Napięcie odstraszacza Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Napięcie odrzutnika = sqrt((8*Częstotliwość kątowa^2*Długość przestrzeni dryfu^2*Małe napięcie wiązki)/((2*pi*Liczba oscylacji)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Małe napięcie wiązki
Vr = sqrt((8*ω^2*Lds^2*Vo)/((2*pi*M)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Vo
Ta formuła używa 3 Stałe, 1 Funkcje, 5 Zmienne
Używane stałe
[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19
[Mass-e] - Masa elektronu Wartość przyjęta jako 9.10938356E-31
pi - Stała Archimedesa Wartość przyjęta jako 3.14159265358979323846264338327950288
Używane funkcje
sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)
Używane zmienne
Napięcie odrzutnika - (Mierzone w Wolt) - Napięcie odrzutnika odnosi się do napięcia przyłożonego do elektrody odrzutnika w rurze próżniowej. Napięcie odrzutnika jest zazwyczaj ujemne w stosunku do napięcia katody.
Częstotliwość kątowa - (Mierzone w Radian na sekundę) - Częstotliwość kątowa stale powtarzającego się zjawiska wyrażona w radianach na sekundę.
Długość przestrzeni dryfu - (Mierzone w Metr) - Długość przestrzeni dryfu odnosi się do odległości pomiędzy dwoma kolejnymi skupiskami naładowanych cząstek w akceleratorze cząstek lub systemie transportu wiązki.
Małe napięcie wiązki - (Mierzone w Wolt) - Napięcie małej wiązki to napięcie przyłożone do wiązki elektronów w lampie próżniowej lub innym urządzeniu elektronicznym w celu przyspieszenia elektronów oraz kontrolowania ich prędkości i energii.
Liczba oscylacji - Liczba oscylacji odnosi się do występowania oscylacji.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Częstotliwość kątowa: 790000000 Radian na sekundę --> 790000000 Radian na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Długość przestrzeni dryfu: 71.7 Metr --> 71.7 Metr Nie jest wymagana konwersja
Małe napięcie wiązki: 13 Wolt --> 13 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Liczba oscylacji: 4 --> Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Vr = sqrt((8*ω^2*Lds^2*Vo)/((2*pi*M)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Vo --> sqrt((8*790000000^2*71.7^2*13)/((2*pi*4)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-13
Ocenianie ... ...
Vr = 58444.6132901852
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
58444.6132901852 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
58444.6132901852 58444.61 Wolt <-- Napięcie odrzutnika
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

23 Rurka wiązki Kalkulatory

Napięcie mikrofalowe w szczelinie Bunchera
​ Iść Napięcie mikrofalowe w szczelinie Bunchera = (Amplituda sygnału/(Częstotliwość kątowa napięcia mikrofalowego*Średni czas tranzytu))*(cos(Częstotliwość kątowa napięcia mikrofalowego*Wprowadzanie czasu)-cos(Rezonansowa częstotliwość kątowa+(Częstotliwość kątowa napięcia mikrofalowego*Odległość szczeliny Buncher'a)/Prędkość elektronu))
Moc wyjściowa RF
​ Iść Moc wyjściowa RF = Moc wejściowa RF*exp(-2*Stała tłumienia RF*Długość obwodu RF)+int((Wygenerowana moc RF/Długość obwodu RF)*exp(-2*Stała tłumienia RF*(Długość obwodu RF-x)),x,0,Długość obwodu RF)
Wzmocnienie mocy dwuwnękowego wzmacniacza klistronowego
​ Iść Wzmocnienie mocy dwuwnękowego wzmacniacza klistronowego = (1/4)*(((Prąd zbiorczy katod*Częstotliwość kątowa)/(Napięcie zbiorcze katody*Zmniejszona częstotliwość plazmy))^2)*(Współczynnik sprzężenia belki^4)*Całkowita rezystancja bocznikowa wnęki wejściowej*Całkowita rezystancja bocznikowa wnęki wyjściowej
Napięcie odstraszacza
​ Iść Napięcie odrzutnika = sqrt((8*Częstotliwość kątowa^2*Długość przestrzeni dryfu^2*Małe napięcie wiązki)/((2*pi*Liczba oscylacji)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Małe napięcie wiązki
Impedancja charakterystyczna linii koncentrycznej
​ Iść Impedancja charakterystyczna kabla koncentrycznego = (1/(2*pi))*(sqrt(Względna przepuszczalność/Przepuszczalność dielektryka))*ln(Zewnętrzny promień przewodnika/Wewnętrzny promień przewodnika)
Prędkość fazowa w kierunku osiowym
​ Iść Prędkość fazowa w kierunku osiowym = Skok Helixa/(sqrt(Względna przepuszczalność*Przepuszczalność dielektryka*((Skok Helixa^2)+(pi*Średnica helisy)^2)))
Całkowite wyczerpanie systemu WDM
​ Iść Całkowite wyczerpanie systemu WDM = sum(x,2,Liczba kanałów,Współczynnik wzmocnienia Ramana*Moc kanału*Efektywna długość/Obszar efektywny)
Średnia strata mocy w rezonatorze
​ Iść Średnia strata mocy w rezonatorze = (Rezystancja powierzchniowa rezonatora/2)*(int(((Wartość szczytowa stycznego natężenia magnetycznego)^2)*x,x,0,Promień rezonatora))
Częstotliwość plazmy
​ Iść Częstotliwość plazmy = sqrt(([Charge-e]*Gęstość ładunku elektronów prądu stałego)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Całkowita energia zmagazynowana w rezonatorze
​ Iść Całkowita energia zmagazynowana w rezonatorze = int((Przepuszczalność medium/2*Natężenie pola elektrycznego^2)*x,x,0,Głośność rezonatora)
Głębokość skóry
​ Iść Głębokość skóry = sqrt(Oporność/(pi*Względna przepuszczalność*Częstotliwość))
Częstotliwość nośna w linii widmowej
​ Iść Częstotliwość nośna = Częstotliwość linii widmowej-Liczba przykładów*Częstotliwość powtórzeń
Całkowita gęstość prądu wiązki elektronów
​ Iść Całkowita gęstość prądu wiązki elektronów = -Gęstość prądu wiązki prądu stałego+Natychmiastowe zakłócenia prądu wiązki RF
Całkowita prędkość elektronów
​ Iść Całkowita prędkość elektronów = Prędkość elektronów prądu stałego+Chwilowe zaburzenie prędkości elektronów
Zmniejszona częstotliwość plazmy
​ Iść Zmniejszona częstotliwość plazmy = Częstotliwość plazmy*Współczynnik redukcji ładunku kosmicznego
Całkowita gęstość ładunku
​ Iść Całkowita gęstość ładunku = -Gęstość ładunku elektronów prądu stałego+Chwilowa gęstość ładunku RF
Maksymalne wzmocnienie napięcia przy rezonansie
​ Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia przy rezonansie = Transkonduktancja/Przewodnictwo
Zasilanie uzyskiwane z zasilacza prądu stałego
​ Iść Zasilacz = Moc generowana w obwodzie anodowym/Wydajność elektroniczna
Moc generowana w obwodzie anodowym
​ Iść Moc generowana w obwodzie anodowym = Zasilacz*Wydajność elektroniczna
Utrata zwrotu
​ Iść Strata zwrotu = -20*log10(Współczynnik odbicia)
Prostokątna moc szczytowa impulsu mikrofalowego
​ Iść Moc szczytowa impulsu = Średnia moc/Cykl pracy
Zasilanie prądem zmiennym dostarczane przez napięcie wiązki
​ Iść Zasilanie sieciowe = (Napięcie*Aktualny)/2
Zasilanie prądem stałym dostarczane przez napięcie wiązki
​ Iść Zasilacz = Napięcie*Aktualny

Napięcie odstraszacza Formułę

Napięcie odrzutnika = sqrt((8*Częstotliwość kątowa^2*Długość przestrzeni dryfu^2*Małe napięcie wiązki)/((2*pi*Liczba oscylacji)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Małe napięcie wiązki
Vr = sqrt((8*ω^2*Lds^2*Vo)/((2*pi*M)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Vo

Jakie jest znaczenie napięcia odrzutnika?

Napięcie odrzutnika jest istotne dla kontrolowania przyspieszenia i skupienia wiązki elektronów. Elektroda odpychająca, umieszczona pomiędzy katodą i anodą, odgrywa kluczową rolę w określaniu prędkości i energii emitowanych elektronów.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!