Kalkulator NWW

Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu VLSI Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Produkcja VLSI Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Optymalizacja materiałów VLSI Konstrukcja analogowa VLSI

✖Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni jest definiowana jako pojemność na jednostkę powierzchni izolującej warstwy tlenku, która oddziela metalową bramkę od materiału półprzewodnikowego.ⓘ Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni [C_oxide]			+10% -10%
✖Współczynnik skalowania definiuje się jako stosunek, o jaki zmieniają się wymiary tranzystora w procesie projektowania.ⓘ Współczynnik skalowania [Sf]			+10% -10%

✖Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu odnosi się do nowej pojemności po zmniejszeniu wymiarów MOSFET-a poprzez pełne skalowanie.ⓘ Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu VLSI [C_oxide']

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu VLSI Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu = Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni*Współczynnik skalowania
C_oxide' = C_oxide*Sf
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu - (Mierzone w Farad na metr kwadratowy) - Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu odnosi się do nowej pojemności po zmniejszeniu wymiarów MOSFET-a poprzez pełne skalowanie.
Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni - (Mierzone w Farad na metr kwadratowy) - Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni jest definiowana jako pojemność na jednostkę powierzchni izolującej warstwy tlenku, która oddziela metalową bramkę od materiału półprzewodnikowego.
Współczynnik skalowania - Współczynnik skalowania definiuje się jako stosunek, o jaki zmieniają się wymiary tranzystora w procesie projektowania.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni: 0.0703 Mikrofarad na centymetr kwadratowy --> 0.000703 Farad na metr kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)
Współczynnik skalowania: 1.5 --> Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

C_oxide' = C_oxide*Sf --> 0.000703*1.5

Ocenianie ... ...

C_oxide' = 0.0010545

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.0010545 Farad na metr kwadratowy -->0.10545 Mikrofarad na centymetr kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.10545 Mikrofarad na centymetr kwadratowy <-- Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Produkcja VLSI » Optymalizacja materiałów VLSI » Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu VLSI

Kredyty

Stworzone przez Priyanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College of Engineering (LDCE), Ahmadabad

Priyanka Patel utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Optymalizacja materiałów VLSI Kalkulatory

Współczynnik efektu ciała

LaTeX Iść Współczynnik efektu ciała = modulus((Próg napięcia-Napięcie progowe DIBL)/(sqrt(Potencjał powierzchni+(Różnica potencjałów ciała źródłowego))-sqrt(Potencjał powierzchni)))

Współczynnik DIBL

LaTeX Iść Współczynnik DIBL = (Napięcie progowe DIBL-Próg napięcia)/Drenaż do potencjału źródłowego

Opłata za kanał

LaTeX Iść Opłata za kanał = Pojemność bramki*(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)

Krytyczne napięcie

LaTeX Iść Napięcie krytyczne = Krytyczne pole elektryczne*Pole elektryczne na długości kanału

Zobacz więcej >>

Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu VLSI Formułę

LaTeX Iść

Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu = Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni*Współczynnik skalowania
C_oxide' = C_oxide*Sf

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!