Prąd zwarciowy MOSFET Kalkulator

✖Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.ⓘ Transkonduktancja [g_m]			+10% -10%
✖Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.ⓘ Napięcie bramka-źródło [V_gs]			+10% -10%

✖Prąd wyjściowy to prąd elektryczny płynący z zacisku wyjściowego urządzenia. Jest to ilość ładunku elektrycznego przechodzącego przez wyjście w jednostce czasu.ⓘ Prąd zwarciowy MOSFET [I_out]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd zwarciowy MOSFET

Formuła

`"I"_{"out"} = "g"_{"m"}*"V"_{"gs"}`

Przykład

`"0.002A"="0.5mS"*"4V"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Prąd zwarciowy MOSFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd wyjściowy = Transkonduktancja*Napięcie bramka-źródło
I_out = g_m*V_gs
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Prąd wyjściowy - (Mierzone w Amper) - Prąd wyjściowy to prąd elektryczny płynący z zacisku wyjściowego urządzenia. Jest to ilość ładunku elektrycznego przechodzącego przez wyjście w jednostce czasu.
Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.
Napięcie bramka-źródło - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Transkonduktancja: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie bramka-źródło: 4 Wolt --> 4 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_out = g_m*V_gs --> 0.0005*4

Ocenianie ... ...

I_out = 0.002

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.002 Amper --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.002 Amper <-- Prąd wyjściowy

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Aktualny » Prąd zwarciowy MOSFET

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< 12 Aktualny Kalkulatory

Drugi prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

Iść Prąd spustowy 2 = Prąd polaryzacji DC/2-Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2*sqrt(1-(Różnicowy sygnał wejściowy)^2/(4*Napięcie przesterowania^2))

Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

Iść Prąd spustowy 1 = Prąd polaryzacji DC/2+Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2*sqrt(1-Różnicowy sygnał wejściowy^2/(4*Napięcie przesterowania^2))

Chwilowy prąd drenu

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Składowa DC napięcia bramki-źródła-Całkowite napięcie+Napięcie krytyczne)^2

Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET

Iść Prąd spustowy = 1/2*Transkonduktancja procesowa w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)^2

Prąd nasycenia drenu tranzystora MOSFET

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Transkonduktancja procesowa w PMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Efektywne napięcie)^2

Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

Iść Prąd spustowy 1 = Prąd polaryzacji DC/2+Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2

Drugi prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

Iść Prąd spustowy 2 = Prąd polaryzacji DC/2-Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2

Prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

Iść Prąd spustowy = (Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania)*(Różnicowy sygnał wejściowy/2)

Chwilowy prąd drenu w odniesieniu do składowej stałej Vgs

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*((Napięcie krytyczne-Całkowite napięcie)^2)

Prąd w trybie wspólnym odrzucenia MOSFET

Iść Całkowity prąd = Sygnał przyrostowy/((1/Transkonduktancja)+(2*Rezystancja wyjściowa))

Opróżnij prąd w linii ładunkowej

Iść Prąd spustowy = (Napięcie zasilania-Napięcie źródła drenażu)/Odporność na obciążenie

Prąd zwarciowy MOSFET

Iść Prąd wyjściowy = Transkonduktancja*Napięcie bramka-źródło

Prąd zwarciowy MOSFET Formułę

Prąd wyjściowy = Transkonduktancja*Napięcie bramka-źródło
I_out = g_m*V_gs

Jak chronić tranzystor MOSFET przed zwarciem?

Napięcie na rezystancji wewnętrznej można zmierzyć za pomocą prostego komparatora lub nawet tranzystora, który włącza się przy napięciu około 0,5 V. W ten sposób można uniknąć stosowania rezystora pomiarowego (bocznika), który zwykle powoduje niepożądany dodatkowy spadek napięcia. Komparator może być monitorowany przez mikrokontroler.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!