Gain de tension donné Tension de drain Calculatrice

✖Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.ⓘ Courant de vidange [i_d]			+10% -10%
✖La résistance de charge est la résistance externe connectée entre la borne de drain du MOSFET et la tension d'alimentation.ⓘ Résistance à la charge [R_L]			+10% -10%
✖La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.ⓘ Tension efficace [V_eff]			+10% -10%

✖Le gain de tension est une mesure de l'amplification d'un signal électrique par un amplificateur. C'est le rapport de la tension de sortie à la tension d'entrée du circuit, exprimé en décibels (dB).ⓘ Gain de tension donné Tension de drain [A_v]

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Formule

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Gain de tension donné Tension de drain

Formule

`"A"_{"v"} = ("i"_{"d"}*"R"_{"L"}*2)/"V"_{"eff"}`

Exemple

`"0.026353"=("0.08mA"*"0.28kΩ"*2)/"1.7V"`

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Gain de tension donné Tension de drain Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Gain de tension = (Courant de vidange*Résistance à la charge*2)/Tension efficace
A_v = (i_d*R_L*2)/V_eff
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Gain de tension - Le gain de tension est une mesure de l'amplification d'un signal électrique par un amplificateur. C'est le rapport de la tension de sortie à la tension d'entrée du circuit, exprimé en décibels (dB).
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.
Résistance à la charge - (Mesuré en Ohm) - La résistance de charge est la résistance externe connectée entre la borne de drain du MOSFET et la tension d'alimentation.
Tension efficace - (Mesuré en Volt) - La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant de vidange: 0.08 Milliampère --> 8E-05 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Résistance à la charge: 0.28 Kilohm --> 280 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Tension efficace: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

A_v = (i_d*R_L*2)/V_eff --> (8E-05*280*2)/1.7

Évaluer ... ...

A_v = 0.0263529411764706

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.0263529411764706 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.0263529411764706 ≈ 0.026353 <-- Gain de tension

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 6 Facteur/Gain d'amplification Calculatrices

Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET

Aller Gain de tension = Transconductance*(1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie))/(1+Transconductance*Résistance à la source)

Gain de tension maximal au point de polarisation

Aller Gain de tension maximal = 2*(Tension d'alimentation-Tension efficace)/(Tension efficace)

Gain de tension donné Tension de drain

Aller Gain de tension = (Courant de vidange*Résistance à la charge*2)/Tension efficace

Gain de tension déphasé utilisant la transconductance

Aller Gain de tension de déphasage = -(Transconductance*Résistance à la charge)

Gain de tension maximum compte tenu de toutes les tensions

Aller Gain de tension maximal = (Tension d'alimentation-0.3)/Tension thermique

Gain de tension à l'aide d'un seul composant de la tension de drain

Aller Gain de tension = Tension de vidange/Signal d'entrée

< 15 Caractéristiques du MOSFET Calculatrices

Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source

Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET

Aller Gain de tension = Transconductance*(1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie))/(1+Transconductance*Résistance à la source)

Fréquence de transition du MOSFET

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Largeur du canal porte à source du MOSFET

Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)

Gain de tension maximal au point de polarisation

Aller Gain de tension maximal = 2*(Tension d'alimentation-Tension efficace)/(Tension efficace)

Gain de tension en utilisant un petit signal

Aller Gain de tension = Transconductance*1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance finie)

Gain de tension donné Tension de drain

Aller Gain de tension = (Courant de vidange*Résistance à la charge*2)/Tension efficace

Effet corporel sur la transconductance

Aller Transconductance corporelle = Modification du seuil à la tension de base*Transconductance

Tension de polarisation du MOSFET

Aller Tension de polarisation instantanée totale = Tension de polarisation CC+Tension continue

Tension de saturation du MOSFET

Aller Tension de saturation du drain et de la source = Tension grille-source-Tension de seuil

Gain de tension maximum compte tenu de toutes les tensions

Aller Gain de tension maximal = (Tension d'alimentation-0.3)/Tension thermique

Transconductance dans MOSFET

Aller Transconductance = (2*Courant de vidange)/Tension de surmultiplication

Facteur d'amplification dans le modèle MOSFET à petit signal

Aller Facteur d'amplification = Transconductance*Résistance de sortie

Tension de seuil du MOSFET

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET

Aller Conductance du canal = 1/Résistance linéaire

Gain de tension donné Tension de drain Formule

Gain de tension = (Courant de vidange*Résistance à la charge*2)/Tension efficace
A_v = (i_d*R_L*2)/V_eff

Que fait le rejet de mode commun?

Le rejet de mode commun est la capacité de l'amplificateur différentiel (qui se trouve entre l'oscilloscope et les sondes en tant que préampli de conditionnement de signal) à éliminer la tension de mode commun de la sortie. Mais à mesure que les fréquences des signaux augmentent, le CMRR se détériore.

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