Energia fotoelétron Calculadora

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Portadores de semicondutores

✖A frequência da luz incidente refere-se ao número de ciclos completos de ondas eletromagnéticas que passam por um determinado ponto no espaço por unidade de tempo.ⓘ Frequência da Luz Incidente [f]

+10%

-10%

✖A energia do fotoelétron refere-se à energia cinética de um elétron que é emitido ou liberado de um material ou átomo quando absorve um fóton de energia suficiente.ⓘ Energia fotoelétron [E_photo]

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Fórmula

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Energia fotoelétron

Fórmula

`"E"_{"photo"} = "[hP]"*"f"`

Exemplo

`"757.4472eV"="[hP]"*"183.15PHz"`

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Energia fotoelétron Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Energia fotoelétron = [hP]*Frequência da Luz Incidente
E_photo = [hP]*f
Esta fórmula usa 1 Constantes, 2 Variáveis

Constantes Usadas

[hP] - Constante de Planck Valor considerado como 6.626070040E-34

Variáveis Usadas

Energia fotoelétron - (Medido em Joule) - A energia do fotoelétron refere-se à energia cinética de um elétron que é emitido ou liberado de um material ou átomo quando absorve um fóton de energia suficiente.
Frequência da Luz Incidente - (Medido em Hertz) - A frequência da luz incidente refere-se ao número de ciclos completos de ondas eletromagnéticas que passam por um determinado ponto no espaço por unidade de tempo.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Frequência da Luz Incidente: 183.15 petahertz --> 1.8315E+17 Hertz (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

E_photo = [hP]*f --> [hP]*1.8315E+17

Avaliando ... ...

E_photo = 1.213564727826E-16

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.213564727826E-16 Joule -->757.447197075242 Electron-Volt (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

757.447197075242 ≈ 757.4472 Electron-Volt <-- Energia fotoelétron

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 20 Banda de energia Calculadoras

Concentração de Portadores Intrínsecos

Vai Concentração de Portadores Intrínsecos = sqrt(Densidade efetiva de estado na banda de valência*Densidade efetiva de estado na banda de condução)*exp(-Diferença de energia/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Tempo de vida da transportadora

Vai Vida útil da operadora = 1/(Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Buracos na Banda de Valência+Concentração de elétrons na banda de condução))

Concentração de elétrons em estado estacionário

Vai Concentração de portadores em estado estacionário = Concentração de elétrons na banda de condução+Concentração de Transportador em Excesso

Energia do elétron dada a constante de Coulomb

Vai energia do elétron = (Número quântico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Comprimento potencial do poço^2)

Tempo de vida de recombinação

Vai Tempo de vida de recombinação = (Proporcionalidade para recombinação*Concentração de Buracos na Banda de Valência)^-1

Estado de densidade efetiva na banda de valência

Vai Densidade efetiva de estado na banda de valência = Concentração de Buracos na Banda de Valência/(1-Função Fermi)

Concentração de Buracos na Banda de Valência

Vai Concentração de Buracos na Banda de Valência = Densidade efetiva de estado na banda de valência*(1-Função Fermi)

Concentração na Banda de Condução

Vai Concentração de elétrons na banda de condução = Densidade efetiva de estado na banda de condução*Função Fermi

Densidade Efetiva de Estado

Vai Densidade efetiva de estado na banda de condução = Concentração de elétrons na banda de condução/Função Fermi

Função Fermi

Vai Função Fermi = Concentração de elétrons na banda de condução/Densidade efetiva de estado na banda de condução

Coeficiente de Distribuição

Vai Coeficiente de distribuição = Concentração de Impurezas no Sólido/Concentração de impurezas no líquido

Concentração Líquida

Vai Concentração de impurezas no líquido = Concentração de Impurezas no Sólido/Coeficiente de distribuição

Taxa Líquida de Mudança na Banda de Condução

Vai Proporcionalidade para recombinação = Geração Térmica/(Concentração de Portadores Intrínsecos^2)

Taxa de Geração Térmica

Vai Geração Térmica = Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Portadores Intrínsecos^2)

Excesso de concentração de portador

Vai Concentração de Transportador em Excesso = Taxa de geração óptica*Tempo de vida de recombinação

Taxa de geração óptica

Vai Taxa de geração óptica = Concentração de Transportador em Excesso/Tempo de vida de recombinação

Energia da Banda de Valência

Vai Energia da Banda de Valência = Energia da Banda de Condução-Diferença de energia

Energia da Banda de Condução

Vai Energia da Banda de Condução = Diferença de energia+Energia da Banda de Valência

Diferença de energia

Vai Diferença de energia = Energia da Banda de Condução-Energia da Banda de Valência

Energia fotoelétron

Vai Energia fotoelétron = [hP]*Frequência da Luz Incidente

< 15 Portadores de semicondutores Calculadoras

Concentração de Portadores Intrínsecos

Tempo de vida da transportadora

Vai Vida útil da operadora = 1/(Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Buracos na Banda de Valência+Concentração de elétrons na banda de condução))

estado quântico

Vai Energia no Estado Quântico = (Número quântico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*massa de partícula*Comprimento potencial do poço^2)

Densidade de fluxo de elétrons

Vai Densidade do fluxo de elétrons = (Elétron de caminho livre médio/(2*Tempo))*Diferença na concentração de elétrons

Raio da Nésima Órbita do Elétron

Vai Raio da enésima órbita do elétron = ([Coulomb]*Número quântico^2*[hP]^2)/(massa de partícula*[Charge-e]^2)

Estado de densidade efetiva na banda de valência

Vai Densidade efetiva de estado na banda de valência = Concentração de Buracos na Banda de Valência/(1-Função Fermi)

Função Fermi

Vai Função Fermi = Concentração de elétrons na banda de condução/Densidade efetiva de estado na banda de condução

Coeficiente de Distribuição

Vai Coeficiente de distribuição = Concentração de Impurezas no Sólido/Concentração de impurezas no líquido

Densidade de corrente de elétrons

Vai Densidade de Corrente Eletrônica = Densidade total de corrente portadora-Densidade atual do furo

Densidade de corrente de furo

Vai Densidade atual do furo = Densidade total de corrente portadora-Densidade de Corrente Eletrônica

Excesso de concentração de portador

Vai Concentração de Transportador em Excesso = Taxa de geração óptica*Tempo de vida de recombinação

Multiplicação de elétrons

Vai Multiplicação de elétrons = Número de elétrons fora da região/Número de elétrons na região

Tempo médio gasto por buraco

Vai Tempo médio gasto por buraco = Taxa de geração óptica*Decaimento do portador majoritário

Energia da Banda de Condução

Vai Energia da Banda de Condução = Diferença de energia+Energia da Banda de Valência

Energia fotoelétron

Vai Energia fotoelétron = [hP]*Frequência da Luz Incidente

Energia fotoelétron Fórmula

Energia fotoelétron = [hP]*Frequência da Luz Incidente
E_photo = [hP]*f

Como encontrar a constante de Coulomb?

A força é modelada com base na carga e na distância, e a constante de Coulomb (k) é conhecida como constante de proporcionalidade na equação F=k qq/r2.

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