Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem Kalkulator

✖Napięcie składowej podstawowej jest pierwszą harmoniczną napięcia w analizie harmonicznej fali prostokątnej napięcia w obwodzie opartym na falowniku.ⓘ Podstawowe napięcie składowe [V_fc]			+10% -10%
✖Prąd bazowy jest kluczowym prądem bipolarnego tranzystora złączowego. Bez prądu bazowego tranzystor nie może się włączyć.ⓘ Prąd bazowy [i_b]			+10% -10%

✖Rezystancja wejściowa 2 to opór, jaki element elektryczny lub obwód stawia przepływowi prądu elektrycznego po przyłożeniu do niego napięcia.ⓘ Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem [R_in]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem

Formuła

`"R"_{"in"} = "V"_{"fc"}/"i"_{"b"}`

Przykład

`"0.307598kΩ"="5V"/"16.255mA"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Formuły PDF PDF Image

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy
R_in = V_fc/i_b
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Rezystancja wejściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wejściowa 2 to opór, jaki element elektryczny lub obwód stawia przepływowi prądu elektrycznego po przyłożeniu do niego napięcia.
Podstawowe napięcie składowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie składowej podstawowej jest pierwszą harmoniczną napięcia w analizie harmonicznej fali prostokątnej napięcia w obwodzie opartym na falowniku.
Prąd bazowy - (Mierzone w Amper) - Prąd bazowy jest kluczowym prądem bipolarnego tranzystora złączowego. Bez prądu bazowego tranzystor nie może się włączyć.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Podstawowe napięcie składowe: 5 Wolt --> 5 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Prąd bazowy: 16.255 Miliamper --> 0.016255 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

R_in = V_fc/i_b --> 5/0.016255

Ocenianie ... ...

R_in = 307.597662257767

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

307.597662257767 Om -->0.307597662257767 Kilohm (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.307597662257767 ≈ 0.307598 Kilohm <-- Rezystancja wejściowa

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego » Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 18 Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Kalkulatory

Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym

Iść Prąd wyjściowy = (Mobilność elektronu*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia))*Napięcie nasycenia pomiędzy drenem a źródłem

Całkowite efektywne napięcie transkonduktancji MOSFET

Iść Efektywne napięcie = sqrt(2*Prąd drenu nasycenia/(Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)))

Napięcie wejściowe przy danym napięciu sygnału

Iść Podstawowe napięcie składowe = (Skończona rezystancja wejściowa/(Skończona rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*Małe napięcie sygnału

Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Efektywne napięcie)^2

Parametr transkonduktancji tranzystora MOS

Iść Parametr transkonduktancji = Prąd spustowy/((Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem)

Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem

Prąd drenu tranzystora

Iść Prąd spustowy = (Podstawowe napięcie składowe+Całkowite chwilowe napięcie drenu)/Odporność na drenaż

Całkowite chwilowe napięcie drenu

Iść Całkowite chwilowe napięcie drenu = Podstawowe napięcie składowe-Odporność na drenaż*Prąd spustowy

Napięcie wejściowe w tranzystorze

Iść Podstawowe napięcie składowe = Odporność na drenaż*Prąd spustowy-Całkowite chwilowe napięcie drenu

Transkonduktancja wzmacniaczy tranzystorowych

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = (2*Prąd spustowy)/(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)

Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy

Iść Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera

Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem

Iść Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy

Rezystancja wyjściowa obwodu wspólnej bramki przy danym napięciu testowym

Iść Skończona rezystancja wyjściowa = Napięcie testowe/Prąd testowy

Wzmacniacz Wejście wzmacniacza tranzystorowego

Iść Wejście wzmacniacza = Rezystancja wejściowa*Prąd wejściowy

Wzmocnienie prądu stałego wzmacniacza

Iść Wzmocnienie prądu stałego = Prąd kolektora/Prąd bazowy

Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bramką

Iść Rezystancja wejściowa = Napięcie testowe/Prąd testowy

Prąd testowy wzmacniacza tranzystorowego

Iść Prąd testowy = Napięcie testowe/Rezystancja wejściowa

< 18 Działania CV wzmacniaczy Common Stage Kalkulatory

Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bazą

Iść Rezystancja wejściowa = (Rezystancja emitera*(Skończona rezystancja wyjściowa+Odporność na obciążenie))/(Skończona rezystancja wyjściowa+(Odporność na obciążenie/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))

Napięcie wyjściowe kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Składowa DC napięcia bramki-źródła = (Wzmocnienie napięcia*Prąd elektryczny-Transkonduktancja zwarciowa*Różnicowy sygnał wyjściowy)*(1/Ostateczny opór+1/Rezystancja uzwojenia pierwotnego w wtórnym)

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Odporność na drenaż = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem dla rezystancji wejściowej małosygnałowej

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/(Mały opór wejściowy sygnału+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera))^-1

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem przy danej rezystancji emitera

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/((Całkowity opór+Rezystancja emitera)*(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))^-1

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+Opór źródła+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa*Opór źródła)

Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem

Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Częstotliwość wzmocnienia jedności*(Pojemność bramy do źródła+Bramka pojemnościowa do drenażu)

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1

Impedancja wejściowa wzmacniacza ze wspólną bazą

Iść Impedancja wejściowa = (1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)^(-1)

Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy

Iść Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera

Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem

Iść Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy

Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem

Iść Podstawowe napięcie składowe = Rezystancja wejściowa*Prąd bazowy

Napięcie obciążenia wzmacniacza CS

Iść Napięcie obciążenia = Wzmocnienie napięcia*Napięcie wejściowe

Rezystancja emitera we wzmacniaczu ze wspólną bazą

Iść Rezystancja emitera = Napięcie wejściowe/Prąd emitera

Prąd emitera wzmacniacza ze wspólną bazą

Iść Prąd emitera = Napięcie wejściowe/Rezystancja emitera

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem Formułę

Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy
R_in = V_fc/i_b

Jak nazywa się popularny wzmacniacz kolektorowy?

W elektronice, wspólny wzmacniacz kolektorowy (znany również jako popychacz emitera) jest jedną z trzech podstawowych topologii wzmacniaczy z jednostopniowym tranzystorem bipolarnym (BJT), zwykle używaną jako bufor napięcia.

Dlaczego zwykły wzmacniacz kolektorowy nazywany jest buforem?

Wspólna konfiguracja podstawowa ma prawie jedność wzmocnienia prądu. Dlatego nie jest to wzmacniacz prądowy (ponieważ nie zapewnia wzmocnienia prądowego większego niż jeden). Z powodu tego wzmocnienia prądu jedności jest określany jako bufor.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!