Calculadora A a Z
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Calculadora Voltaje de umbral de canal corto VLSI
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Optimización de materiales VLSI
Diseño VLSI analógico
✖
El voltaje de umbral de polarización de cuerpo cero se define como el voltaje de umbral del MOSFET cuando el sustrato tiene potencial cero.
ⓘ
Voltaje umbral de polarización del cuerpo cero [V
T0
]
Abvoltio
attovoltio
Centivoltios
decivoltio
Decavoltio
EMU de potencial eléctrico
ESU de potencial eléctrico
Femtovoltio
gigavoltio
hectovoltio
Kilovoltio
Megavoltio
Microvoltio
milivoltio
nanovoltios
petavoltio
Picovoltio
Voltaje de Planck
Statvoltio
Teravoltios
Voltio
Vatio/Amperio
Yoctovoltio
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
La reducción de voltaje de umbral de canal corto se define como una reducción en el voltaje de umbral de MOSFET debido al efecto de canal corto.
ⓘ
Reducción de voltaje de umbral de canal corto [ΔV
T0
]
Abvoltio
attovoltio
Centivoltios
decivoltio
Decavoltio
EMU de potencial eléctrico
ESU de potencial eléctrico
Femtovoltio
gigavoltio
hectovoltio
Kilovoltio
Megavoltio
Microvoltio
milivoltio
nanovoltios
petavoltio
Picovoltio
Voltaje de Planck
Statvoltio
Teravoltios
Voltio
Vatio/Amperio
Yoctovoltio
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
El voltaje de umbral de canal corto se define como el voltaje de compuerta requerido después de la reducción de las dimensiones del MOSFET mediante escalado.
ⓘ
Voltaje de umbral de canal corto VLSI [V
T0(short channel)
]
Abvoltio
attovoltio
Centivoltios
decivoltio
Decavoltio
EMU de potencial eléctrico
ESU de potencial eléctrico
Femtovoltio
gigavoltio
hectovoltio
Kilovoltio
Megavoltio
Microvoltio
milivoltio
nanovoltios
petavoltio
Picovoltio
Voltaje de Planck
Statvoltio
Teravoltios
Voltio
Vatio/Amperio
Yoctovoltio
Zeptovolt
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Pasos
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Fórmula
✖
Voltaje de umbral de canal corto VLSI
Fórmula
`"V"_{"T0(short channel)"} = "V"_{"T0"}-"ΔV"_{"T0"}`
Ejemplo
`"0.395V"="0.855V"-"0.46V"`
Calculadora
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Voltaje de umbral de canal corto VLSI Solución
PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Voltaje de umbral de canal corto
=
Voltaje umbral de polarización del cuerpo cero
-
Reducción de voltaje de umbral de canal corto
V
T0(short channel)
=
V
T0
-
ΔV
T0
Esta fórmula usa
3
Variables
Variables utilizadas
Voltaje de umbral de canal corto
-
(Medido en Voltio)
- El voltaje de umbral de canal corto se define como el voltaje de compuerta requerido después de la reducción de las dimensiones del MOSFET mediante escalado.
Voltaje umbral de polarización del cuerpo cero
-
(Medido en Voltio)
- El voltaje de umbral de polarización de cuerpo cero se define como el voltaje de umbral del MOSFET cuando el sustrato tiene potencial cero.
Reducción de voltaje de umbral de canal corto
-
(Medido en Voltio)
- La reducción de voltaje de umbral de canal corto se define como una reducción en el voltaje de umbral de MOSFET debido al efecto de canal corto.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Voltaje umbral de polarización del cuerpo cero:
0.855 Voltio --> 0.855 Voltio No se requiere conversión
Reducción de voltaje de umbral de canal corto:
0.46 Voltio --> 0.46 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
V
T0(short channel)
= V
T0
-ΔV
T0
-->
0.855-0.46
Evaluar ... ...
V
T0(short channel)
= 0.395
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.395 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.395 Voltio
<--
Voltaje de umbral de canal corto
(Cálculo completado en 00.004 segundos)
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Voltaje de umbral de canal corto VLSI
Créditos
Creado por
Priyanka Patel
Facultad de ingeniería Lalbhai Dalpatbhai
(LDCE)
,
Ahmedabad
¡Priyanka Patel ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!
Verificada por
Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar
(DSCE)
,
banglore
¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
<
25 Optimización de materiales VLSI Calculadoras
Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI
Vamos
Densidad de carga de la región de agotamiento masivo
= -(1-((
Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente
+
Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje
)/(2*
Longitud del canal
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Concentración de aceptor
*
abs
(2*
Potencial de superficie
))
Coeficiente de efecto corporal
Vamos
Coeficiente de efecto corporal
=
modulus
((
Voltaje umbral
-
Tensión umbral DIBL
)/(
sqrt
(
Potencial de superficie
+(
Diferencia de potencial del cuerpo fuente
))-
sqrt
(
Potencial de superficie
)))
Voltaje incorporado de unión VLSI
Vamos
Voltaje incorporado de unión
= (
[BoltZ]
*
Temperatura
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentración de aceptor
*
Concentración de donantes
/(
Concentración intrínseca
)^2)
Profundidad de agotamiento de la unión PN con fuente VLSI
Vamos
Profundidad de agotamiento de la unión Pn con fuente
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Voltaje incorporado de unión
)/(
[Charge-e]
*
Concentración de aceptor
))
Capacitancia parasitaria total de la fuente
Vamos
Capacitancia parásita de fuente
= (
Capacitancia entre la unión del cuerpo y la fuente.
*
Área de difusión de fuentes
)+(
Capacitancia entre la unión del cuerpo y la pared lateral.
*
Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral
)
Corriente de saturación de canal corto VLSI
Vamos
Corriente de saturación de canal corto
=
Ancho de banda
*
Velocidad de deriva de electrones de saturación
*
Capacitancia de óxido por unidad de área
*
Voltaje de fuente de drenaje de saturación
Corriente de unión
Vamos
Corriente de unión
= (
Energía estática
/
Voltaje base del colector
)-(
Corriente subumbral
+
Contención actual
+
Corriente de puerta
)
Potencial de superficie
Vamos
Potencial de superficie
= 2*
Diferencia de potencial del cuerpo fuente
*
ln
(
Concentración de aceptor
/
Concentración intrínseca
)
Longitud de puerta usando la capacitancia de óxido de puerta
Vamos
Longitud de la puerta
=
Capacitancia de puerta
/(
Capacitancia de la capa de óxido de puerta
*
Ancho de la puerta
)
Capacitancia de óxido de puerta
Vamos
Capacitancia de la capa de óxido de puerta
=
Capacitancia de puerta
/(
Ancho de la puerta
*
Longitud de la puerta
)
Pendiente subumbral
Vamos
Pendiente subumbral
=
Diferencia de potencial del cuerpo fuente
*
Coeficiente DIBL
*
ln
(10)
Coeficiente DIBL
Vamos
Coeficiente DIBL
= (
Tensión umbral DIBL
-
Voltaje umbral
)/
Drenar a la fuente potencial
Capacitancia de la puerta
Vamos
Capacitancia de puerta
=
Cargo del canal
/(
Voltaje de puerta a canal
-
Voltaje umbral
)
Voltaje de umbral
Vamos
Voltaje umbral
=
Voltaje de puerta a canal
-(
Cargo del canal
/
Capacitancia de puerta
)
Carga de canal
Vamos
Cargo del canal
=
Capacitancia de puerta
*(
Voltaje de puerta a canal
-
Voltaje umbral
)
Voltaje de umbral cuando la fuente está en el potencial del cuerpo
Vamos
Tensión umbral DIBL
=
Coeficiente DIBL
*
Drenar a la fuente potencial
+
Voltaje umbral
Capacitancia de óxido después de VLSI de escala completa
Vamos
Capacitancia de óxido después del escalado completo
=
Capacitancia de óxido por unidad de área
*
Factor de escala
Espesor del óxido de compuerta después del VLSI de escala completa
Vamos
Espesor del óxido de puerta después del escalado completo
=
Espesor del óxido de la puerta
/
Factor de escala
Capacitancia de puerta intrínseca
Vamos
Capacitancia de superposición de puerta MOS
=
Capacitancia de puerta MOS
*
Ancho de transición
Profundidad de unión después de VLSI de escala completa
Vamos
Profundidad de unión después de la escala completa
=
Profundidad de unión
/
Factor de escala
Longitud del canal después del VLSI de escala completa
Vamos
Longitud del canal después de la escala completa
=
Longitud del canal
/
Factor de escala
Ancho del canal después del VLSI de escala completa
Vamos
Ancho del canal después de la escala completa
=
Ancho de banda
/
Factor de escala
Voltaje crítico
Vamos
Voltaje crítico
=
Campo eléctrico crítico
*
Campo eléctrico a lo largo del canal
Movilidad en Mosfet
Vamos
Movilidad en MOSFET
=
k primer
/
Capacitancia de la capa de óxido de puerta
K-Prime
Vamos
k primer
=
Movilidad en MOSFET
*
Capacitancia de la capa de óxido de puerta
Voltaje de umbral de canal corto VLSI Fórmula
Voltaje de umbral de canal corto
=
Voltaje umbral de polarización del cuerpo cero
-
Reducción de voltaje de umbral de canal corto
V
T0(short channel)
=
V
T0
-
ΔV
T0
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