Wpływ ciała na transkonduktancję Kalkulator

✖Change in Threshold to Base Voltage określa szybkość, z jaką napięcie progowe zmienia się w stosunku do napięcia bazowego.ⓘ Zmiana wartości progowej na napięcie podstawowe [Χ]			+10% -10%
✖Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.ⓘ Transkonduktancja [g_m]			+10% -10%

✖Transkonduktancja ciała odnosi się do miary tego, jak bardzo zmienia się prąd wyjściowy urządzenia w odpowiedzi na zmianę napięcia wejściowego. .ⓘ Wpływ ciała na transkonduktancję [g_mb]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Wpływ ciała na transkonduktancję

Formuła

`"g"_{"mb"} = "Χ"*"g"_{"m"}`

Przykład

`"0.1mS"="0.2"*"0.5mS"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Wpływ ciała na transkonduktancję Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Transkonduktancja ciała = Zmiana wartości progowej na napięcie podstawowe*Transkonduktancja
g_mb = Χ*g_m
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Transkonduktancja ciała - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja ciała odnosi się do miary tego, jak bardzo zmienia się prąd wyjściowy urządzenia w odpowiedzi na zmianę napięcia wejściowego. .
Zmiana wartości progowej na napięcie podstawowe - Change in Threshold to Base Voltage określa szybkość, z jaką napięcie progowe zmienia się w stosunku do napięcia bazowego.
Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Zmiana wartości progowej na napięcie podstawowe: 0.2 --> Nie jest wymagana konwersja
Transkonduktancja: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

g_mb = Χ*g_m --> 0.2*0.0005

Ocenianie ... ...

g_mb = 0.0001

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.0001 Siemens -->0.1 Millisiemens (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.1 Millisiemens <-- Transkonduktancja ciała

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Transkonduktancja » Wpływ ciała na transkonduktancję

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 16 Transkonduktancja Kalkulatory

MOSFET Transconductance przy użyciu parametru Transconductance procesu

Iść Parametr transkonduktancji procesu = Transkonduktancja/(Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia))

Dana transkonduktancja Parametr transkonduktancji procesu

Iść Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Transkonduktancja przy podanym prądzie drenu

Iść Transkonduktancja = sqrt(2*Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*Prąd spustowy)

Transkonduktancja MOSFET przy użyciu parametru transkonduktancji procesowej i napięcia przesterowania

Iść Parametr transkonduktancji procesu = Transkonduktancja/(Współczynnik proporcji*Napięcie przesterowania)

Transkonduktancja przy użyciu parametru transkonduktancji procesowej i napięcia przesterowania

Iść Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*Napięcie przesterowania

Drenaż Transkonduktancja i transkonduktancja prądu danego procesu

Iść Prąd spustowy = Transkonduktancja^2/(2*Współczynnik proporcji*Parametr transkonduktancji procesu)

Transkonduktancja procesu podana Transkonduktancja i prąd drenu

Iść Parametr transkonduktancji procesu = Transkonduktancja^2/(2*Współczynnik proporcji*Prąd spustowy)

Transkonduktancja MOSFET z podanym parametrem transkonduktancji

Iść Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Wpływ ciała na transkonduktancję

Iść Transkonduktancja ciała = Zmiana wartości progowej na napięcie podstawowe*Transkonduktancja

Parametr transkonduktancji MOSFET wykorzystujący transkonduktancję procesową

Iść Parametr transkonduktancji = Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji

Transkonduktancja tylnej bramki

Iść Transkonduktancja tylnej bramki = Transkonduktancja*Wydajność napięciowa

Transkonduktancja MOSFET przy przesterowaniu napięcia

Iść Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji*Napięcie przesterowania

Procesowy parametr transkonduktancji MOSFET

Iść Parametr transkonduktancji = Transkonduktancja/Napięcie przesterowania

Prąd spustowy za pomocą transkonduktancji

Iść Prąd spustowy = (Napięcie przesterowania)*Transkonduktancja/2

Transprzewodnictwo w MOSFET-ie

Iść Transkonduktancja = (2*Prąd spustowy)/Napięcie przesterowania

Transkonduktancja MOSFET

Iść Transkonduktancja = Zmiana prądu drenu/Napięcie bramka-źródło

< 15 Charakterystyka MOSFET-u Kalkulatory

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Wzmocnienie napięcia przy danej rezystancji obciążenia MOSFET

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*(1/(1/Odporność na obciążenie+1/Rezystancja wyjściowa))/(1+Transkonduktancja*Opór źródła)

Częstotliwość przejścia MOSFET

Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Maksymalne wzmocnienie napięcia w punkcie polaryzacji

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = 2*(Napięcie zasilania-Efektywne napięcie)/(Efektywne napięcie)

Wzmocnienie napięcia za pomocą małego sygnału

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*1/(1/Odporność na obciążenie+1/Skończony opór)

Wzmocnienie napięcia przy danym napięciu drenu

Iść Wzmocnienie napięcia = (Prąd spustowy*Odporność na obciążenie*2)/Efektywne napięcie

Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET

Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)

Wpływ ciała na transkonduktancję

Iść Transkonduktancja ciała = Zmiana wartości progowej na napięcie podstawowe*Transkonduktancja

Napięcie polaryzacji MOSFET-u

Iść Całkowite chwilowe napięcie polaryzacji = Napięcie polaryzacji DC+Napięcie prądu stałego

Maksymalne wzmocnienie napięcia przy wszystkich napięciach

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = (Napięcie zasilania-0.3)/Napięcie termiczne

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET

Iść Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia

Współczynnik wzmocnienia w modelu małego sygnału MOSFET

Iść Współczynnik wzmocnienia = Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa

Transprzewodnictwo w MOSFET-ie

Iść Transkonduktancja = (2*Prąd spustowy)/Napięcie przesterowania

Napięcie progowe MOSFET-u

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u

Iść Przewodnictwo kanału = 1/Opór liniowy

Wpływ ciała na transkonduktancję Formułę

Transkonduktancja ciała = Zmiana wartości progowej na napięcie podstawowe*Transkonduktancja
g_mb = Χ*g_m

Co to jest wzmocnienie napięcia?

Różnica między poziomem napięcia sygnału wyjściowego w decybelach a poziomem napięcia sygnału wejściowego w decybelach; ta wartość jest równa 20-krotności logarytmu wspólnego stosunku napięcia wyjściowego do napięcia wejściowego.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!