Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu Kalkulator

✖Parametr transkonduktancji procesu jest iloczynem ruchliwości elektronów w kanale i pojemności tlenkowej.ⓘ Parametr transkonduktancji procesu [k'_n]			+10% -10%
✖Szerokość kanału to wymiar kanału MOSFET-u.ⓘ Szerokość kanału [W_c]			+10% -10%
✖Długość kanału L, czyli odległość między dwoma złączami -p.ⓘ Długość kanału [L]			+10% -10%
✖Efektywne napięcie lub napięcie przesterowania to nadmiar napięcia na tlenku nad napięciem termicznym.ⓘ Efektywne napięcie [V_ov]			+10% -10%

✖Prąd nasycenia drenu definiuje się jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo w zależności od napięcia bramki-źródła.ⓘ Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu [i_ds]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu

Formuła

`"i"_{"ds"} = 1/2*"k'"_{"n"}*("W"_{"c"}/"L")*("V"_{"ov"})^2`

Przykład

`"4.724903mA"=1/2*"0.2A/V²"*("10.15μm"/"3.25μm")*("0.123V")^2`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Formuły PDF PDF Image

Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Efektywne napięcie)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Prąd drenu nasycenia - (Mierzone w Amper) - Prąd nasycenia drenu definiuje się jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo w zależności od napięcia bramki-źródła.
Parametr transkonduktancji procesu - (Mierzone w Amper na wolt kwadratowy) - Parametr transkonduktancji procesu jest iloczynem ruchliwości elektronów w kanale i pojemności tlenkowej.
Szerokość kanału - (Mierzone w Metr) - Szerokość kanału to wymiar kanału MOSFET-u.
Długość kanału - (Mierzone w Metr) - Długość kanału L, czyli odległość między dwoma złączami -p.
Efektywne napięcie - (Mierzone w Wolt) - Efektywne napięcie lub napięcie przesterowania to nadmiar napięcia na tlenku nad napięciem termicznym.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Parametr transkonduktancji procesu: 0.2 Amper na wolt kwadratowy --> 0.2 Amper na wolt kwadratowy Nie jest wymagana konwersja
Szerokość kanału: 10.15 Mikrometr --> 1.015E-05 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Długość kanału: 3.25 Mikrometr --> 3.25E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Efektywne napięcie: 0.123 Wolt --> 0.123 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2 --> 1/2*0.2*(1.015E-05/3.25E-06)*(0.123)^2

Ocenianie ... ...

i_ds = 0.00472490307692308

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.00472490307692308 Amper -->4.72490307692308 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

4.72490307692308 ≈ 4.724903 Miliamper <-- Prąd drenu nasycenia

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego » Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 18 Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Kalkulatory

Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym

Iść Prąd wyjściowy = (Mobilność elektronu*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia))*Napięcie nasycenia pomiędzy drenem a źródłem

Całkowite efektywne napięcie transkonduktancji MOSFET

Iść Efektywne napięcie = sqrt(2*Prąd drenu nasycenia/(Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)))

Napięcie wejściowe przy danym napięciu sygnału

Iść Podstawowe napięcie składowe = (Skończona rezystancja wejściowa/(Skończona rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*Małe napięcie sygnału

Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Efektywne napięcie)^2

Parametr transkonduktancji tranzystora MOS

Iść Parametr transkonduktancji = Prąd spustowy/((Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem)

Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem

Prąd drenu tranzystora

Iść Prąd spustowy = (Podstawowe napięcie składowe+Całkowite chwilowe napięcie drenu)/Odporność na drenaż

Całkowite chwilowe napięcie drenu

Iść Całkowite chwilowe napięcie drenu = Podstawowe napięcie składowe-Odporność na drenaż*Prąd spustowy

Napięcie wejściowe w tranzystorze

Iść Podstawowe napięcie składowe = Odporność na drenaż*Prąd spustowy-Całkowite chwilowe napięcie drenu

Transkonduktancja wzmacniaczy tranzystorowych

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = (2*Prąd spustowy)/(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)

Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy

Iść Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera

Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem

Iść Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy

Rezystancja wyjściowa obwodu wspólnej bramki przy danym napięciu testowym

Iść Skończona rezystancja wyjściowa = Napięcie testowe/Prąd testowy

Wzmacniacz Wejście wzmacniacza tranzystorowego

Iść Wejście wzmacniacza = Rezystancja wejściowa*Prąd wejściowy

Wzmocnienie prądu stałego wzmacniacza

Iść Wzmocnienie prądu stałego = Prąd kolektora/Prąd bazowy

Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bramką

Iść Rezystancja wejściowa = Napięcie testowe/Prąd testowy

Prąd testowy wzmacniacza tranzystorowego

Iść Prąd testowy = Napięcie testowe/Rezystancja wejściowa

Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu Formułę

Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Efektywne napięcie)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2

Co to jest prąd drenu w tranzystorze MOSFET?

Prąd drenu poniżej napięcia progowego jest definiowany jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo wraz z Vgs. Odwrotność nachylenia krzywej logicznej (Ids) względem charakterystyki Vgs jest definiowana jako nachylenie podprogowe, S i jest jedną z najbardziej krytycznych metryk wydajności dla tranzystorów MOSFET w zastosowaniach logicznych.

Ile prądu może obsłużyć MOSFET?

Tranzystory MOSFET o wysokim natężeniu prądu, takie jak 511-STP200N3LL, mówią, że mogą obsługiwać prąd o natężeniu 120 A. Tranzystor polowy metalowo-półprzewodnikowy, w skrócie MOSFET, ma niezwykle wysoką rezystancję bramki wejściowej, a prąd przepływający przez kanał między źródłem a drenem jest kontrolowany przez napięcie bramki.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!