Guadagno di tensione data la tensione di drain calcolatrice

✖La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.ⓘ Assorbimento di corrente [i_d]			+10% -10%
✖La resistenza di carico è la resistenza esterna collegata tra il terminale di drain del MOSFET e la tensione di alimentazione.ⓘ Resistenza al carico [R_L]			+10% -10%
✖La tensione effettiva in un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) è la tensione che determina il comportamento del dispositivo. È anche conosciuta come tensione gate-source.ⓘ Tensione effettiva [V_eff]			+10% -10%

✖Il guadagno di tensione è una misura dell'amplificazione di un segnale elettrico da parte di un amplificatore. È il rapporto tra la tensione di uscita e la tensione di ingresso del circuito, espresso in decibel (dB).ⓘ Guadagno di tensione data la tensione di drain [A_v]

⎘ Copia

👎

Formula

✖

Guadagno di tensione data la tensione di drain

Formula

`"A"_{"v"} = ("i"_{"d"}*"R"_{"L"}*2)/"V"_{"eff"}`

Esempio

`"0.026353"=("0.08mA"*"0.28kΩ"*2)/"1.7V"`

Calcolatrice

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento MOSFET Formula PDF PDF Image

Guadagno di tensione data la tensione di drain Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Guadagno di tensione = (Assorbimento di corrente*Resistenza al carico*2)/Tensione effettiva
A_v = (i_d*R_L*2)/V_eff
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Guadagno di tensione - Il guadagno di tensione è una misura dell'amplificazione di un segnale elettrico da parte di un amplificatore. È il rapporto tra la tensione di uscita e la tensione di ingresso del circuito, espresso in decibel (dB).
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.
Resistenza al carico - (Misurato in Ohm) - La resistenza di carico è la resistenza esterna collegata tra il terminale di drain del MOSFET e la tensione di alimentazione.
Tensione effettiva - (Misurato in Volt) - La tensione effettiva in un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) è la tensione che determina il comportamento del dispositivo. È anche conosciuta come tensione gate-source.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Assorbimento di corrente: 0.08 Millampere --> 8E-05 Ampere (Controlla la conversione qui)
Resistenza al carico: 0.28 Kilohm --> 280 Ohm (Controlla la conversione qui)
Tensione effettiva: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

A_v = (i_d*R_L*2)/V_eff --> (8E-05*280*2)/1.7

Valutare ... ...

A_v = 0.0263529411764706

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0263529411764706 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.0263529411764706 ≈ 0.026353 <-- Guadagno di tensione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » MOSFET » Elettronica analogica » Fattore di amplificazione/guadagno » Guadagno di tensione data la tensione di drain

Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 6 Fattore di amplificazione/guadagno Calcolatrici

Guadagno di tensione data la resistenza di carico del MOSFET

Partire Guadagno di tensione = Transconduttanza*(1/(1/Resistenza al carico+1/Resistenza di uscita))/(1+Transconduttanza*Resistenza alla fonte)

Guadagno di tensione massimo al punto di polarizzazione

Partire Guadagno di tensione massimo = 2*(Tensione di alimentazione-Tensione effettiva)/(Tensione effettiva)

Guadagno di tensione data la tensione di drain

Partire Guadagno di tensione = (Assorbimento di corrente*Resistenza al carico*2)/Tensione effettiva

Guadagno di tensione massimo dato tutte le tensioni

Partire Guadagno di tensione massimo = (Tensione di alimentazione-0.3)/Tensione termica

Guadagno di tensione sfasato utilizzando la transconduttanza

Partire Guadagno di tensione di sfasamento = -(Transconduttanza*Resistenza al carico)

Guadagno di tensione utilizzando un singolo componente della tensione di drenaggio

Partire Guadagno di tensione = Tensione di scarico/Segnale di input

< 15 Caratteristiche del MOSFET Calcolatrici

Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Guadagno di tensione data la resistenza di carico del MOSFET

Partire Guadagno di tensione = Transconduttanza*(1/(1/Resistenza al carico+1/Resistenza di uscita))/(1+Transconduttanza*Resistenza alla fonte)

Frequenza di transizione del MOSFET

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET

Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)

Guadagno di tensione massimo al punto di polarizzazione

Partire Guadagno di tensione massimo = 2*(Tensione di alimentazione-Tensione effettiva)/(Tensione effettiva)

Guadagno di tensione data la tensione di drain

Partire Guadagno di tensione = (Assorbimento di corrente*Resistenza al carico*2)/Tensione effettiva

Guadagno di tensione usando il segnale piccolo

Partire Guadagno di tensione = Transconduttanza*1/(1/Resistenza al carico+1/Resistenza finita)

Effetto del corpo sulla transconduttanza

Partire Transconduttanza corporea = Modifica della soglia alla tensione di base*Transconduttanza

Tensione di polarizzazione del MOSFET

Partire Tensione di polarizzazione istantanea totale = Tensione di polarizzazione CC+Tensione CC

Tensione di saturazione del MOSFET

Partire Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio

Guadagno di tensione massimo dato tutte le tensioni

Partire Guadagno di tensione massimo = (Tensione di alimentazione-0.3)/Tensione termica

Transconduttanza nei MOSFET

Partire Transconduttanza = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive

Fattore di amplificazione nel modello MOSFET a piccolo segnale

Partire Fattore di amplificazione = Transconduttanza*Resistenza di uscita

Tensione di soglia del MOSFET

Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET

Partire Conduttanza del canale = 1/Resistenza lineare

Guadagno di tensione data la tensione di drain Formula

Guadagno di tensione = (Assorbimento di corrente*Resistenza al carico*2)/Tensione effettiva
A_v = (i_d*R_L*2)/V_eff

Cosa fa il rifiuto in modalità comune?

La reiezione di modo comune è la capacità dell'amplificatore differenziale (che si trova tra l'oscilloscopio e le sonde come preamplificatore di condizionamento del segnale) di eliminare la tensione di modo comune dall'uscita. Ma quando le frequenze del segnale aumentano, CMRR si deteriora.

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!