Gesamtelektronengeschwindigkeit Taschenrechner

✖Unter DC-Elektronengeschwindigkeit versteht man die durchschnittliche Geschwindigkeit, mit der sich Elektronen durch ein leitendes Material bewegen.ⓘ DC-Elektronengeschwindigkeit [V_dc]			+10% -10%
✖Unter sofortiger Elektronengeschwindigkeitsstörung versteht man eine plötzliche Änderung der Geschwindigkeit eines Elektrons zu einem bestimmten Zeitpunkt.ⓘ Momentane Störung der Elektronengeschwindigkeit [V]			+10% -10%

✖Die Gesamtelektronengeschwindigkeit bezieht sich auf die Gesamtgeschwindigkeit der Elektronen in einem Material oder einem System.ⓘ Gesamtelektronengeschwindigkeit [V_tot]

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Formel

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Gesamtelektronengeschwindigkeit

Formel

`"V"_{"tot"} = "V"_{"dc"}+"V"`

Beispiel

`"5m/s"="3m/s"+"2m/s"`

Taschenrechner

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Gesamtelektronengeschwindigkeit Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gesamtelektronengeschwindigkeit = DC-Elektronengeschwindigkeit+Momentane Störung der Elektronengeschwindigkeit
V_tot = V_dc+V
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Gesamtelektronengeschwindigkeit - (Gemessen in Meter pro Sekunde) - Die Gesamtelektronengeschwindigkeit bezieht sich auf die Gesamtgeschwindigkeit der Elektronen in einem Material oder einem System.
DC-Elektronengeschwindigkeit - (Gemessen in Meter pro Sekunde) - Unter DC-Elektronengeschwindigkeit versteht man die durchschnittliche Geschwindigkeit, mit der sich Elektronen durch ein leitendes Material bewegen.
Momentane Störung der Elektronengeschwindigkeit - (Gemessen in Meter pro Sekunde) - Unter sofortiger Elektronengeschwindigkeitsstörung versteht man eine plötzliche Änderung der Geschwindigkeit eines Elektrons zu einem bestimmten Zeitpunkt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

DC-Elektronengeschwindigkeit: 3 Meter pro Sekunde --> 3 Meter pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Momentane Störung der Elektronengeschwindigkeit: 2 Meter pro Sekunde --> 2 Meter pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_tot = V_dc+V --> 3+2

Auswerten ... ...

V_tot = 5

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

5 Meter pro Sekunde --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5 Meter pro Sekunde <-- Gesamtelektronengeschwindigkeit

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Simran Shravan Nishad

Sinhgad College of Engineering (SCOE), Pune

Simran Shravan Nishad hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Ritwik Tripathi

Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 100+ weitere Rechner verifiziert!

< 20 Strahlrohr Taschenrechner

Mikrowellenspannung im Buncher-Spalt

Gehen Mikrowellenspannung im Buncher-Lückenbereich = (Signalamplitude/(Winkelfrequenz der Mikrowellenspannung*Durchschnittliche Transitzeit))*(cos(Winkelfrequenz der Mikrowellenspannung*Zeit eingeben)-cos(Resonanz-Winkelfrequenz+(Winkelfrequenz der Mikrowellenspannung*Buncher-Lückenabstand)/Elektronengeschwindigkeit))

HF-Ausgangsleistung

Gehen HF-Ausgangsleistung = HF-Eingangsleistung*exp(-2*HF-Dämpfungskonstante*HF-Schaltungslänge)+int((Erzeugte HF-Leistung/HF-Schaltungslänge)*exp(-2*HF-Dämpfungskonstante*(HF-Schaltungslänge-x)),x,0,HF-Schaltungslänge)

Repeller-Spannung

Gehen Repellerspannung = sqrt((8*Winkelfrequenz^2*Länge des Driftraums^2*Kleine Strahlspannung)/((2*pi*Anzahl der Schwingungen)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Kleine Strahlspannung

Totale Erschöpfung für WDM-System

Gehen Totale Erschöpfung für ein WDM-System = sum(x,2,Anzahl der Kanäle,Raman-Verstärkungskoeffizient*Kanalleistung*Effektive Länge/Nutzfläche)

Durchschnittlicher Leistungsverlust im Resonator

Gehen Durchschnittlicher Leistungsverlust im Resonator = (Oberflächenwiderstand des Resonators/2)*(int(((Spitzenwert der tangentialen magnetischen Intensität)^2)*x,x,0,Radius des Resonators))

Plasmafrequenz

Gehen Plasmafrequenz = sqrt(([Charge-e]*DC-Elektronenladungsdichte)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))

Gesamte im Resonator gespeicherte Energie

Gehen Gesamte im Resonator gespeicherte Energie = int((Permittivität des Mediums/2*Elektrische Feldstärke^2)*x,x,0,Resonatorvolumen)

Hauttiefe

Gehen Hauttiefe = sqrt(Widerstand/(pi*Relative Permeabilität*Frequenz))

Trägerfrequenz in der Spektrallinie

Gehen Trägerfrequenz = Spektrallinienfrequenz-Anzahl von Beispielen*Wiederholungsfrequenz

Gesamtstromdichte des Elektronenstrahls

Gehen Gesamtstromdichte des Elektronenstrahls = -Gleichstromdichte des Strahls+Momentane Störung des HF-Strahlstroms

Gesamtelektronengeschwindigkeit

Gehen Gesamtelektronengeschwindigkeit = DC-Elektronengeschwindigkeit+Momentane Störung der Elektronengeschwindigkeit

Im Anodenstromkreis erzeugter Strom

Gehen Im Anodenstromkreis erzeugter Strom = Gleichstromquelle*Elektronische Effizienz

Strom aus DC-Netzteil bezogen

Gehen Gleichstromquelle = Im Anodenstromkreis erzeugter Strom/Elektronische Effizienz

Gesamtladungsdichte

Gehen Gesamtladungsdichte = -DC-Elektronenladungsdichte+Momentane HF-Ladungsdichte

Maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz

Gehen Maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz = Transkonduktanz/Leitfähigkeit

Reduzierte Plasmafrequenz

Gehen Reduzierte Plasmafrequenz = Plasmafrequenz*Raumladungsreduktionsfaktor

Rechteckige Mikrowellenimpuls-Spitzenleistung

Gehen Pulsspitzenleistung = Durchschnittliche Kraft/Auslastungsgrad

Rückflussdämpfung

Gehen Rückflussdämpfung = -20*log10(Reflexionsfaktor)

Gleichstromversorgung durch Strahlspannung

Gehen Gleichstromquelle = Stromspannung*Aktuell

Wechselstromversorgung durch Strahlspannung

Gehen AC-Netzteil = (Stromspannung*Aktuell)/2

Gesamtelektronengeschwindigkeit Formel

Gesamtelektronengeschwindigkeit = DC-Elektronengeschwindigkeit+Momentane Störung der Elektronengeschwindigkeit
V_tot = V_dc+V

Welche Bedeutung hat die Elektronengeschwindigkeit?

Die Kontrolle und das Verständnis der Elektronengeschwindigkeiten sind von grundlegender Bedeutung in der modernen Elektronik, Telekommunikation und vielen Bereichen der Technologie, die auf der Bewegung und Manipulation elektrischer Ladung beruhen.

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