Effetto del corpo sulla transconduttanza calcolatrice

✖Change in Threshold to Base Voltage definisce la velocità con cui la tensione di soglia cambia rispetto alla tensione di base.ⓘ Modifica della soglia alla tensione di base [Χ]			+10% -10%
✖La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.ⓘ Transconduttanza [g_m]			+10% -10%

✖La transconduttanza corporea si riferisce alla misura di quanto cambia la corrente di uscita di un dispositivo in risposta a una variazione della tensione di ingresso. .ⓘ Effetto del corpo sulla transconduttanza [g_mb]

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Formula

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Effetto del corpo sulla transconduttanza

Formula

`"g"_{"mb"} = "Χ"*"g"_{"m"}`

Esempio

`"0.1mS"="0.2"*"0.5mS"`

Calcolatrice

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Effetto del corpo sulla transconduttanza Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Transconduttanza corporea = Modifica della soglia alla tensione di base*Transconduttanza
g_mb = Χ*g_m
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Transconduttanza corporea - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza corporea si riferisce alla misura di quanto cambia la corrente di uscita di un dispositivo in risposta a una variazione della tensione di ingresso. .
Modifica della soglia alla tensione di base - Change in Threshold to Base Voltage definisce la velocità con cui la tensione di soglia cambia rispetto alla tensione di base.
Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Modifica della soglia alla tensione di base: 0.2 --> Nessuna conversione richiesta
Transconduttanza: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

g_mb = Χ*g_m --> 0.2*0.0005

Valutare ... ...

g_mb = 0.0001

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0001 Siemens -->0.1 Millisiemens (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.1 Millisiemens <-- Transconduttanza corporea

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 16 Transconduttanza Calcolatrici

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo

Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza/(Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio))

Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Transconduttanza data corrente di drenaggio

Partire Transconduttanza = sqrt(2*Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Assorbimento di corrente)

Transconduttanza di processo data la transconduttanza e la corrente di drain

Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza^2/(2*Proporzioni*Assorbimento di corrente)

Drain Current data la transconduttanza e la transconduttanza del processo

Partire Assorbimento di corrente = Transconduttanza^2/(2*Proporzioni*Parametro di transconduttanza di processo)

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza/(Proporzioni*Tensione di overdrive)

Transconduttanza utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Tensione di overdrive

Transconduttanza MOSFET dato il parametro di transconduttanza

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Effetto del corpo sulla transconduttanza

Partire Transconduttanza corporea = Modifica della soglia alla tensione di base*Transconduttanza

Parametro di transconduttanza MOSFET che utilizza la transconduttanza di processo

Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni

Transconduttanza del backgate

Partire Transconduttanza del backgate = Transconduttanza*Efficienza della tensione

MOSFET Transconduttanza

Partire Transconduttanza = Modifica della corrente di scarico/Tensione gate-source

Transconduttanza MOSFET data la tensione di overdrive

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza*Tensione di overdrive

Parametro di transconduttanza di processo del MOSFET

Partire Parametro di transconduttanza = Transconduttanza/Tensione di overdrive

Assorbimento di corrente tramite transconduttanza

Partire Assorbimento di corrente = (Tensione di overdrive)*Transconduttanza/2

Transconduttanza nei MOSFET

Partire Transconduttanza = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive

< 15 Caratteristiche del MOSFET Calcolatrici

Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Guadagno di tensione data la resistenza di carico del MOSFET

Partire Guadagno di tensione = Transconduttanza*(1/(1/Resistenza al carico+1/Resistenza di uscita))/(1+Transconduttanza*Resistenza alla fonte)

Frequenza di transizione del MOSFET

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET

Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)

Guadagno di tensione massimo al punto di polarizzazione

Partire Guadagno di tensione massimo = 2*(Tensione di alimentazione-Tensione effettiva)/(Tensione effettiva)

Guadagno di tensione data la tensione di drain

Partire Guadagno di tensione = (Assorbimento di corrente*Resistenza al carico*2)/Tensione effettiva

Guadagno di tensione usando il segnale piccolo

Partire Guadagno di tensione = Transconduttanza*1/(1/Resistenza al carico+1/Resistenza finita)

Effetto del corpo sulla transconduttanza

Partire Transconduttanza corporea = Modifica della soglia alla tensione di base*Transconduttanza

Tensione di polarizzazione del MOSFET

Partire Tensione di polarizzazione istantanea totale = Tensione di polarizzazione CC+Tensione CC

Tensione di saturazione del MOSFET

Partire Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio

Guadagno di tensione massimo dato tutte le tensioni

Partire Guadagno di tensione massimo = (Tensione di alimentazione-0.3)/Tensione termica

Transconduttanza nei MOSFET

Partire Transconduttanza = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive

Fattore di amplificazione nel modello MOSFET a piccolo segnale

Partire Fattore di amplificazione = Transconduttanza*Resistenza di uscita

Tensione di soglia del MOSFET

Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET

Partire Conduttanza del canale = 1/Resistenza lineare

Effetto del corpo sulla transconduttanza Formula

Transconduttanza corporea = Modifica della soglia alla tensione di base*Transconduttanza
g_mb = Χ*g_m

Cos'è il guadagno di tensione?

La differenza tra il livello di tensione del segnale di uscita in decibel e il livello di tensione del segnale di ingresso in decibel; questo valore è pari a 20 volte il logaritmo comune del rapporto tra la tensione di uscita e la tensione di ingresso.

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