Vitesse totale des électrons Calculatrice

✖La vitesse des électrons CC fait référence à la vitesse moyenne à laquelle les électrons se déplacent à travers un matériau conducteur.ⓘ Vitesse des électrons CC [V_dc]			+10% -10%
✖La perturbation instantanée de la vitesse des électrons fait référence à un changement soudain de la vitesse d’un électron à un moment précis.ⓘ Perturbation instantanée de la vitesse des électrons [V]			+10% -10%

✖La vitesse totale des électrons fait référence à la vitesse combinée des électrons dans un matériau ou un système.ⓘ Vitesse totale des électrons [V_tot]

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Formule

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Vitesse totale des électrons

Formule

`"V"_{"tot"} = "V"_{"dc"}+"V"`

Exemple

`"5m/s"="3m/s"+"2m/s"`

Calculatrice

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Vitesse totale des électrons Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Vitesse totale des électrons = Vitesse des électrons CC+Perturbation instantanée de la vitesse des électrons
V_tot = V_dc+V
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Vitesse totale des électrons - (Mesuré en Mètre par seconde) - La vitesse totale des électrons fait référence à la vitesse combinée des électrons dans un matériau ou un système.
Vitesse des électrons CC - (Mesuré en Mètre par seconde) - La vitesse des électrons CC fait référence à la vitesse moyenne à laquelle les électrons se déplacent à travers un matériau conducteur.
Perturbation instantanée de la vitesse des électrons - (Mesuré en Mètre par seconde) - La perturbation instantanée de la vitesse des électrons fait référence à un changement soudain de la vitesse d’un électron à un moment précis.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Vitesse des électrons CC: 3 Mètre par seconde --> 3 Mètre par seconde Aucune conversion requise
Perturbation instantanée de la vitesse des électrons: 2 Mètre par seconde --> 2 Mètre par seconde Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_tot = V_dc+V --> 3+2

Évaluer ... ...

V_tot = 5

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

5 Mètre par seconde --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

5 Mètre par seconde <-- Vitesse totale des électrons

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Simran Shravan Nishad

Collège d'ingénierie de Sinhgad (SCOE), Puné

Simran Shravan Nishad a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Ritwik Tripathi

Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore

Ritwik Tripathi a validé cette calculatrice et 100+ autres calculatrices!

< 20 Tube de faisceau Calculatrices

Tension micro-ondes dans l'espace du groupeur

Aller Tension micro-onde dans l'espace du groupeur = (Amplitude du signal/(Fréquence angulaire de la tension micro-ondes*Temps de transit moyen))*(cos(Fréquence angulaire de la tension micro-ondes*Saisie de l'heure)-cos(Fréquence angulaire de résonance+(Fréquence angulaire de la tension micro-ondes*Distance d'écart entre le groupeur)/Vitesse de l'électron))

Puissance de sortie RF

Aller Puissance de sortie RF = Puissance d'entrée RF*exp(-2*Constante d'atténuation RF*Longueur du circuit RF)+int((Puissance RF générée/Longueur du circuit RF)*exp(-2*Constante d'atténuation RF*(Longueur du circuit RF-x)),x,0,Longueur du circuit RF)

Tension du répulsif

Aller Tension du répulsif = sqrt((8*Fréquence angulaire^2*Longueur de l'espace de dérive^2*Tension du petit faisceau)/((2*pi*Nombre d'oscillations)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Tension du petit faisceau

Épuisement total pour le système WDM

Aller Épuisement total pour un système WDM = sum(x,2,Nombre de canaux,Coefficient de gain Raman*Puissance du canal*Longueur efficace/Zone efficace)

Perte de puissance moyenne dans le résonateur

Aller Perte de puissance moyenne dans le résonateur = (Résistance de surface du résonateur/2)*(int(((Valeur maximale de l'intensité magnétique tangentielle)^2)*x,x,0,Rayon du résonateur))

Fréquence plasmatique

Aller Fréquence plasmatique = sqrt(([Charge-e]*Densité de charge électronique CC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))

Énergie totale stockée dans le résonateur

Aller Énergie totale stockée dans le résonateur = int((Permittivité du milieu/2*Intensité du champ électrique^2)*x,x,0,Volume du résonateur)

Profondeur de la peau

Aller Profondeur de la peau = sqrt(Résistivité/(pi*Perméabilité relative*Fréquence))

Densité totale de courant du faisceau d'électrons

Aller Densité totale de courant du faisceau d'électrons = -Densité de courant du faisceau CC+Perturbation instantanée du courant du faisceau RF

Fréquence porteuse dans la ligne spectrale

Aller Fréquence porteuse = Fréquence de la ligne spectrale-Nombre d'échantillons*Fréquence de répétition

Vitesse totale des électrons

Aller Vitesse totale des électrons = Vitesse des électrons CC+Perturbation instantanée de la vitesse des électrons

Fréquence plasma réduite

Aller Fréquence plasmatique réduite = Fréquence plasmatique*Facteur de réduction de la charge d'espace

Densité de charge totale

Aller Densité de charge totale = -Densité de charge électronique CC+Densité de charge RF instantanée

Puissance obtenue à partir de l'alimentation CC

Aller Alimentation CC = Puissance générée dans le circuit anodique/Efficacité électronique

Puissance générée dans le circuit anodique

Aller Puissance générée dans le circuit anodique = Alimentation CC*Efficacité électronique

Gain de tension maximum à la résonance

Aller Gain de tension maximum à la résonance = Transconductance/Conductance

Puissance de crête d'impulsion micro-ondes rectangulaire

Aller Puissance de crête d'impulsion = Puissance moyenne/Cycle de service

Perte de retour

Aller Perte de retour = -20*log10(Coefficient de reflexion)

Alimentation CA fournie par la tension du faisceau

Aller Alimentation CA = (Tension*Actuel)/2

Alimentation CC fournie par la tension du faisceau

Aller Alimentation CC = Tension*Actuel

Vitesse totale des électrons Formule

Vitesse totale des électrons = Vitesse des électrons CC+Perturbation instantanée de la vitesse des électrons
V_tot = V_dc+V

Quelle est l’importance de la vitesse des électrons ?

Le contrôle et la compréhension des vitesses des électrons sont fondamentaux dans l’électronique moderne, les télécommunications et de nombreux domaines technologiques qui reposent sur le mouvement et la manipulation de charges électriques.

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