Rekenmachines A tot Z
🔍
Downloaden PDF
Chemie
Engineering
Financieel
Gezondheid
Wiskunde
Fysica
Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI Rekenmachine
Engineering
Chemie
Financieel
Fysica
Gezondheid
Speelplaats
Wiskunde
↳
Elektronica
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Elektronica en instrumentatie
Materiaal kunde
Mechanisch
Productie Engineering
⤿
VLSI-fabricage
Analoge communicatie
Analoge elektronica
Antenne
CMOS-ontwerp en toepassingen
Controle systeem
Digitale beeldverwerking
Digitale communicatie
Draadloze communicatie
EDC
Elektromagnetische veldtheorie
Geïntegreerde schakelingen (IC)
Glasvezeltransmissie
Informatietheorie en codering
Ingebouwd systeem
Magnetron theorie
Ontwerp van optische vezels
Opto-elektronica-apparaten
Radarsysteem
RF-micro-elektronica
Satellietcommunicatie
Schakelsystemen voor telecommunicatie
Signaal en systemen
Solid State-apparaten
Televisie techniek
Transmissielijn en antenne
Vermogenselektronica
Versterkers
⤿
VLSI-materiaaloptimalisatie
Analoog VLSI-ontwerp
✖
Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid wordt gedefinieerd als de capaciteit per oppervlakte-eenheid van de isolerende oxidelaag die de metalen poort scheidt van het halfgeleidermateriaal.
ⓘ
Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid [C
oxide
]
Farad per vierkante centimeter
Farad per vierkante inch
Farad per vierkante meter
Farad per vierkante micrometer
Farad per vierkante millimeter
Farad per vierkante nanometer
Femtofarad per vierkante micrometer
Femtofarad per vierkante nanometer
Microfarad per vierkante centimeter
Microfarad per vierkante inch
Microfarad per vierkante meter
Microfarad per vierkante micrometer
Microfarad per vierkante millimeter
Microfarad per vierkante nanometer
Nanofarad per vierkante centimeter
Nanofarad per vierkante meter
Nanofarad per vierkante micrometer
Nanofarad per vierkante millimeter
Picofarad per vierkante micrometer
Picofarad per vierkante nanometer
+10%
-10%
✖
De schaalfactor wordt gedefinieerd als de verhouding waarmee de afmetingen van de transistor tijdens het ontwerpproces worden gewijzigd.
ⓘ
Schaalfactor [Sf]
+10%
-10%
✖
Oxidecapaciteit na volledige schaling wordt verwezen naar de nieuwe capaciteit na het verkleinen van de afmetingen van de MOSFET door volledige schaling.
ⓘ
Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI [C
oxide
']
Farad per vierkante centimeter
Farad per vierkante inch
Farad per vierkante meter
Farad per vierkante micrometer
Farad per vierkante millimeter
Farad per vierkante nanometer
Femtofarad per vierkante micrometer
Femtofarad per vierkante nanometer
Microfarad per vierkante centimeter
Microfarad per vierkante inch
Microfarad per vierkante meter
Microfarad per vierkante micrometer
Microfarad per vierkante millimeter
Microfarad per vierkante nanometer
Nanofarad per vierkante centimeter
Nanofarad per vierkante meter
Nanofarad per vierkante micrometer
Nanofarad per vierkante millimeter
Picofarad per vierkante micrometer
Picofarad per vierkante nanometer
⎘ Kopiëren
Stappen
👎
Formule
✖
Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI
Formule
`("C"_{"oxide"}"'") = "C"_{"oxide"}*"Sf"`
Voorbeeld
`"0.10545μF/cm²"="0.0703μF/cm²"*"1.5"`
Rekenmachine
LaTeX
Reset
👍
Downloaden Elektronica Formule Pdf
Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI Oplossing
STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Oxidecapaciteit na volledige schaling
=
Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid
*
Schaalfactor
C
oxide
'
=
C
oxide
*
Sf
Deze formule gebruikt
3
Variabelen
Variabelen gebruikt
Oxidecapaciteit na volledige schaling
-
(Gemeten in Farad per vierkante meter)
- Oxidecapaciteit na volledige schaling wordt verwezen naar de nieuwe capaciteit na het verkleinen van de afmetingen van de MOSFET door volledige schaling.
Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid
-
(Gemeten in Farad per vierkante meter)
- Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid wordt gedefinieerd als de capaciteit per oppervlakte-eenheid van de isolerende oxidelaag die de metalen poort scheidt van het halfgeleidermateriaal.
Schaalfactor
- De schaalfactor wordt gedefinieerd als de verhouding waarmee de afmetingen van de transistor tijdens het ontwerpproces worden gewijzigd.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid:
0.0703 Microfarad per vierkante centimeter --> 0.000703 Farad per vierkante meter
(Bekijk de conversie
hier
)
Schaalfactor:
1.5 --> Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
C
oxide
' = C
oxide
*Sf -->
0.000703*1.5
Evalueren ... ...
C
oxide
'
= 0.0010545
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.0010545 Farad per vierkante meter -->0.10545 Microfarad per vierkante centimeter
(Bekijk de conversie
hier
)
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.10545 Microfarad per vierkante centimeter
<--
Oxidecapaciteit na volledige schaling
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)
Je bevindt je hier
-
Huis
»
Engineering
»
Elektronica
»
VLSI-fabricage
»
VLSI-materiaaloptimalisatie
»
Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI
Credits
Gemaakt door
Prijanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek
(LDCE)
,
Ahmedabad
Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!
<
25 VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines
Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI
Gaan
Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied
= -(1-((
Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron
+
Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer
)/(2*
Kanaallengte
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Acceptorconcentratie
*
abs
(2*
Oppervlaktepotentieel
))
Lichaamseffectcoëfficiënt
Gaan
Lichaamseffectcoëfficiënt
=
modulus
((
Drempelspanning
-
Drempelspanning DIBL
)/(
sqrt
(
Oppervlaktepotentieel
+(
Bron Lichaamspotentieelverschil
))-
sqrt
(
Oppervlaktepotentieel
)))
Verbinding Ingebouwde spanning VLSI
Gaan
Junction Ingebouwde spanning
= (
[BoltZ]
*
Temperatuur
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Acceptorconcentratie
*
Donorconcentratie
/(
Intrinsieke concentratie
)^2)
PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI
Gaan
Pn-verbindingsdepletiediepte met bron
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Junction Ingebouwde spanning
)/(
[Charge-e]
*
Acceptorconcentratie
))
Totale bronparasitaire capaciteit
Gaan
Bron Parasitaire capaciteit
= (
Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron
*
Gebied van bronverspreiding
)+(
Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand
*
Zijwandomtrek van brondiffusie
)
Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI
Gaan
Korte kanaalverzadigingsstroom
=
Kanaalbreedte
*
Verzadiging Elektronendriftsnelheid
*
Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid
*
Verzadigingsafvoer Bronspanning
Junction Current
Gaan
Verbindingsstroom
= (
Statische kracht
/
Basiscollectorspanning
)-(
Subdrempelstroom
+
Betwisting actueel
+
Poortstroom
)
Oppervlakte Potentieel
Gaan
Oppervlaktepotentieel
= 2*
Bron Lichaamspotentieelverschil
*
ln
(
Acceptorconcentratie
/
Intrinsieke concentratie
)
DIBL-coëfficiënt
Gaan
DIBL-coëfficiënt
= (
Drempelspanning DIBL
-
Drempelspanning
)/
Afvoer naar bronpotentieel
Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt
Gaan
Drempelspanning DIBL
=
DIBL-coëfficiënt
*
Afvoer naar bronpotentieel
+
Drempelspanning
Subdrempel Helling
Gaan
Helling onder de drempel
=
Bron Lichaamspotentieelverschil
*
DIBL-coëfficiënt
*
ln
(10)
Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit
Gaan
Poortlengte
=
Poortcapaciteit
/(
Capaciteit van Gate Oxide Layer
*
Poortbreedte
)
Gate-oxidecapaciteit
Gaan
Capaciteit van Gate Oxide Layer
=
Poortcapaciteit
/(
Poortbreedte
*
Poortlengte
)
Poortcapaciteit
Gaan
Poortcapaciteit
=
Kanaalkosten
/(
Poort naar kanaalspanning
-
Drempelspanning
)
Drempelspanning
Gaan
Drempelspanning
=
Poort naar kanaalspanning
-(
Kanaalkosten
/
Poortcapaciteit
)
Kanaallading
Gaan
Kanaalkosten
=
Poortcapaciteit
*(
Poort naar kanaalspanning
-
Drempelspanning
)
Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI
Gaan
Oxidecapaciteit na volledige schaling
=
Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid
*
Schaalfactor
Kritieke spanning
Gaan
Kritische spanning
=
Kritisch elektrisch veld
*
Elektrisch veld over de kanaallengte
Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI
Gaan
Verbindingsdiepte na volledige schaling
=
Verbindingsdiepte
/
Schaalfactor
Intrinsieke poortcapaciteit
Gaan
MOS-poortoverlappingscapaciteit
=
MOS-poortcapaciteit
*
Overgangsbreedte
Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI
Gaan
Gate-oxidedikte na volledige schaling
=
Poortoxidedikte
/
Schaalfactor
Kanaalbreedte na volledige schaling VLSI
Gaan
Kanaalbreedte na volledige schaling
=
Kanaalbreedte
/
Schaalfactor
Kanaallengte na volledige schaling VLSI
Gaan
Kanaallengte na volledige schaling
=
Kanaallengte
/
Schaalfactor
Mobiliteit in Mosfet
Gaan
Mobiliteit in MOSFET
=
K Prime
/
Capaciteit van Gate Oxide Layer
K-Prime
Gaan
K Prime
=
Mobiliteit in MOSFET
*
Capaciteit van Gate Oxide Layer
Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI Formule
Oxidecapaciteit na volledige schaling
=
Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid
*
Schaalfactor
C
oxide
'
=
C
oxide
*
Sf
Huis
VRIJ PDF's
🔍
Zoeken
Categorieën
Delen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!