Калькулятор от А до Я
🔍
Скачать PDF
Химия
Инженерное дело
финансовый
Здоровье
математика
физика
Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС Калькулятор
Инженерное дело
Детская площадка
Здоровье
математика
физика
финансовый
Химия
↳
Электроника
Гражданская
Материаловедение
Механический
Технология производства
Химическая инженерия
Электрические
Электроника и приборы
⤿
Изготовление СБИС
EDC
Аналоговая связь
Аналоговая электроника
Антенна
Беспроводная связь
Волоконно-оптическая передача
Встроенная система
Интегральные схемы (ИС)
Конструкция оптического волокна
Линия передачи и антенна
Оптоэлектронные устройства
Проектирование и применение КМОП
Радиолокационная система
РФ Микроэлектроника
Сигнал и системы
Силовая электроника
Система контроля
Системы коммутации телекоммуникаций
Спутниковая связь
Твердотельные устройства
Телевизионная инженерия
Теория информации и кодирование
Теория СВЧ
Теория электромагнитного поля
Усилители
Цифровая обработка изображений
Цифровая связь
⤿
Оптимизация материалов СБИС
Аналоговая СБИС
✖
Оксидная емкость на единицу площади определяется как емкость на единицу площади изолирующего оксидного слоя, который отделяет металлический затвор от полупроводникового материала.
ⓘ
Оксидная емкость на единицу площади [C
oxide
]
Фарада на квадратный сантиметр
Фарада на квадратный дюйм
Фарада на квадратный метр
Фарада на квадратный микрометр
Фарада на квадратный миллиметр
Фарада на квадратный нанометр
Фемтофарад на квадратный микрометр
Фемтофарада на квадратный нанометр
Микрофарад на квадратный сантиметр
Микрофарад на квадратный дюйм
Микрофарад на квадратный метр
Микрофарад на квадратный микрометр
Микрофарад на квадратный миллиметр
Микрофарад на квадратный нанометр
Нанофарад на квадратный сантиметр
Нанофарад на квадратный метр
Нанофарад на квадратный микрометр
Нанофарад на квадратный миллиметр
Пикофарад на квадратный микрометр
Пикофарад на квадратный нанометр
+10%
-10%
✖
Масштабный коэффициент определяется как соотношение, на которое размеры транзистора изменяются в процессе проектирования.
ⓘ
Коэффициент масштабирования [Sf]
+10%
-10%
✖
Оксидная емкость после полного масштабирования относится к новой емкости после уменьшения размеров МОП-транзистора путем полного масштабирования.
ⓘ
Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС [C
oxide
']
Фарада на квадратный сантиметр
Фарада на квадратный дюйм
Фарада на квадратный метр
Фарада на квадратный микрометр
Фарада на квадратный миллиметр
Фарада на квадратный нанометр
Фемтофарад на квадратный микрометр
Фемтофарада на квадратный нанометр
Микрофарад на квадратный сантиметр
Микрофарад на квадратный дюйм
Микрофарад на квадратный метр
Микрофарад на квадратный микрометр
Микрофарад на квадратный миллиметр
Микрофарад на квадратный нанометр
Нанофарад на квадратный сантиметр
Нанофарад на квадратный метр
Нанофарад на квадратный микрометр
Нанофарад на квадратный миллиметр
Пикофарад на квадратный микрометр
Пикофарад на квадратный нанометр
⎘ копия
Шаги
👎
Формула
✖
Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС
Формула
`("C"_{"oxide"}"'") = "C"_{"oxide"}*"Sf"`
Пример
`"0.10545μF/cm²"="0.0703μF/cm²"*"1.5"`
Калькулятор
LaTeX
сбросить
👍
Скачать Электроника формула PDF
Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС Решение
ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Оксидная емкость после полного масштабирования
=
Оксидная емкость на единицу площади
*
Коэффициент масштабирования
C
oxide
'
=
C
oxide
*
Sf
В этой формуле используются
3
Переменные
Используемые переменные
Оксидная емкость после полного масштабирования
-
(Измеряется в Фарада на квадратный метр)
- Оксидная емкость после полного масштабирования относится к новой емкости после уменьшения размеров МОП-транзистора путем полного масштабирования.
Оксидная емкость на единицу площади
-
(Измеряется в Фарада на квадратный метр)
- Оксидная емкость на единицу площади определяется как емкость на единицу площади изолирующего оксидного слоя, который отделяет металлический затвор от полупроводникового материала.
Коэффициент масштабирования
- Масштабный коэффициент определяется как соотношение, на которое размеры транзистора изменяются в процессе проектирования.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Оксидная емкость на единицу площади:
0.0703 Микрофарад на квадратный сантиметр --> 0.000703 Фарада на квадратный метр
(Проверьте преобразование
здесь
)
Коэффициент масштабирования:
1.5 --> Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
C
oxide
' = C
oxide
*Sf -->
0.000703*1.5
Оценка ... ...
C
oxide
'
= 0.0010545
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.0010545 Фарада на квадратный метр -->0.10545 Микрофарад на квадратный сантиметр
(Проверьте преобразование
здесь
)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.10545 Микрофарад на квадратный сантиметр
<--
Оксидная емкость после полного масштабирования
(Расчет завершен через 00.020 секунд)
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
Изготовление СБИС
»
Оптимизация материалов СБИС
»
Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС
Кредиты
Сделано
Приянка Патель
Инженерный колледж Лалбхай Далпатбхай
(ЛДЦЭ)
,
Ахмедабад
Приянка Патель создал этот калькулятор и еще 25+!
Проверено
Сантош Ядав
Инженерный колледж Даянанды Сагара
(ДСКЭ)
,
Банглор
Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!
<
25 Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы
Плотность заряда области массового истощения СБИС
Идти
Плотность заряда области массового истощения
= -(1-((
Боковая протяженность области истощения с источником
+
Боковая протяженность области истощения с дренажом
)/(2*
Длина канала
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Концентрация акцептора
*
abs
(2*
Поверхностный потенциал
))
Коэффициент эффекта тела
Идти
Коэффициент эффекта тела
=
modulus
((
Пороговое напряжение
-
Пороговое напряжение DIBL
)/(
sqrt
(
Поверхностный потенциал
+(
Разница в потенциале исходного тела
))-
sqrt
(
Поверхностный потенциал
)))
Соединение Встроенное напряжение СБИС
Идти
Встроенное напряжение соединения
= (
[BoltZ]
*
Температура
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Концентрация акцептора
*
Концентрация доноров
/(
Внутренняя концентрация
)^2)
Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС
Идти
Глубина истощения Pn-перехода с источником
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Встроенное напряжение соединения
)/(
[Charge-e]
*
Концентрация акцептора
))
Общая паразитная емкость источника
Идти
Паразитная емкость источника
= (
Емкость между соединением тела и источника
*
Область диффузии источника
)+(
Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой
*
Периметр боковой стенки диффузии источника
)
Ток насыщения короткого канала СБИС
Идти
Ток насыщения короткого канала
=
ширина канала
*
Скорость дрейфа электронов насыщения
*
Оксидная емкость на единицу площади
*
Напряжение источника насыщения, стока
Переходный ток
Идти
Ток перехода
= (
Статическая мощность
/
Базовое напряжение коллектора
)-(
Подпороговый ток
+
Текущий конфликт
+
Ток затвора
)
Поверхностный потенциал
Идти
Поверхностный потенциал
= 2*
Разница в потенциале исходного тела
*
ln
(
Концентрация акцептора
/
Внутренняя концентрация
)
DIBL Коэффициент
Идти
Коэффициент DIBL
= (
Пороговое напряжение DIBL
-
Пороговое напряжение
)/
Сток в источник потенциала
Пороговое напряжение, когда источник соответствует потенциалу тела
Идти
Пороговое напряжение DIBL
=
Коэффициент DIBL
*
Сток в источник потенциала
+
Пороговое напряжение
Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС
Идти
Оксидная емкость после полного масштабирования
=
Оксидная емкость на единицу площади
*
Коэффициент масштабирования
Пороговое напряжение
Идти
Пороговое напряжение
=
Ворота к напряжению канала
-(
Плата за канал
/
Емкость затвора
)
Емкость затвора
Идти
Емкость затвора
=
Плата за канал
/(
Ворота к напряжению канала
-
Пороговое напряжение
)
Плата за канал
Идти
Плата за канал
=
Емкость затвора
*(
Ворота к напряжению канала
-
Пороговое напряжение
)
Подпороговый наклон
Идти
Подпороговый наклон
=
Разница в потенциале исходного тела
*
Коэффициент DIBL
*
ln
(10)
Длина затвора с использованием оксидной емкости затвора
Идти
Длина ворот
=
Емкость затвора
/(
Емкость оксидного слоя затвора
*
Ширина ворот
)
Оксидная емкость затвора
Идти
Емкость оксидного слоя затвора
=
Емкость затвора
/(
Ширина ворот
*
Длина ворот
)
Толщина оксида затвора после полного масштабирования СБИС
Идти
Толщина оксида затвора после полного масштабирования
=
Толщина оксида ворот
/
Коэффициент масштабирования
Глубина соединения после полного масштабирования СБИС
Идти
Глубина соединения после полного масштабирования
=
Глубина соединения
/
Коэффициент масштабирования
Критическое напряжение
Идти
Критическое напряжение
=
Критическое электрическое поле
*
Электрическое поле по длине канала
Ширина канала после полного масштабирования СБИС
Идти
Ширина канала после полного масштабирования
=
ширина канала
/
Коэффициент масштабирования
Длина канала после полного масштабирования СБИС
Идти
Длина канала после полного масштабирования
=
Длина канала
/
Коэффициент масштабирования
Внутренняя емкость затвора
Идти
Емкость перекрытия МОП-затвора
=
Емкость МОП-ворота
*
Ширина перехода
Мобильность в Mosfet
Идти
Мобильность в MOSFET
=
К Прайм
/
Емкость оксидного слоя затвора
K-Prime
Идти
К Прайм
=
Мобильность в MOSFET
*
Емкость оксидного слоя затвора
Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС формула
Оксидная емкость после полного масштабирования
=
Оксидная емкость на единицу площади
*
Коэффициент масштабирования
C
oxide
'
=
C
oxide
*
Sf
Дом
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍
Поиск
Категории
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!