Napięcie progowe krótkiego kanału VLSI Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Optymalizacja materiałów VLSI

Konstrukcja analogowa VLSI

✖Napięcie progowe zerowego obciążenia ciała jest zdefiniowane jako napięcie progowe tranzystora MOSFET, gdy potencjał podłoża jest zerowy.ⓘ Zerowe napięcie progowe odchylenia korpusu [V_T0]			+10% -10%
✖Redukcję napięcia progowego krótkiego kanału definiuje się jako zmniejszenie napięcia progowego tranzystora MOSFET w wyniku efektu krótkiego kanału.ⓘ Redukcja napięcia progowego krótkiego kanału [ΔV_T0]			+10% -10%

✖Napięcie progowe krótkiego kanału definiuje się jako wymagane napięcie bramki po zmniejszeniu wymiarów MOSFET-a poprzez skalowanie.ⓘ Napięcie progowe krótkiego kanału VLSI [V_{T0(short channel)}]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Napięcie progowe krótkiego kanału VLSI

Formuła

`"V"_{"T0(short channel)"} = "V"_{"T0"}-"ΔV"_{"T0"}`

Przykład

`"0.395V"="0.855V"-"0.46V"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Napięcie progowe krótkiego kanału VLSI Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie progowe krótkiego kanału = Zerowe napięcie progowe odchylenia korpusu-Redukcja napięcia progowego krótkiego kanału
V_{T0(short channel)} = V_T0-ΔV_T0
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Napięcie progowe krótkiego kanału - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe krótkiego kanału definiuje się jako wymagane napięcie bramki po zmniejszeniu wymiarów MOSFET-a poprzez skalowanie.
Zerowe napięcie progowe odchylenia korpusu - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe zerowego obciążenia ciała jest zdefiniowane jako napięcie progowe tranzystora MOSFET, gdy potencjał podłoża jest zerowy.
Redukcja napięcia progowego krótkiego kanału - (Mierzone w Wolt) - Redukcję napięcia progowego krótkiego kanału definiuje się jako zmniejszenie napięcia progowego tranzystora MOSFET w wyniku efektu krótkiego kanału.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Zerowe napięcie progowe odchylenia korpusu: 0.855 Wolt --> 0.855 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Redukcja napięcia progowego krótkiego kanału: 0.46 Wolt --> 0.46 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_{T0(short channel)} = V_T0-ΔV_T0 --> 0.855-0.46

Ocenianie ... ...

V_{T0(short channel)} = 0.395

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.395 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.395 Wolt <-- Napięcie progowe krótkiego kanału

(Obliczenie zakończone za 00.007 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Produkcja VLSI » Optymalizacja materiałów VLSI » Napięcie progowe krótkiego kanału VLSI

Kredyty

Stworzone przez Priyanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College of Engineering (LDCE), Ahmadabad

Priyanka Patel utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 25 Optymalizacja materiałów VLSI Kalkulatory

Gęstość ładunku w regionie wyczerpania zbiorczego VLSI

Iść Gęstość ładunku w obszarze wyczerpania zbiorczego = -(1-((Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem+Boczny zasięg obszaru wyczerpania z drenażem)/(2*Długość kanału)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Stężenie akceptora*abs(2*Potencjał powierzchni))

Współczynnik efektu ciała

Iść Współczynnik efektu ciała = modulus((Próg napięcia-Napięcie progowe DIBL)/(sqrt(Potencjał powierzchni+(Różnica potencjałów ciała źródłowego))-sqrt(Potencjał powierzchni)))

Głębokość wyczerpania złącza PN ze źródłem VLSI

Iść Głębokość wyczerpania złącza Pn ze źródłem = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Złącze wbudowane w napięcie)/([Charge-e]*Stężenie akceptora))

Złącze wbudowane napięcie VLSI

Iść Złącze wbudowane w napięcie = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Stężenie akceptora*Stężenie dawcy/(Wewnętrzna koncentracja)^2)

Całkowita pojemność pasożytnicza źródła

Iść Źródło pojemności pasożytniczej = (Pojemność pomiędzy złączem ciała i źródła*Obszar dyfuzji źródła)+(Pojemność pomiędzy połączeniem korpusu i ścianą boczną*Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji)

Prąd nasycenia krótkiego kanału VLSI

Iść Prąd nasycenia krótkiego kanału = Szerokość kanału*Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu*Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni*Napięcie źródła drenażu nasycenia

Prąd złącza

Iść Prąd złącza = (Moc statyczna/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd podprogowy+Aktualna rywalizacja+Prąd bramki)

Potencjał powierzchniowy

Iść Potencjał powierzchni = 2*Różnica potencjałów ciała źródłowego*ln(Stężenie akceptora/Wewnętrzna koncentracja)

Współczynnik DIBL

Iść Współczynnik DIBL = (Napięcie progowe DIBL-Próg napięcia)/Drenaż do potencjału źródłowego

Napięcie progowe, gdy źródło ma potencjał ciała

Iść Napięcie progowe DIBL = Współczynnik DIBL*Drenaż do potencjału źródłowego+Próg napięcia

Nachylenie podprogowe

Iść Nachylenie podprogu = Różnica potencjałów ciała źródłowego*Współczynnik DIBL*ln(10)

Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki

Iść Długość bramy = Pojemność bramki/(Pojemność warstwy tlenku bramki*Szerokość bramy)

Pojemność tlenkowa bramki

Iść Pojemność warstwy tlenku bramki = Pojemność bramki/(Szerokość bramy*Długość bramy)

Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu = Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni*Współczynnik skalowania

Pojemność bramki

Iść Pojemność bramki = Opłata za kanał/(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)

Opłata za kanał

Iść Opłata za kanał = Pojemność bramki*(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)

Próg napięcia

Iść Próg napięcia = Napięcie bramki do kanału-(Opłata za kanał/Pojemność bramki)

Grubość tlenku bramki po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Grubość tlenku bramki po pełnym skalowaniu = Grubość tlenku bramki/Współczynnik skalowania

Głębokość połączenia po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Głębokość połączenia po pełnym skalowaniu = Głębokość połączenia/Współczynnik skalowania

Krytyczne napięcie

Iść Napięcie krytyczne = Krytyczne pole elektryczne*Pole elektryczne na długości kanału

Szerokość kanału po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Szerokość kanału po pełnym skalowaniu = Szerokość kanału/Współczynnik skalowania

Wewnętrzna pojemność bramki

Iść Pojemność nakładania się bramki MOS = Pojemność bramki MOS*Szerokość przejścia

Długość kanału po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Długość kanału po pełnym skalowaniu = Długość kanału/Współczynnik skalowania

Mobilność w Mosfecie

Iść Mobilność w MOSFET-ie = K. Premier/Pojemność warstwy tlenku bramki

K-Prime

Iść K. Premier = Mobilność w MOSFET-ie*Pojemność warstwy tlenku bramki

Napięcie progowe krótkiego kanału VLSI Formułę

Napięcie progowe krótkiego kanału = Zerowe napięcie progowe odchylenia korpusu-Redukcja napięcia progowego krótkiego kanału
V_{T0(short channel)} = V_T0-ΔV_T0

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!