Gate-Source-Kapazität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gate-Source-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)
Cgs = Cg-(Cgb+Cgd)
Diese formel verwendet 4 Variablen
Verwendete Variablen
Gate-Source-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Source-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Source des MOSFET-Übergangs beobachtet wird.
Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.
Gate-zu-Basis-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Basis-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen dem Gate und der Basis der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.
Gate-to-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Gate-Kapazität: 59.61 Mikrofarad --> 5.961E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-zu-Basis-Kapazität: 35 Mikrofarad --> 3.5E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-to-Drain-Kapazität: 10 Mikrofarad --> 1E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Cgs = Cg-(Cgb+Cgd) --> 5.961E-05-(3.5E-05+1E-05)
Auswerten ... ...
Cgs = 1.461E-05
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.461E-05 Farad -->14.61 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
14.61 Mikrofarad <-- Gate-Source-Kapazität
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

16 Analoges VLSI-Design Taschenrechner

Potenzial zwischen Quelle und Körper
Gehen Potenzialdifferenz des Quellkörpers = Oberflächenpotential/(2*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration))
Drain Voltage
Gehen Basiskollektorspannung = sqrt(Dynamische Kraft/(Frequenz*Kapazität))
Gate-zu-Basis-Kapazität
Gehen Gate-zu-Basis-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-Source-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)
Gate-to-Drain-Kapazität
Gehen Gate-to-Drain-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-Source-Kapazität)
Gate-Source-Kapazität
Gehen Gate-Source-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)
Potenzial von Drain zu Source
Gehen Drain-to-Source-Potenzial = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/DIBL-Koeffizient
Gate-zu-Kanal-Spannung
Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Kanalgebühr/Gate-Kapazität)+Grenzspannung
Maximale niedrige Ausgangsspannung
Gehen Maximal niedrige Ausgangsspannung = Maximal niedrige Eingangsspannung-Geringer Rauschabstand
Maximal niedrige Eingangsspannung
Gehen Maximal niedrige Eingangsspannung = Geringer Rauschabstand+Maximal niedrige Ausgangsspannung
Geringer Rauschabstand
Gehen Geringer Rauschabstand = Maximal niedrige Eingangsspannung-Maximal niedrige Ausgangsspannung
Minimale hohe Ausgangsspannung
Gehen Minimale hohe Ausgangsspannung = Hoher Rauschabstand+Minimale hohe Eingangsspannung
Minimale hohe Eingangsspannung
Gehen Minimale hohe Eingangsspannung = Minimale hohe Ausgangsspannung-Hoher Rauschabstand
Hoher Rauschabstand
Gehen Hoher Rauschabstand = Minimale hohe Ausgangsspannung-Minimale hohe Eingangsspannung
Tor zur Ableitung von Potenzial
Gehen Tor zur Potenzialentwässerung = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor-zu-Quelle-Potenzial
Gate-to-Collector-Potenzial
Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Tor-zu-Quelle-Potenzial+Tor zur Potenzialentwässerung)/2
Tor-zu-Quelle-Potenzial
Gehen Tor-zu-Quelle-Potenzial = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor zur Potenzialentwässerung

Gate-Source-Kapazität Formel

Gate-Source-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)
Cgs = Cg-(Cgb+Cgd)

Was ist parasitäre Kapazität?

Parasitäre Kapazität oder Streukapazität ist eine unvermeidbare und normalerweise unerwünschte Kapazität, die zwischen den Teilen einer elektronischen Komponente oder Schaltung einfach aufgrund ihrer Nähe zueinander besteht.

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