chandigarh
(CU)
,
Pendżab
Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!
<
15 Analiza małych sygnałów Kalkulatory
Wzmocnienie napięcia małego sygnału w odniesieniu do rezystancji wejściowej
Iść
Wzmocnienie napięcia
= (
Rezystancja wzmacniacza wejściowego
/(
Rezystancja wzmacniacza wejściowego
+
Samoindukowany opór
))*((
Opór źródła
*
Rezystancja wyjściowa
)/(
Opór źródła
+
Rezystancja wyjściowa
))/(1/
Transkonduktancja
+((
Opór źródła
*
Rezystancja wyjściowa
)/(
Opór źródła
+
Rezystancja wyjściowa
)))
Napięcie od bramki do źródła w odniesieniu do rezystancji małego sygnału
Iść
Napięcie krytyczne
=
Napięcie wejściowe
*((1/
Transkonduktancja
)/((1/
Transkonduktancja
)*((
Opór źródła
*
Mały opór sygnału
)/(
Opór źródła
+
Mały opór sygnału
))))
Napięcie wyjściowe kanału P małego sygnału
Iść
Napięcie wyjściowe
=
Transkonduktancja
*
Źródło-napięcie bramki
*((
Rezystancja wyjściowa
*
Odporność na drenaż
)/(
Odporność na drenaż
+
Rezystancja wyjściowa
))
Napięcie wyjściowe wspólnego drenu w małym sygnale
Iść
Napięcie wyjściowe
=
Transkonduktancja
*
Napięcie krytyczne
*((
Opór źródła
*
Mały opór sygnału
)/(
Opór źródła
+
Mały opór sygnału
))
Wzmocnienie napięcia dla małych sygnałów
Iść
Wzmocnienie napięcia
= (
Transkonduktancja
*(1/((1/
Odporność na obciążenie
)+(1/
Odporność na drenaż
))))/(1+(
Transkonduktancja
*
Samoindukowany opór
))
Wzmocnienie napięcia małosygnałowego w odniesieniu do rezystancji drenu
Iść
Wzmocnienie napięcia
= (
Transkonduktancja
*((
Rezystancja wyjściowa
*
Odporność na drenaż
)/(
Rezystancja wyjściowa
+
Odporność na drenaż
)))
Prąd wyjściowy małego sygnału
Iść
Prąd wyjściowy
= (
Transkonduktancja
*
Napięcie krytyczne
)*(
Odporność na drenaż
/(
Odporność na obciążenie
+
Odporność na drenaż
))
Współczynnik wzmocnienia dla modelu MOSFET małego sygnału
Iść
Współczynnik wzmocnienia
= 1/
Średnia droga swobodna elektronu
*
sqrt
((2*
Parametr transkonduktancji procesu
)/
Prąd spustowy
)
Prąd wejściowy małego sygnału
Iść
Prąd wejściowy małego sygnału
= (
Napięcie krytyczne
*((1+
Transkonduktancja
*
Samoindukowany opór
)/
Samoindukowany opór
))
Transkonduktancja przy danych parametrach małego sygnału
Iść
Transkonduktancja
= 2*
Parametr transkonduktancji
*(
Składowa DC napięcia bramki-źródła
-
Całkowite napięcie
)
Wzmocnienie napięcia za pomocą małego sygnału
Iść
Wzmocnienie napięcia
=
Transkonduktancja
*1/(1/
Odporność na obciążenie
+1/
Skończony opór
)
Napięcie wyjściowe małego sygnału
Iść
Napięcie wyjściowe
=
Transkonduktancja
*
Źródło-napięcie bramki
*
Odporność na obciążenie
Napięcie od bramki do źródła w małym sygnale
Iść
Napięcie krytyczne
=
Napięcie wejściowe
/(1+
Samoindukowany opór
*
Transkonduktancja
)
Prąd spustowy małego sygnału MOSFET
Iść
Prąd spustowy
= 1/(
Średnia droga swobodna elektronu
*
Rezystancja wyjściowa
)
Współczynnik wzmocnienia w modelu małego sygnału MOSFET
Iść
Współczynnik wzmocnienia
=
Transkonduktancja
*
Rezystancja wyjściowa
Napięcie od bramki do źródła w małym sygnale Formułę
Napięcie krytyczne
=
Napięcie wejściowe
/(1+
Samoindukowany opór
*
Transkonduktancja
)
V
c
=
V
in
/(1+
R
si
*
g
m
)
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!