Tensione di soglia canale corto VLSI calcolatrice

↳

Elettronica

Civile

Elettrico

Elettronica e strumentazione

Ingegneria Chimica

Ingegneria di produzione

Meccanico

Scienza dei materiali

⤿

Ottimizzazione dei materiali VLSI

Progettazione VLSI analogica

✖La tensione di soglia di polarizzazione del corpo zero è definita come la tensione di soglia del MOSFET quando il substrato è a potenziale zero.ⓘ Tensione di soglia polarizzazione zero del corpo [V_T0]			+10% -10%
✖La riduzione della tensione di soglia a canale corto è definita come una riduzione della tensione di soglia del MOSFET dovuta all'effetto del canale corto.ⓘ Riduzione della tensione di soglia a canale corto [ΔV_T0]			+10% -10%

✖La tensione di soglia a canale corto è definita come la tensione di gate richiesta dopo la riduzione delle dimensioni del MOSFET mediante ridimensionamento.ⓘ Tensione di soglia canale corto VLSI [V_{T0(short channel)}]

⎘ Copia

👎

Formula

✖

Tensione di soglia canale corto VLSI

Formula

`"V"_{"T0(short channel)"} = "V"_{"T0"}-"ΔV"_{"T0"}`

Esempio

`"0.395V"="0.855V"-"0.46V"`

Calcolatrice

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento Elettronica Formula PDF PDF Image

Tensione di soglia canale corto VLSI Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione di soglia a canale corto = Tensione di soglia polarizzazione zero del corpo-Riduzione della tensione di soglia a canale corto
V_{T0(short channel)} = V_T0-ΔV_T0
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Tensione di soglia a canale corto - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia a canale corto è definita come la tensione di gate richiesta dopo la riduzione delle dimensioni del MOSFET mediante ridimensionamento.
Tensione di soglia polarizzazione zero del corpo - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia di polarizzazione del corpo zero è definita come la tensione di soglia del MOSFET quando il substrato è a potenziale zero.
Riduzione della tensione di soglia a canale corto - (Misurato in Volt) - La riduzione della tensione di soglia a canale corto è definita come una riduzione della tensione di soglia del MOSFET dovuta all'effetto del canale corto.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione di soglia polarizzazione zero del corpo: 0.855 Volt --> 0.855 Volt Nessuna conversione richiesta
Riduzione della tensione di soglia a canale corto: 0.46 Volt --> 0.46 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_{T0(short channel)} = V_T0-ΔV_T0 --> 0.855-0.46

Valutare ... ...

V_{T0(short channel)} = 0.395

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.395 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.395 Volt <-- Tensione di soglia a canale corto

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » Fabbricazione VLSI » Ottimizzazione dei materiali VLSI » Tensione di soglia canale corto VLSI

Titoli di coda

Creato da Priyanka Patel

Facoltà di ingegneria Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 25 Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Densità di carica della regione di esaurimento di massa VLSI

Partire Densità di carica della regione di esaurimento di massa = -(1-((Estensione laterale della regione di esaurimento con la sorgente+Estensione laterale della regione di esaurimento con drenaggio)/(2*Lunghezza del canale)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentrazione dell'accettore*abs(2*Potenziale di superficie))

Coefficiente di effetto corporeo

Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI

Partire Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensione incorporata di giunzione)/([Charge-e]*Concentrazione dell'accettore))

Tensione incorporata di giunzione VLSI

Partire Tensione incorporata di giunzione = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori/(Concentrazione intrinseca)^2)

Capacità parassita della sorgente totale

Partire Capacità parassita della sorgente = (Capacità tra giunzione del corpo e sorgente*Area di diffusione della sorgente)+(Capacità tra la giunzione del corpo e la parete laterale*Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente)

Corrente di saturazione del canale corto VLSI

Partire Corrente di saturazione del canale corto = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*Capacità di ossido per unità di area*Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione

Corrente di giunzione

Partire Corrente di giunzione = (Potenza statica/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente del cancello)

Potenziale di superficie

Partire Potenziale di superficie = 2*Differenza di potenziale del corpo sorgente*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca)

Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate

Partire Lunghezza del cancello = Capacità del cancello/(Capacità dello strato di ossido di gate*Larghezza del cancello)

Capacità dell'ossido di gate

Partire Capacità dello strato di ossido di gate = Capacità del cancello/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)

Coefficiente DIBL

Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Tensione di soglia quando la sorgente è al potenziale corporeo

Partire Tensione di soglia DIBL = Coefficiente DIBL*Drenare al potenziale di origine+Soglia di voltaggio

Pendenza sottosoglia

Partire Pendenza sottosoglia = Differenza di potenziale del corpo sorgente*Coefficiente DIBL*ln(10)

Soglia di voltaggio

Partire Soglia di voltaggio = Voltaggio da gate a canale-(Carica del canale/Capacità del cancello)

Capacità del gate

Partire Capacità del cancello = Carica del canale/(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Channel Charge

Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo = Capacità di ossido per unità di area*Fattore di scala

Profondità di giunzione dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Profondità della giunzione dopo il ridimensionamento completo = Profondità di giunzione/Fattore di scala

Spessore dell'ossido di gate dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Spessore dell'ossido di gate dopo la scalatura completa = Spessore dell'ossido di gate/Fattore di scala

Lunghezza del canale dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Lunghezza del canale dopo il ridimensionamento completo = Lunghezza del canale/Fattore di scala

Larghezza del canale dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Larghezza del canale dopo il ridimensionamento completo = Larghezza del canale/Fattore di scala

Tensione critica

Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Capacità intrinseca di gate

Partire Capacità di sovrapposizione del gate MOS = Capacità del gate MOS*Larghezza di transizione

Mobilità in Mosfet

Partire Mobilità nei MOSFET = K Primo/Capacità dello strato di ossido di gate

K-Prime

Partire K Primo = Mobilità nei MOSFET*Capacità dello strato di ossido di gate

Tensione di soglia canale corto VLSI Formula

Tensione di soglia a canale corto = Tensione di soglia polarizzazione zero del corpo-Riduzione della tensione di soglia a canale corto
V_{T0(short channel)} = V_T0-ΔV_T0

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!