Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera
ise = Vfc/Re
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Prąd sygnału w emiterze - (Mierzone w Amper) - Prąd sygnału w emiterze to prąd we wzmocnionym prądzie wyjściowym tranzystora.
Podstawowe napięcie składowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie składowej podstawowej jest pierwszą harmoniczną napięcia w analizie harmonicznej fali prostokątnej napięcia w obwodzie opartym na falowniku.
Rezystancja emitera - (Mierzone w Om) - Rezystancja emitera to dynamiczna rezystancja diody złącza emitera-bazy tranzystora.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Podstawowe napięcie składowe: 5 Wolt --> 5 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Rezystancja emitera: 0.067 Kilohm --> 67 Om (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
ise = Vfc/Re --> 5/67
Ocenianie ... ...
ise = 0.0746268656716418
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.0746268656716418 Amper -->74.6268656716418 Miliamper (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
74.6268656716418 74.62687 Miliamper <-- Prąd sygnału w emiterze
(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Anshika Arya
Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur
Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

18 Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Kalkulatory

Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym
​ Iść Prąd wyjściowy = (Mobilność elektronu*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia))*Napięcie nasycenia pomiędzy drenem a źródłem
Całkowite efektywne napięcie transkonduktancji MOSFET
​ Iść Efektywne napięcie = sqrt(2*Prąd drenu nasycenia/(Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)))
Napięcie wejściowe przy danym napięciu sygnału
​ Iść Podstawowe napięcie składowe = (Skończona rezystancja wejściowa/(Skończona rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*Małe napięcie sygnału
Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu
​ Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Efektywne napięcie)^2
Parametr transkonduktancji tranzystora MOS
​ Iść Parametr transkonduktancji = Prąd spustowy/((Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem)
Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem
​ Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem
Prąd drenu tranzystora
​ Iść Prąd spustowy = (Podstawowe napięcie składowe+Całkowite chwilowe napięcie drenu)/Odporność na drenaż
Całkowite chwilowe napięcie drenu
​ Iść Całkowite chwilowe napięcie drenu = Podstawowe napięcie składowe-Odporność na drenaż*Prąd spustowy
Napięcie wejściowe w tranzystorze
​ Iść Podstawowe napięcie składowe = Odporność na drenaż*Prąd spustowy-Całkowite chwilowe napięcie drenu
Transkonduktancja wzmacniaczy tranzystorowych
​ Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = (2*Prąd spustowy)/(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)
Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy
​ Iść Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera
Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego
​ Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem
​ Iść Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy
Rezystancja wyjściowa obwodu wspólnej bramki przy danym napięciu testowym
​ Iść Skończona rezystancja wyjściowa = Napięcie testowe/Prąd testowy
Wzmacniacz Wejście wzmacniacza tranzystorowego
​ Iść Wejście wzmacniacza = Rezystancja wejściowa*Prąd wejściowy
Wzmocnienie prądu stałego wzmacniacza
​ Iść Wzmocnienie prądu stałego = Prąd kolektora/Prąd bazowy
Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bramką
​ Iść Rezystancja wejściowa = Napięcie testowe/Prąd testowy
Prąd testowy wzmacniacza tranzystorowego
​ Iść Prąd testowy = Napięcie testowe/Rezystancja wejściowa

18 Działania CV wzmacniaczy Common Stage Kalkulatory

Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bazą
​ Iść Rezystancja wejściowa = (Rezystancja emitera*(Skończona rezystancja wyjściowa+Odporność na obciążenie))/(Skończona rezystancja wyjściowa+(Odporność na obciążenie/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))
Napięcie wyjściowe kontrolowanego tranzystora źródłowego
​ Iść Składowa DC napięcia bramki-źródła = (Wzmocnienie napięcia*Prąd elektryczny-Transkonduktancja zwarciowa*Różnicowy sygnał wyjściowy)*(1/Ostateczny opór+1/Rezystancja uzwojenia pierwotnego w wtórnym)
Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego
​ Iść Odporność na drenaż = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym
Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem
​ Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem dla rezystancji wejściowej małosygnałowej
​ Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/(Mały opór wejściowy sygnału+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera))^-1
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem przy danej rezystancji emitera
​ Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/((Całkowity opór+Rezystancja emitera)*(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))^-1
Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła
​ Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+Opór źródła+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa*Opór źródła)
Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem
​ Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem
Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem
​ Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Częstotliwość wzmocnienia jedności*(Pojemność bramy do źródła+Bramka pojemnościowa do drenażu)
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem
​ Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1
Impedancja wejściowa wzmacniacza ze wspólną bazą
​ Iść Impedancja wejściowa = (1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)^(-1)
Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy
​ Iść Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera
Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego
​ Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem
​ Iść Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy
Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem
​ Iść Podstawowe napięcie składowe = Rezystancja wejściowa*Prąd bazowy
Napięcie obciążenia wzmacniacza CS
​ Iść Napięcie obciążenia = Wzmocnienie napięcia*Napięcie wejściowe
Rezystancja emitera we wzmacniaczu ze wspólną bazą
​ Iść Rezystancja emitera = Napięcie wejściowe/Prąd emitera
Prąd emitera wzmacniacza ze wspólną bazą
​ Iść Prąd emitera = Napięcie wejściowe/Rezystancja emitera

Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy Formułę

Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera
ise = Vfc/Re

Co to jest prąd emitera?

Prąd emitera, tj., Tranzystora jest wzmocnionym prądem wyjściowym bipolarnego tranzystora złączowego. Istnieje kilka sposobów na znalezienie prądu emitera, tj. Tranzystora.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!