Energia fotoelettronica calcolatrice

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✖La frequenza della luce incidente si riferisce al numero di cicli completi di onde elettromagnetiche che attraversano un dato punto nello spazio per unità di tempo.ⓘ Frequenza della luce incidente [f]

+10%

-10%

✖L'energia fotoelettronica si riferisce all'energia cinetica di un elettrone che viene emesso o liberato da un materiale o atomo quando assorbe un fotone di energia sufficiente.ⓘ Energia fotoelettronica [E_photo]

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Formula

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Energia fotoelettronica

Formula

`"E"_{"photo"} = "[hP]"*"f"`

Esempio

`"757.4472eV"="[hP]"*"183.15PHz"`

Calcolatrice

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Energia fotoelettronica Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente
E_photo = [hP]*f
Questa formula utilizza 1 Costanti, 2 Variabili

Costanti utilizzate

[hP] - Costante di Planck Valore preso come 6.626070040E-34

Variabili utilizzate

Energia fotoelettronica - (Misurato in Joule) - L'energia fotoelettronica si riferisce all'energia cinetica di un elettrone che viene emesso o liberato da un materiale o atomo quando assorbe un fotone di energia sufficiente.
Frequenza della luce incidente - (Misurato in Hertz) - La frequenza della luce incidente si riferisce al numero di cicli completi di onde elettromagnetiche che attraversano un dato punto nello spazio per unità di tempo.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Frequenza della luce incidente: 183.15 Petahertz --> 1.8315E+17 Hertz (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

E_photo = [hP]*f --> [hP]*1.8315E+17

Valutare ... ...

E_photo = 1.213564727826E-16

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.213564727826E-16 Joule -->757.447197075242 Electron-Volt (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

757.447197075242 ≈ 757.4472 Electron-Volt <-- Energia fotoelettronica

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 20 Banda Energetica Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))

Concentrazione di elettroni in stato stazionario

Partire Concentrazione di portatori di stato stazionario = Concentrazione elettronica in banda di conduzione+Concentrazione in eccesso di portatori

Energia dell'elettrone data la costante di Coulomb

Partire Energia dell'elettrone = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Lunghezza potenziale del pozzo^2)

Concentrazione in banda di conduzione

Partire Concentrazione elettronica in banda di conduzione = Densità di stato effettiva in banda di conduzione*Funzione di Fermi

Densità effettiva di stato

Partire Densità di stato effettiva in banda di conduzione = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Funzione di Fermi

Funzione di Fermi

Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione

Concentrazione dei buchi nella banda di valenza

Partire Concentrazione dei buchi nella banda di Valance = Densità di stato effettiva in banda di valenza*(1-Funzione di Fermi)

Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza

Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)

Ricombinazione a vita

Partire Ricombinazione a vita = (Proporzionalità per la ricombinazione*Concentrazione dei buchi nella banda di Valance)^-1

Coefficiente di distribuzione

Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido

Concentrazione liquida

Partire Concentrazione di impurità nel liquido = Concentrazione di impurità nel solido/Coefficiente di distribuzione

Tasso netto di variazione della banda di conduzione

Partire Proporzionalità per la ricombinazione = Generazione termica/(Concentrazione portante intrinseca^2)

Tasso di generazione termica

Partire Generazione termica = Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione portante intrinseca^2)

Eccessiva concentrazione del vettore

Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita

Velocità di generazione ottica

Partire Velocità di generazione ottica = Concentrazione in eccesso di portatori/Ricombinazione a vita

Energia della banda di conduzione

Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza

Energia della banda di valenza

Partire Energia della banda di valenza = Energia della banda di conduzione-Divario Energetico

Divario energetico

Partire Divario Energetico = Energia della banda di conduzione-Energia della banda di valenza

Energia fotoelettronica

Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

< 15 Porta semiconduttori Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))

Densità del flusso di elettroni

Partire Densità del flusso di elettroni = (Elettrone a cammino libero medio/(2*Tempo))*Differenza nella concentrazione di elettroni

Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone

Partire Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone = ([Coulomb]*Numero quantico^2*[hP]^2)/(Massa della particella*[Charge-e]^2)

Stato quantico

Partire Energia in stato quantico = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa della particella*Lunghezza potenziale del pozzo^2)

Funzione di Fermi

Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione

Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza

Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)

Coefficiente di distribuzione

Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido

Densità della corrente elettronica

Partire Densità di corrente elettronica = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente del foro

Densità di corrente del foro

Partire Densità di corrente del foro = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente elettronica

Moltiplicazione di elettroni

Partire Moltiplicazione elettronica = Numero di elettroni fuori regione/Numero di elettroni nella regione

Tempo medio speso per buca

Partire Tempo medio speso per buca = Velocità di generazione ottica*Decadimento del vettore maggioritario

Eccessiva concentrazione del vettore

Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita

Energia della banda di conduzione

Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza

Energia fotoelettronica

Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

Energia fotoelettronica Formula

Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente
E_photo = [hP]*f

Come trovo la costante di Coulomb?

La forza è modellata in base alla carica e alla distanza e la costante di Coulomb (k) è nota come costante di proporzionalità nell'equazione F=k qq/r2.

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