Częstotliwość przejścia MOSFET Kalkulator

✖Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.ⓘ Transkonduktancja [g_m]			+10% -10%
✖Pojemność bramki źródła jest miarą pojemności pomiędzy elektrodą źródła i bramki w tranzystorze polowym (FET).ⓘ Pojemność bramki źródłowej [C_sg]			+10% -10%
✖Pojemność bramka-dren to pojemność pasożytnicza występująca pomiędzy elektrodą bramkową i drenową tranzystora polowego (FET).ⓘ Pojemność bramowo-drenowa [C_gd]			+10% -10%

✖Częstotliwość przejścia to termin opisujący szybkość lub częstotliwość, z jaką następuje zmiana lub przejście z jednego stanu do drugiego.ⓘ Częstotliwość przejścia MOSFET [f_t]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Częstotliwość przejścia MOSFET

Formuła

`"f"_{"t"} = "g"_{"m"}/(2*pi*("C"_{"sg"}+"C"_{"gd"}))`

Przykład

`"5.249174Hz"="0.5mS"/(2*pi*("8.16μF"+"7μF"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Częstotliwość przejścia MOSFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))
f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd))
Ta formuła używa 1 Stałe, 4 Zmienne

Używane stałe

pi - Stała Archimedesa Wartość przyjęta jako 3.14159265358979323846264338327950288

Używane zmienne

Częstotliwość przejścia - (Mierzone w Herc) - Częstotliwość przejścia to termin opisujący szybkość lub częstotliwość, z jaką następuje zmiana lub przejście z jednego stanu do drugiego.
Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.
Pojemność bramki źródłowej - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki źródła jest miarą pojemności pomiędzy elektrodą źródła i bramki w tranzystorze polowym (FET).
Pojemność bramowo-drenowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramka-dren to pojemność pasożytnicza występująca pomiędzy elektrodą bramkową i drenową tranzystora polowego (FET).

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Transkonduktancja: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność bramki źródłowej: 8.16 Mikrofarad --> 8.16E-06 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność bramowo-drenowa: 7 Mikrofarad --> 7E-06 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd)) --> 0.0005/(2*pi*(8.16E-06+7E-06))

Ocenianie ... ...

f_t = 5.24917358482504

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

5.24917358482504 Herc --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

5.24917358482504 ≈ 5.249174 Herc <-- Częstotliwość przejścia

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości » Częstotliwość przejścia MOSFET

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< 15 Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości Kalkulatory

Przewodnictwo kanału tranzystorów MOSFET

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*Napięcie na tlenku

Częstotliwość przejścia MOSFET

Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Wielkość ładunku elektronowego w kanale MOSFET

Iść Ładunek elektronowy w kanale = Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Długość kanału*Efektywne napięcie

Przesunięcie fazowe w wyjściowym obwodzie RC

Iść Przesunięcie fazowe = arctan(Reaktancja pojemnościowa/(Opór+Odporność na obciążenie))

Niższa częstotliwość krytyczna Mosfeta

Iść Częstotliwość narożna = 1/(2*pi*(Opór+Rezystancja wejściowa)*Pojemność)

Wyjściowa pojemność Millera Mosfet

Iść Wyjściowa pojemność Millera = Pojemność bramowo-drenowa*((Wzmocnienie napięcia+1)/Wzmocnienie napięcia)

Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET

Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)

Całkowita pojemność między bramką a kanałem tranzystorów MOSFET

Iść Pojemność kanału bramkowego = Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Długość kanału

Pokrywająca się pojemność MOSFET-u

Iść Pojemność nakładania się = Szerokość kanału*Pojemność tlenkowa*Długość zakładki

Przesunięcie fazowe w obwodzie wejściowym RC

Iść Przesunięcie fazowe = arctan(Reaktancja pojemnościowa/Rezystancja wejściowa)

Częstotliwość krytyczna w obwodzie wejściowym RC wysokiej częstotliwości

Iść Częstotliwość narożna = 1/(2*pi*Rezystancja wejściowa*Pojemność Millera)

Reaktancja pojemnościowa Mosfeta

Iść Reaktancja pojemnościowa = 1/(2*pi*Częstotliwość*Pojemność)

Częstotliwość krytyczna Mosfeta

Iść Częstotliwość krytyczna w decyblach = 10*log10(Częstotliwość krytyczna)

Pojemność Millera Mosfeta

Iść Pojemność Millera = Pojemność bramowo-drenowa*(Wzmocnienie napięcia+1)

Tłumienie obwodu RC

Iść Osłabienie = Napięcie podstawowe/Napięcie wejściowe

< 15 Charakterystyka MOSFET-u Kalkulatory

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Wzmocnienie napięcia przy danej rezystancji obciążenia MOSFET

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*(1/(1/Odporność na obciążenie+1/Rezystancja wyjściowa))/(1+Transkonduktancja*Opór źródła)

Częstotliwość przejścia MOSFET

Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Maksymalne wzmocnienie napięcia w punkcie polaryzacji

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = 2*(Napięcie zasilania-Efektywne napięcie)/(Efektywne napięcie)

Wzmocnienie napięcia za pomocą małego sygnału

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*1/(1/Odporność na obciążenie+1/Skończony opór)

Wzmocnienie napięcia przy danym napięciu drenu

Iść Wzmocnienie napięcia = (Prąd spustowy*Odporność na obciążenie*2)/Efektywne napięcie

Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET

Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)

Wpływ ciała na transkonduktancję

Iść Transkonduktancja ciała = Zmiana wartości progowej na napięcie podstawowe*Transkonduktancja

Napięcie polaryzacji MOSFET-u

Iść Całkowite chwilowe napięcie polaryzacji = Napięcie polaryzacji DC+Napięcie prądu stałego

Maksymalne wzmocnienie napięcia przy wszystkich napięciach

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = (Napięcie zasilania-0.3)/Napięcie termiczne

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET

Iść Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia

Współczynnik wzmocnienia w modelu małego sygnału MOSFET

Iść Współczynnik wzmocnienia = Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa

Transprzewodnictwo w MOSFET-ie

Iść Transkonduktancja = (2*Prąd spustowy)/Napięcie przesterowania

Napięcie progowe MOSFET-u

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u

Iść Przewodnictwo kanału = 1/Opór liniowy

Częstotliwość przejścia MOSFET Formułę

Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))
f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd))

Dlaczego MOSFET jest używany w aplikacjach o wysokiej częstotliwości?

Tranzystory MOSFET mogą działać przy wysokich częstotliwościach, mogą wykonywać aplikacje szybkiego przełączania z niewielkimi stratami przy wyłączaniu. W porównaniu z tranzystorem IGBT, tranzystor MOSFET mocy ma zalety większej szybkości komutacji i większej wydajności podczas pracy przy niskim napięciu.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!