Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal Taschenrechner

✖Die Grundspannungskomponente ist die erste Harmonische der Spannung in der harmonischen Analyse der Rechteckwelle der Spannung in einer Wechselrichterschaltung.ⓘ Grundkomponentenspannung [V_fc]			+10% -10%
✖Der Emitterwiderstand ist ein dynamischer Widerstand der Emitter-Basis-Übergangsdiode eines Transistors.ⓘ Emitterwiderstand [R_e]			+10% -10%

✖Der Signalstrom im Emitter ist der Strom im verstärkten Ausgangsstrom eines Transistors.ⓘ Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal [i_se]

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Formel

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Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal

Formel

`"i"_{"se"} = "V"_{"fc"}/"R"_{"e"}`

Beispiel

`"74.62687mA"="5V"/"0.067kΩ"`

Taschenrechner

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Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand
i_se = V_fc/R_e
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Signalstrom im Emitter - (Gemessen in Ampere) - Der Signalstrom im Emitter ist der Strom im verstärkten Ausgangsstrom eines Transistors.
Grundkomponentenspannung - (Gemessen in Volt) - Die Grundspannungskomponente ist die erste Harmonische der Spannung in der harmonischen Analyse der Rechteckwelle der Spannung in einer Wechselrichterschaltung.
Emitterwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Emitterwiderstand ist ein dynamischer Widerstand der Emitter-Basis-Übergangsdiode eines Transistors.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Grundkomponentenspannung: 5 Volt --> 5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Emitterwiderstand: 0.067 Kiloohm --> 67 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_se = V_fc/R_e --> 5/67

Auswerten ... ...

i_se = 0.0746268656716418

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0746268656716418 Ampere -->74.6268656716418 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

74.6268656716418 ≈ 74.62687 Milliampere <-- Signalstrom im Emitter

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 18 Eigenschaften des Transistorverstärkers Taschenrechner

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source

Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz

Gehen Effektive Spannung = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)))

Eingangsspannung gegeben Signalspannung

Gehen Grundkomponentenspannung = (Endlicher Eingangswiderstand/(Endlicher Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*Kleine Signalspannung

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2

Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors

Gehen Transkonduktanzparameter = Stromverbrauch/((Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source)

Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source

Drainstrom des Transistors

Gehen Stromverbrauch = (Grundkomponentenspannung+Gesamte momentane Entladespannung)/Abflusswiderstand

Gesamte momentane Drain-Spannung

Gehen Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch

Eingangsspannung im Transistor

Gehen Grundkomponentenspannung = Abflusswiderstand*Stromverbrauch-Gesamte momentane Entladespannung

Steilheit von Transistorverstärkern

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = (2*Stromverbrauch)/(Spannung über Oxid-Grenzspannung)

Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal

Gehen Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung

Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Grundkomponentenspannung/Basisstrom

Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung

Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Verstärkereingang des Transistorverstärkers

Gehen Verstärkereingang = Eingangswiderstand*Eingangsstrom

Gleichstromverstärkung des Verstärkers

Gehen Gleichstromverstärkung = Kollektorstrom/Basisstrom

Eingangswiderstand der Common-Gate-Schaltung

Gehen Eingangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Teststrom des Transistorverstärkers

Gehen Teststrom = Prüfspannung/Eingangswiderstand

< 18 CV-Aktionen gängiger Bühnenverstärker Taschenrechner

Ausgangsspannung des Controlled Source Transistors

Gehen Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung = (Spannungsverstärkung*Elektrischer Strom-Kurzschlusstranskonduktanz*Differenzielles Ausgangssignal)*(1/Endgültiger Widerstand+1/Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors

Gehen Abflusswiderstand = Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung+2*Endlicher Widerstand+2*Endlicher Widerstand*MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung

Eingangswiderstand der Common-Base-Schaltung

Gehen Eingangswiderstand = (Emitterwiderstand*(Endlicher Ausgangswiderstand+Lastwiderstand))/(Endlicher Ausgangswiderstand+(Lastwiderstand/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)))

Ausgangswiderstand des Emitter-degenerierten CE-Verstärkers

Gehen Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Emitterwiderstand+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)

Eingangswiderstand des Common-Emitter-Verstärkers bei gegebenem Kleinsignal-Eingangswiderstand

Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/(Kleinsignal-Eingangswiderstand+(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)*Emitterwiderstand))^-1

Ausgangswiderstand des CS-Verstärkers mit Quellwiderstand

Gehen Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+Quellenwiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand*Quellenwiderstand)

Eingangswiderstand des Common-Emitter-Verstärkers bei gegebenem Emitterwiderstand

Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/((Totaler Widerstand+Emitterwiderstand)*(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)))^-1

Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source

Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Einheitsgewinnfrequenz*(Gate-Source-Kapazität+Kapazitäts-Gate zum Drain)

Eingangswiderstand des Verstärkers mit gemeinsamem Emitter

Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1

Eingangsimpedanz des Common-Base-Verstärkers

Gehen Eingangsimpedanz = (1/Emitterwiderstand+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^(-1)

Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal

Gehen Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung

Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Grundkomponentenspannung/Basisstrom

Grundspannung im Common-Emitter-Verstärker

Gehen Grundkomponentenspannung = Eingangswiderstand*Basisstrom

Lastspannung des CS-Verstärkers

Gehen Lastspannung = Spannungsverstärkung*Eingangsspannung

Widerstand des Emitters im Common-Base-Verstärker

Gehen Emitterwiderstand = Eingangsspannung/Emitterstrom

Emitterstrom des Verstärkers in Basisschaltung

Gehen Emitterstrom = Eingangsspannung/Emitterwiderstand

Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal Formel

Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand
i_se = V_fc/R_e

Was ist Emitterstrom?

Der Emitterstrom eines Transistors ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors. Es gibt verschiedene Möglichkeiten, den Emitterstrom eines Transistors zu ermitteln.

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