Gate-Source-Spannung im Kleinsignal Taschenrechner

✖Die Eingangsspannung ist die am Eingang des Transistors erfasste Spannung.ⓘ Eingangsspannung [V_in]			+10% -10%
✖Der selbstinduzierte Widerstand ist der Innenwiderstand, der aufgrund der Anwesenheit der eigenen Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) des FET entsteht.ⓘ Selbstinduzierter Widerstand [R_si]			+10% -10%
✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Steilheit [g_m]			+10% -10%

✖Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt.ⓘ Gate-Source-Spannung im Kleinsignal [V_c]

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Formel

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Gate-Source-Spannung im Kleinsignal

Formel

`"V"_{"c"} = "V"_{"in"}/(1+"R"_{"si"}*"g"_{"m"})`

Beispiel

`"1.153374V"="9.4V"/(1+"14.3kΩ"*"0.5mS")`

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Gate-Source-Spannung im Kleinsignal Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kritische Spannung = Eingangsspannung/(1+Selbstinduzierter Widerstand*Steilheit)
V_c = V_in/(1+R_si*g_m)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Kritische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt.
Eingangsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Eingangsspannung ist die am Eingang des Transistors erfasste Spannung.
Selbstinduzierter Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Der selbstinduzierte Widerstand ist der Innenwiderstand, der aufgrund der Anwesenheit der eigenen Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) des FET entsteht.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Eingangsspannung: 9.4 Volt --> 9.4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Selbstinduzierter Widerstand: 14.3 Kiloohm --> 14300 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_c = V_in/(1+R_si*g_m) --> 9.4/(1+14300*0.0005)

Auswerten ... ...

V_c = 1.15337423312883

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.15337423312883 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.15337423312883 ≈ 1.153374 Volt <-- Kritische Spannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Ritwik Tripathi

Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 15 Kleinsignalanalyse Taschenrechner

Kleine Signalspannungsverstärkung in Bezug auf den Eingangswiderstand

Gehen Spannungsverstärkung = (Widerstand des Eingangsverstärkers/(Widerstand des Eingangsverstärkers+Selbstinduzierter Widerstand))*((Quellenwiderstand*Ausgangswiderstand)/(Quellenwiderstand+Ausgangswiderstand))/(1/Steilheit+((Quellenwiderstand*Ausgangswiderstand)/(Quellenwiderstand+Ausgangswiderstand)))

Gate-Source-Spannung im Verhältnis zum Kleinsignalwiderstand

Gehen Kritische Spannung = Eingangsspannung*((1/Steilheit)/((1/Steilheit)*((Quellenwiderstand*Kleinsignalwiderstand)/(Quellenwiderstand+Kleinsignalwiderstand))))

Gemeinsame Drain-Ausgangsspannung im Kleinsignal

Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Kritische Spannung*((Quellenwiderstand*Kleinsignalwiderstand)/(Quellenwiderstand+Kleinsignalwiderstand))

Ausgangsspannung des Kleinsignal-P-Kanals

Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Source-Gate-Spannung*((Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand)/(Abflusswiderstand+Ausgangswiderstand))

Spannungsverstärkung für Kleinsignale

Gehen Spannungsverstärkung = (Steilheit*(1/((1/Lastwiderstand)+(1/Abflusswiderstand))))/(1+(Steilheit*Selbstinduzierter Widerstand))

Kleinsignal-Spannungsverstärkung in Bezug auf den Drain-Widerstand

Gehen Spannungsverstärkung = (Steilheit*((Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand)/(Ausgangswiderstand+Abflusswiderstand)))

Ausgangsstrom des Kleinsignals

Gehen Ausgangsstrom = (Steilheit*Kritische Spannung)*(Abflusswiderstand/(Lastwiderstand+Abflusswiderstand))

Eingangsstrom des Kleinsignals

Gehen Eingangsstrom des Kleinsignals = (Kritische Spannung*((1+Steilheit*Selbstinduzierter Widerstand)/Selbstinduzierter Widerstand))

Verstärkungsfaktor für das Kleinsignal-MOSFET-Modell

Gehen Verstärkungsfaktor = 1/Mittlerer freier Elektronenweg*sqrt((2*Transkonduktanzparameter verarbeiten)/Stromverbrauch)

Transkonduktanz bei gegebenen Kleinsignalparametern

Gehen Steilheit = 2*Transkonduktanzparameter*(Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung-Gesamtspannung)

Gate-Source-Spannung im Kleinsignal

Gehen Kritische Spannung = Eingangsspannung/(1+Selbstinduzierter Widerstand*Steilheit)

Spannungsverstärkung mit Kleinsignal

Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*1/(1/Lastwiderstand+1/Endlicher Widerstand)

Kleinsignal-Ausgangsspannung

Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Source-Gate-Spannung*Lastwiderstand

Drainstrom des MOSFET-Kleinsignals

Gehen Stromverbrauch = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Ausgangswiderstand)

Verstärkungsfaktor im Kleinsignal-MOSFET-Modell

Gehen Verstärkungsfaktor = Steilheit*Ausgangswiderstand

Gate-Source-Spannung im Kleinsignal Formel

Kritische Spannung = Eingangsspannung/(1+Selbstinduzierter Widerstand*Steilheit)
V_c = V_in/(1+R_si*g_m)

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