Phasenverschiebung im Eingangs-RC-Schaltkreis Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/Eingangswiderstand)
θ = arctan(Xc/Rin)
Diese formel verwendet 3 Funktionen, 3 Variablen
Verwendete Funktionen
tan - Der Tangens eines Winkels ist ein trigonometrisches Verhältnis der Länge der einem Winkel gegenüberliegenden Seite zur Länge der einem Winkel benachbarten Seite in einem rechtwinkligen Dreieck., tan(Angle)
ctan - Der Kotangens ist eine trigonometrische Funktion, die als das Verhältnis der benachbarten Seite zur gegenüberliegenden Seite in einem rechtwinkligen Dreieck definiert ist., ctan(Angle)
arctan - Inverse trigonometrische Funktionen werden normalerweise vom Präfix arc begleitet. Mathematisch stellen wir Arctan oder die Umkehrtangensfunktion als tan-1 x oder Arctan(x) dar., arctan(Number)
Verwendete Variablen
Phasenverschiebung - (Gemessen in Bogenmaß) - Phasenverschiebung ist die horizontale Verschiebung einer Wellenform relativ zu ihrer ursprünglichen Position. Sie wird in Grad oder Bogenmaß gemessen und kann entweder positiv oder negativ sein.
Kapazitive Reaktanz - (Gemessen in Ohm) - Die kapazitive Reaktanz eines Kondensators ist umgekehrt proportional zur Frequenz des Wechselstromsignals. Das bedeutet, dass mit zunehmender Frequenz die kapazitive Reaktanz abnimmt.
Eingangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Eingangswiderstand ist der Widerstand gegen den Stromfluss in einem Stromkreis. Sie wird in Ohm (Ω) gemessen. Je höher der Widerstand, desto größer ist der Widerstand gegen den Stromfluss.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Kapazitive Reaktanz: 0.002 Ohm --> 0.002 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Eingangswiderstand: 200 Ohm --> 200 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
θ = arctan(Xc/Rin) --> arctan(0.002/200)
Auswerten ... ...
θ = 9.99999999966667E-06
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
9.99999999966667E-06 Bogenmaß -->0.000572957795111833 Grad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.000572957795111833 0.000573 Grad <-- Phasenverschiebung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Suma Madhuri
VIT-Universität (VIT), Chennai
Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

15 Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Leitwert des Kanals von MOSFETs
​ Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*(Kanalbreite/Kanallänge)*Spannung über Oxid
Größe der Elektronenladung im Kanal des MOSFET
​ Gehen Elektronenladung im Kanal = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge*Effektive Spannung
Übergangsfrequenz des MOSFET
​ Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis
​ Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/(Widerstand+Lastwiderstand))
Untere kritische Frequenz des Mosfet
​ Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*(Widerstand+Eingangswiderstand)*Kapazität)
Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET
​ Gehen Ausgangs-Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*((Spannungsverstärkung+1)/Spannungsverstärkung)
Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET
​ Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)
Phasenverschiebung im Eingangs-RC-Schaltkreis
​ Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/Eingangswiderstand)
Überlappungskapazität des MOSFET
​ Gehen Überlappungskapazität = Kanalbreite*Oxidkapazität*Überlappungslänge
Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang
​ Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*Eingangswiderstand*Miller-Kapazität)
Gesamtkapazität zwischen Gate und Kanal von MOSFETs
​ Gehen Gate-Kanalkapazität = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge
Kapazitive Reaktanz von Mosfet
​ Gehen Kapazitive Reaktanz = 1/(2*pi*Frequenz*Kapazität)
Miller-Kapazität von Mosfet
​ Gehen Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*(Spannungsverstärkung+1)
Kritische Frequenz von Mosfet
​ Gehen Kritische Frequenz in Dezibel = 10*log10(Kritische Frequenz)
Dämpfung des RC-Schaltkreises
​ Gehen Dämpfung = Basisspannung/Eingangsspannung

Phasenverschiebung im Eingangs-RC-Schaltkreis Formel

Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/Eingangswiderstand)
θ = arctan(Xc/Rin)
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