Przesunięcie fazowe w obwodzie wejściowym RC Kalkulator

✖Reaktancja pojemnościowa kondensatora jest odwrotnie proporcjonalna do częstotliwości sygnału prądu przemiennego. Oznacza to, że wraz ze wzrostem częstotliwości reaktancja pojemnościowa maleje.ⓘ Reaktancja pojemnościowa [X_c]			+10% -10%
✖Rezystancja wejściowa jest przeciwieństwem przepływu prądu w obwodzie elektrycznym. Mierzy się go w omach (Ω). Im wyższy opór, tym większy opór dla przepływu prądu.ⓘ Rezystancja wejściowa [R_in]			+10% -10%

✖Przesunięcie fazowe to poziome przemieszczenie przebiegu względem jego pierwotnego położenia. Jest mierzona w stopniach lub radianach i może być dodatnia lub ujemna.ⓘ Przesunięcie fazowe w obwodzie wejściowym RC [θ]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Przesunięcie fazowe w obwodzie wejściowym RC

Formuła

`"θ" = arctan("X"_{"c"}/"R"_{"in"})`

Przykład

`"0.000573°"=arctan("0.002Ω"/"200Ω")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Przesunięcie fazowe w obwodzie wejściowym RC Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Przesunięcie fazowe = arctan(Reaktancja pojemnościowa/Rezystancja wejściowa)
θ = arctan(X_c/R_in)
Ta formuła używa 3 Funkcje, 3 Zmienne

Używane funkcje

tan - Tangens kąta to trygonometryczny stosunek długości boku leżącego naprzeciw kąta do długości boku sąsiadującego z kątem w trójkącie prostokątnym., tan(Angle)
ctan - Cotangens jest funkcją trygonometryczną zdefiniowaną jako stosunek boku sąsiedniego do boku przeciwnego w trójkącie prostokątnym., ctan(Angle)
arctan - Odwrotnym funkcjom trygonometrycznym zwykle towarzyszy przedrostek - arc. Matematycznie reprezentujemy arctan lub odwrotną funkcję tangensa jako tan-1 x lub arctan(x)., arctan(Number)

Używane zmienne

Przesunięcie fazowe - (Mierzone w Radian) - Przesunięcie fazowe to poziome przemieszczenie przebiegu względem jego pierwotnego położenia. Jest mierzona w stopniach lub radianach i może być dodatnia lub ujemna.
Reaktancja pojemnościowa - (Mierzone w Om) - Reaktancja pojemnościowa kondensatora jest odwrotnie proporcjonalna do częstotliwości sygnału prądu przemiennego. Oznacza to, że wraz ze wzrostem częstotliwości reaktancja pojemnościowa maleje.
Rezystancja wejściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wejściowa jest przeciwieństwem przepływu prądu w obwodzie elektrycznym. Mierzy się go w omach (Ω). Im wyższy opór, tym większy opór dla przepływu prądu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Reaktancja pojemnościowa: 0.002 Om --> 0.002 Om Nie jest wymagana konwersja
Rezystancja wejściowa: 200 Om --> 200 Om Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

θ = arctan(X_c/R_in) --> arctan(0.002/200)

Ocenianie ... ...

θ = 9.99999999966667E-06

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

9.99999999966667E-06 Radian -->0.000572957795111833 Stopień (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.000572957795111833 ≈ 0.000573 Stopień <-- Przesunięcie fazowe

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości » Przesunięcie fazowe w obwodzie wejściowym RC

Kredyty

Stworzone przez Suma Madhuri

Uniwersytet VIT (WIT), Chennai

Suma Madhuri utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< 15 Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości Kalkulatory

Przewodnictwo kanału tranzystorów MOSFET

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*Napięcie na tlenku

Częstotliwość przejścia MOSFET

Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Wielkość ładunku elektronowego w kanale MOSFET

Iść Ładunek elektronowy w kanale = Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Długość kanału*Efektywne napięcie

Przesunięcie fazowe w wyjściowym obwodzie RC

Iść Przesunięcie fazowe = arctan(Reaktancja pojemnościowa/(Opór+Odporność na obciążenie))

Niższa częstotliwość krytyczna Mosfeta

Iść Częstotliwość narożna = 1/(2*pi*(Opór+Rezystancja wejściowa)*Pojemność)

Wyjściowa pojemność Millera Mosfet

Iść Wyjściowa pojemność Millera = Pojemność bramowo-drenowa*((Wzmocnienie napięcia+1)/Wzmocnienie napięcia)

Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET

Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)

Całkowita pojemność między bramką a kanałem tranzystorów MOSFET

Iść Pojemność kanału bramkowego = Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Długość kanału

Pokrywająca się pojemność MOSFET-u

Iść Pojemność nakładania się = Szerokość kanału*Pojemność tlenkowa*Długość zakładki

Przesunięcie fazowe w obwodzie wejściowym RC

Iść Przesunięcie fazowe = arctan(Reaktancja pojemnościowa/Rezystancja wejściowa)

Częstotliwość krytyczna w obwodzie wejściowym RC wysokiej częstotliwości

Iść Częstotliwość narożna = 1/(2*pi*Rezystancja wejściowa*Pojemność Millera)

Reaktancja pojemnościowa Mosfeta

Iść Reaktancja pojemnościowa = 1/(2*pi*Częstotliwość*Pojemność)

Częstotliwość krytyczna Mosfeta

Iść Częstotliwość krytyczna w decyblach = 10*log10(Częstotliwość krytyczna)

Pojemność Millera Mosfeta

Iść Pojemność Millera = Pojemność bramowo-drenowa*(Wzmocnienie napięcia+1)

Tłumienie obwodu RC

Iść Osłabienie = Napięcie podstawowe/Napięcie wejściowe

Przesunięcie fazowe w obwodzie wejściowym RC Formułę

Przesunięcie fazowe = arctan(Reaktancja pojemnościowa/Rezystancja wejściowa)
θ = arctan(X_c/R_in)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!