Ganho de tensão dada tensão de dreno Calculadora

✖Corrente de dreno é a corrente que flui entre o dreno e os terminais de fonte de um transistor de efeito de campo (FET), que é um tipo de transistor comumente usado em circuitos eletrônicos.ⓘ Corrente de drenagem [i_d]			+10% -10%
✖A resistência de carga é a resistência externa conectada entre o terminal de drenagem do MOSFET e a tensão da fonte de alimentação.ⓘ Resistência de carga [R_L]			+10% -10%
✖A tensão efetiva em um MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) é a tensão que determina o comportamento do dispositivo. Também é conhecida como tensão porta-fonte.ⓘ Tensão Efetiva [V_eff]			+10% -10%

✖O ganho de tensão é uma medida da amplificação de um sinal elétrico por um amplificador. É a relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada do circuito, expressa em decibéis (dB).ⓘ Ganho de tensão dada tensão de dreno [A_v]

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Fórmula

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Ganho de tensão dada tensão de dreno

Fórmula

`"A"_{"v"} = ("i"_{"d"}*"R"_{"L"}*2)/"V"_{"eff"}`

Exemplo

`"0.026353"=("0.08mA"*"0.28kΩ"*2)/"1.7V"`

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Ganho de tensão dada tensão de dreno Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva
A_v = (i_d*R_L*2)/V_eff
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Ganho de tensão - O ganho de tensão é uma medida da amplificação de um sinal elétrico por um amplificador. É a relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada do circuito, expressa em decibéis (dB).
Corrente de drenagem - (Medido em Ampere) - Corrente de dreno é a corrente que flui entre o dreno e os terminais de fonte de um transistor de efeito de campo (FET), que é um tipo de transistor comumente usado em circuitos eletrônicos.
Resistência de carga - (Medido em Ohm) - A resistência de carga é a resistência externa conectada entre o terminal de drenagem do MOSFET e a tensão da fonte de alimentação.
Tensão Efetiva - (Medido em Volt) - A tensão efetiva em um MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) é a tensão que determina o comportamento do dispositivo. Também é conhecida como tensão porta-fonte.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Corrente de drenagem: 0.08 Miliamperes --> 8E-05 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Resistência de carga: 0.28 Quilohm --> 280 Ohm (Verifique a conversão aqui)
Tensão Efetiva: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

A_v = (i_d*R_L*2)/V_eff --> (8E-05*280*2)/1.7

Avaliando ... ...

A_v = 0.0263529411764706

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0263529411764706 --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.0263529411764706 ≈ 0.026353 <-- Ganho de tensão

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 6 Fator/ganho de amplificação Calculadoras

Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET

Vai Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)

Ganho de tensão máximo no ponto de polarização

Vai Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)

Ganho de tensão dada tensão de dreno

Vai Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva

Ganho de tensão com mudança de fase usando transcondutância

Vai Ganho de tensão de mudança de fase = -(Transcondutância*Resistência de carga)

Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões

Vai Ganho Máximo de Tensão = (Tensão de alimentação-0.3)/Tensão Térmica

Ganho de tensão usando um único componente de tensão de dreno

Vai Ganho de tensão = Tensão de Drenagem/Sinal de entrada

< 15 Características MOSFET Calculadoras

Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source

Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET

Vai Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)

Frequência de Transição do MOSFET

Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Largura do portão para o canal de origem do MOSFET

Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)

Ganho de tensão máximo no ponto de polarização

Vai Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)

Ganho de tensão usando sinal pequeno

Vai Ganho de tensão = Transcondutância*1/(1/Resistência de carga+1/Resistência Finita)

Ganho de tensão dada tensão de dreno

Vai Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva

Tensão de polarização do MOSFET

Vai Tensão de polarização instantânea total = Tensão de polarização CC+Voltagem de corrente contínua

Efeito Corporal na Transcondutância

Vai Transcondutância Corporal = Alteração no limite para a tensão de base*Transcondutância

Tensão de saturação do MOSFET

Vai Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar

Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões

Vai Ganho Máximo de Tensão = (Tensão de alimentação-0.3)/Tensão Térmica

Transcondutância em MOSFET

Vai Transcondutância = (2*Corrente de drenagem)/Tensão de ultrapassagem

Fator de amplificação no modelo MOSFET de sinal pequeno

Vai Fator de Amplificação = Transcondutância*Resistência de saída

Tensão limite do MOSFET

Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva

Condutância na Resistência Linear do MOSFET

Vai Condutância do Canal = 1/Resistência Linear

Ganho de tensão dada tensão de dreno Fórmula

Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva
A_v = (i_d*R_L*2)/V_eff

O que a rejeição de modo comum faz?

A rejeição de modo comum é a capacidade do amplificador diferencial (que fica entre o osciloscópio e as pontas de prova como um pré-amplificador de condicionamento de sinal) de eliminar a tensão de modo comum da saída. Mas à medida que as frequências de sinal aumentam, o CMRR se deteriora.

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