Resistenza di ingresso dell'amplificatore a collettore comune Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Resistenza in ingresso = Tensione dei componenti fondamentali/Corrente di base
Rin = Vfc/ib
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Resistenza in ingresso - (Misurato in Ohm) - La resistenza di ingresso 2 è l'opposizione che un componente o circuito elettrico presenta al flusso di corrente elettrica quando gli viene applicata una tensione.
Tensione dei componenti fondamentali - (Misurato in Volt) - La tensione del componente fondamentale è la prima armonica della tensione nell'analisi armonica dell'onda quadra della tensione in un circuito basato su inverter.
Corrente di base - (Misurato in Ampere) - La corrente di base è una corrente cruciale del transistor a giunzione bipolare. Senza la corrente di base il transistor non può accendersi.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Tensione dei componenti fondamentali: 5 Volt --> 5 Volt Nessuna conversione richiesta
Corrente di base: 16.255 Millampere --> 0.016255 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Rin = Vfc/ib --> 5/0.016255
Valutare ... ...
Rin = 307.597662257767
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
307.597662257767 Ohm -->0.307597662257767 Kilohm (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
0.307597662257767 0.307598 Kilohm <-- Resistenza in ingresso
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

18 Caratteristiche dell'amplificatore a transistor Calcolatrici

Corrente che scorre attraverso il canale indotto nel transistor data la tensione di ossido
​ Partire Corrente di uscita = (Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio))*Tensione di saturazione tra Drain e Source
Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET
​ Partire Tensione effettiva = sqrt(2*Corrente di drenaggio di saturazione/(Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)))
Tensione di ingresso data tensione di segnale
​ Partire Tensione dei componenti fondamentali = (Resistenza di ingresso finita/(Resistenza di ingresso finita+Resistenza del segnale))*Piccola tensione di segnale
Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione
​ Partire Corrente di drenaggio di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2
Parametro di transconduttanza del transistor MOS
​ Partire Parametro di transconduttanza = Assorbimento di corrente/((Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source)
Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente
​ Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source
Corrente di scarico del transistor
​ Partire Assorbimento di corrente = (Tensione dei componenti fondamentali+Tensione di drenaggio istantanea totale)/Resistenza allo scarico
Tensione di scarico totale istantanea
​ Partire Tensione di drenaggio istantanea totale = Tensione dei componenti fondamentali-Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente
Tensione di ingresso nel transistor
​ Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale
Transconduttanza degli amplificatori a transistor
​ Partire Transconduttanza primaria MOSFET = (2*Assorbimento di corrente)/(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)
Segnale Corrente nell'emettitore dato il segnale di ingresso
​ Partire Corrente del segnale nell'emettitore = Tensione dei componenti fondamentali/Resistenza dell'emettitore
Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor
​ Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Corrente del collettore/Soglia di voltaggio
Resistenza di ingresso dell'amplificatore a collettore comune
​ Partire Resistenza in ingresso = Tensione dei componenti fondamentali/Corrente di base
Ingresso amplificatore dell'amplificatore a transistor
​ Partire Ingresso dell'amplificatore = Resistenza in ingresso*Corrente in ingresso
Guadagno di corrente CC dell'amplificatore
​ Partire Guadagno di corrente CC = Corrente del collettore/Corrente di base
Resistenza di uscita del circuito di gate comune data la tensione di prova
​ Partire Resistenza di uscita finita = Prova di tensione/Prova corrente
Resistenza di ingresso del circuito di gate comune
​ Partire Resistenza in ingresso = Prova di tensione/Prova corrente
Prova la corrente dell'amplificatore a transistor
​ Partire Prova corrente = Prova di tensione/Resistenza in ingresso

18 Azioni CV degli amplificatori a stadio comune Calcolatrici

Tensione di uscita del transistor di origine controllata
​ Partire Componente CC della tensione da gate a sorgente = (Guadagno di tensione*Corrente elettrica-Transconduttanza di cortocircuito*Segnale di uscita differenziale)*(1/Resistenza finale+1/Resistenza dell'avvolgimento primario nel secondario)
Resistenza di ingresso del circuito a base comune
​ Partire Resistenza in ingresso = (Resistenza dell'emettitore*(Resistenza di uscita finita+Resistenza al carico))/(Resistenza di uscita finita+(Resistenza al carico/(Guadagno corrente base del collettore+1)))
Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata
​ Partire Resistenza allo scarico = Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario+2*Resistenza finita+2*Resistenza finita*Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario
Resistenza di uscita dell'amplificatore CE degenerato dall'emettitore
​ Partire Resistenza allo scarico = Resistenza di uscita finita+(Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza di uscita finita)*(1/Resistenza dell'emettitore+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)
Resistenza di ingresso dell'amplificatore a emettitore comune data la resistenza di ingresso a piccolo segnale
​ Partire Resistenza in ingresso = (1/Resistenza di base+1/Resistenza di base 2+1/(Resistenza di ingresso del segnale piccolo+(Guadagno corrente base del collettore+1)*Resistenza dell'emettitore))^-1
Resistenza di ingresso dell'amplificatore a emettitore comune data la resistenza dell'emettitore
​ Partire Resistenza in ingresso = (1/Resistenza di base+1/Resistenza di base 2+1/((Resistenza totale+Resistenza dell'emettitore)*(Guadagno corrente base del collettore+1)))^-1
Resistenza di uscita dell'amplificatore CS con resistenza alla sorgente
​ Partire Resistenza allo scarico = Resistenza di uscita finita+Resistenza alla fonte+(Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza di uscita finita*Resistenza alla fonte)
Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente
​ Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source
Transconduttanza nell'amplificatore a sorgente comune
​ Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Frequenza di guadagno unitario*(Capacità dal gate alla sorgente+Porta di capacità per lo scarico)
Resistenza di ingresso dell'amplificatore a emettitore comune
​ Partire Resistenza in ingresso = (1/Resistenza di base+1/Resistenza di base 2+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^-1
Impedenza di ingresso dell'amplificatore a base comune
​ Partire Impedenza di ingresso = (1/Resistenza dell'emettitore+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^(-1)
Segnale Corrente nell'emettitore dato il segnale di ingresso
​ Partire Corrente del segnale nell'emettitore = Tensione dei componenti fondamentali/Resistenza dell'emettitore
Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor
​ Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Corrente del collettore/Soglia di voltaggio
Resistenza di ingresso dell'amplificatore a collettore comune
​ Partire Resistenza in ingresso = Tensione dei componenti fondamentali/Corrente di base
Tensione fondamentale nell'amplificatore a emettitore comune
​ Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza in ingresso*Corrente di base
Resistenza dell'emettitore nell'amplificatore a base comune
​ Partire Resistenza dell'emettitore = Tensione di ingresso/Corrente dell'emettitore
Corrente di emettitore dell'amplificatore a base comune
​ Partire Corrente dell'emettitore = Tensione di ingresso/Resistenza dell'emettitore
Tensione di carico dell'amplificatore CS
​ Partire Tensione di carico = Guadagno di tensione*Tensione di ingresso

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a collettore comune Formula

Resistenza in ingresso = Tensione dei componenti fondamentali/Corrente di base
Rin = Vfc/ib

Come si chiama un comune amplificatore da collettore?

In elettronica, un amplificatore collettore comune (noto anche come inseguitore di emettitore) è una delle tre topologie di amplificatori a transistor bipolare a giunzione (BJT) di base a stadio singolo, tipicamente utilizzate come buffer di tensione.

Perché l'amplificatore del collettore comune si chiama buffer?

La configurazione di base comune ha un guadagno di corrente quasi unitario. Quindi non è un amplificatore di corrente (in quanto non fornisce un guadagno di corrente superiore a uno). A causa di questo guadagno di corrente unitario, viene definito buffer.

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