Porta para capacitância de fonte Calculadora

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Projeto VLSI analógico

Otimização de materiais VLSI

✖Capacitância de porta é a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.ⓘ Capacitância do portão [C_g]			+10% -10%
✖A capacitância porta-base é definida como a capacitância observada entre a porta e a base da junção do MOSFET.ⓘ Porta para capacitância base [C_gb]			+10% -10%
✖A capacitância de porta para dreno é definida como a capacitância observada entre a porta e o dreno da junção do MOSFET.ⓘ Porta para drenar a capacitância [C_gd]			+10% -10%

✖A capacitância porta-fonte é definida como a capacitância observada entre a porta e a fonte da junção do MOSFET.ⓘ Porta para capacitância de fonte [C_gs]

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Fórmula

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Porta para capacitância de fonte

Fórmula

`"C"_{"gs"} = "C"_{"g"}-("C"_{"gb"}+"C"_{"gd"})`

Exemplo

`"14.61μF"="59.61μF"-("35μF"+"10μF")`

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Porta para capacitância de fonte Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Porta para capacitância de fonte = Capacitância do portão-(Porta para capacitância base+Porta para drenar a capacitância)
C_gs = C_g-(C_gb+C_gd)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Porta para capacitância de fonte - (Medido em Farad) - A capacitância porta-fonte é definida como a capacitância observada entre a porta e a fonte da junção do MOSFET.
Capacitância do portão - (Medido em Farad) - Capacitância de porta é a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.
Porta para capacitância base - (Medido em Farad) - A capacitância porta-base é definida como a capacitância observada entre a porta e a base da junção do MOSFET.
Porta para drenar a capacitância - (Medido em Farad) - A capacitância de porta para dreno é definida como a capacitância observada entre a porta e o dreno da junção do MOSFET.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Capacitância do portão: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Verifique a conversão aqui)
Porta para capacitância base: 35 Microfarad --> 3.5E-05 Farad (Verifique a conversão aqui)
Porta para drenar a capacitância: 10 Microfarad --> 1E-05 Farad (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_gs = C_g-(C_gb+C_gd) --> 5.961E-05-(3.5E-05+1E-05)

Avaliando ... ...

C_gs = 1.461E-05

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.461E-05 Farad -->14.61 Microfarad (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

14.61 Microfarad <-- Porta para capacitância de fonte

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 16 Projeto VLSI analógico Calculadoras

Potencial entre Fonte e Corpo

Vai Diferença potencial do corpo de origem = Potencial de Superfície/(2*ln(Concentração do aceitante/Concentração Intrínseca))

Porta para drenar a capacitância

Vai Porta para drenar a capacitância = Capacitância do portão-(Porta para capacitância base+Porta para capacitância de fonte)

Porta para capacitância base

Vai Porta para capacitância base = Capacitância do portão-(Porta para capacitância de fonte+Porta para drenar a capacitância)

Porta para capacitância de fonte

Vai Porta para capacitância de fonte = Capacitância do portão-(Porta para capacitância base+Porta para drenar a capacitância)

Tensão de drenagem

Vai Tensão do Coletor Base = sqrt(Potência Dinâmica/(Frequência*Capacitância))

Gate to Channel Voltage

Vai Tensão do portão para o canal = (Taxa de canal/Capacitância do portão)+Tensão de limiar

Potencial do dreno para a fonte

Vai Drenar para Potencial de Fonte = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Coeficiente DIBL

Potencial de porta para drenagem

Vai Potencial de porta para drenagem = 2*Tensão do portão para o canal-Potencial de porta para fonte

Potencial de porta para coletor

Vai Tensão do portão para o canal = (Potencial de porta para fonte+Potencial de porta para drenagem)/2

Potencial de porta para fonte

Vai Potencial de porta para fonte = 2*Tensão do portão para o canal-Potencial de porta para drenagem

Tensão de entrada baixa máxima

Vai Tensão de entrada máxima baixa = Margem de baixo ruído+Tensão máxima de saída baixa

Tensão de saída máxima baixa

Vai Tensão máxima de saída baixa = Tensão de entrada máxima baixa-Margem de baixo ruído

Margem de Baixo Ruído

Vai Margem de baixo ruído = Tensão de entrada máxima baixa-Tensão máxima de saída baixa

Tensão de saída alta mínima

Vai Tensão Mínima de Alta Saída = Margem de alto ruído+Tensão de entrada mínima alta

Tensão de entrada alta mínima

Vai Tensão de entrada mínima alta = Tensão Mínima de Alta Saída-Margem de alto ruído

Margem de ruído alto

Vai Margem de alto ruído = Tensão Mínima de Alta Saída-Tensão de entrada mínima alta

Porta para capacitância de fonte Fórmula

Porta para capacitância de fonte = Capacitância do portão-(Porta para capacitância base+Porta para drenar a capacitância)
C_gs = C_g-(C_gb+C_gd)

O que é capacitância parasitária?

Capacitância parasita, ou capacitância parasita, é uma capacitância inevitável e geralmente indesejada que existe entre as partes de um componente ou circuito eletrônico simplesmente por causa de sua proximidade umas das outras.

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