Całkowita prędkość elektronów Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Całkowita prędkość elektronów = Prędkość elektronów prądu stałego+Chwilowe zaburzenie prędkości elektronów
Vtot = Vdc+V
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Całkowita prędkość elektronów - (Mierzone w Metr na sekundę) - Całkowita prędkość elektronów odnosi się do łącznej prędkości elektronów w materiale lub układzie.
Prędkość elektronów prądu stałego - (Mierzone w Metr na sekundę) - Prędkość elektronów DC odnosi się do średniej prędkości, z jaką elektrony poruszają się przez materiał przewodzący.
Chwilowe zaburzenie prędkości elektronów - (Mierzone w Metr na sekundę) - Chwilowe zaburzenie prędkości elektronu oznacza nagłą zmianę prędkości elektronu w określonym momencie.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Prędkość elektronów prądu stałego: 3 Metr na sekundę --> 3 Metr na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Chwilowe zaburzenie prędkości elektronów: 2 Metr na sekundę --> 2 Metr na sekundę Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Vtot = Vdc+V --> 3+2
Ocenianie ... ...
Vtot = 5
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
5 Metr na sekundę --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
5 Metr na sekundę <-- Całkowita prędkość elektronów
(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Simran Shravan Nishad
Sinhgad College of Engineering (SKO), Pune
Simran Shravan Nishad utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Ritwik Tripathi
Vellore Instytut Technologiczny (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi zweryfikował ten kalkulator i 100+ więcej kalkulatorów!

23 Rurka wiązki Kalkulatory

Napięcie mikrofalowe w szczelinie Bunchera
​ Iść Napięcie mikrofalowe w szczelinie Bunchera = (Amplituda sygnału/(Częstotliwość kątowa napięcia mikrofalowego*Średni czas tranzytu))*(cos(Częstotliwość kątowa napięcia mikrofalowego*Wprowadzanie czasu)-cos(Rezonansowa częstotliwość kątowa+(Częstotliwość kątowa napięcia mikrofalowego*Odległość szczeliny Buncher'a)/Prędkość elektronu))
Moc wyjściowa RF
​ Iść Moc wyjściowa RF = Moc wejściowa RF*exp(-2*Stała tłumienia RF*Długość obwodu RF)+int((Wygenerowana moc RF/Długość obwodu RF)*exp(-2*Stała tłumienia RF*(Długość obwodu RF-x)),x,0,Długość obwodu RF)
Wzmocnienie mocy dwuwnękowego wzmacniacza klistronowego
​ Iść Wzmocnienie mocy dwuwnękowego wzmacniacza klistronowego = (1/4)*(((Prąd zbiorczy katod*Częstotliwość kątowa)/(Napięcie zbiorcze katody*Zmniejszona częstotliwość plazmy))^2)*(Współczynnik sprzężenia belki^4)*Całkowita rezystancja bocznikowa wnęki wejściowej*Całkowita rezystancja bocznikowa wnęki wyjściowej
Napięcie odstraszacza
​ Iść Napięcie odrzutnika = sqrt((8*Częstotliwość kątowa^2*Długość przestrzeni dryfu^2*Małe napięcie wiązki)/((2*pi*Liczba oscylacji)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Małe napięcie wiązki
Impedancja charakterystyczna linii koncentrycznej
​ Iść Impedancja charakterystyczna kabla koncentrycznego = (1/(2*pi))*(sqrt(Względna przepuszczalność/Przepuszczalność dielektryka))*ln(Zewnętrzny promień przewodnika/Wewnętrzny promień przewodnika)
Prędkość fazowa w kierunku osiowym
​ Iść Prędkość fazowa w kierunku osiowym = Skok Helixa/(sqrt(Względna przepuszczalność*Przepuszczalność dielektryka*((Skok Helixa^2)+(pi*Średnica helisy)^2)))
Całkowite wyczerpanie systemu WDM
​ Iść Całkowite wyczerpanie systemu WDM = sum(x,2,Liczba kanałów,Współczynnik wzmocnienia Ramana*Moc kanału*Efektywna długość/Obszar efektywny)
Średnia strata mocy w rezonatorze
​ Iść Średnia strata mocy w rezonatorze = (Rezystancja powierzchniowa rezonatora/2)*(int(((Wartość szczytowa stycznego natężenia magnetycznego)^2)*x,x,0,Promień rezonatora))
Częstotliwość plazmy
​ Iść Częstotliwość plazmy = sqrt(([Charge-e]*Gęstość ładunku elektronów prądu stałego)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Całkowita energia zmagazynowana w rezonatorze
​ Iść Całkowita energia zmagazynowana w rezonatorze = int((Przepuszczalność medium/2*Natężenie pola elektrycznego^2)*x,x,0,Głośność rezonatora)
Głębokość skóry
​ Iść Głębokość skóry = sqrt(Oporność/(pi*Względna przepuszczalność*Częstotliwość))
Częstotliwość nośna w linii widmowej
​ Iść Częstotliwość nośna = Częstotliwość linii widmowej-Liczba przykładów*Częstotliwość powtórzeń
Całkowita gęstość prądu wiązki elektronów
​ Iść Całkowita gęstość prądu wiązki elektronów = -Gęstość prądu wiązki prądu stałego+Natychmiastowe zakłócenia prądu wiązki RF
Całkowita prędkość elektronów
​ Iść Całkowita prędkość elektronów = Prędkość elektronów prądu stałego+Chwilowe zaburzenie prędkości elektronów
Zmniejszona częstotliwość plazmy
​ Iść Zmniejszona częstotliwość plazmy = Częstotliwość plazmy*Współczynnik redukcji ładunku kosmicznego
Całkowita gęstość ładunku
​ Iść Całkowita gęstość ładunku = -Gęstość ładunku elektronów prądu stałego+Chwilowa gęstość ładunku RF
Maksymalne wzmocnienie napięcia przy rezonansie
​ Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia przy rezonansie = Transkonduktancja/Przewodnictwo
Zasilanie uzyskiwane z zasilacza prądu stałego
​ Iść Zasilacz = Moc generowana w obwodzie anodowym/Wydajność elektroniczna
Moc generowana w obwodzie anodowym
​ Iść Moc generowana w obwodzie anodowym = Zasilacz*Wydajność elektroniczna
Utrata zwrotu
​ Iść Strata zwrotu = -20*log10(Współczynnik odbicia)
Prostokątna moc szczytowa impulsu mikrofalowego
​ Iść Moc szczytowa impulsu = Średnia moc/Cykl pracy
Zasilanie prądem zmiennym dostarczane przez napięcie wiązki
​ Iść Zasilanie sieciowe = (Napięcie*Aktualny)/2
Zasilanie prądem stałym dostarczane przez napięcie wiązki
​ Iść Zasilacz = Napięcie*Aktualny

Całkowita prędkość elektronów Formułę

Całkowita prędkość elektronów = Prędkość elektronów prądu stałego+Chwilowe zaburzenie prędkości elektronów
Vtot = Vdc+V

Jakie znaczenie ma prędkość elektronu?

Kontrola i zrozumienie prędkości elektronów mają fundamentalne znaczenie we współczesnej elektronice, telekomunikacji i wielu obszarach technologii, które opierają się na ruchu i manipulacji ładunkiem elektrycznym.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!