Capacitância de entrada do IGBT Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância de entrada (IGBT) = Capacitância de porta para emissor (IGBT)+Porta para capacitância do coletor (IGBT)
Cin(igbt) = C(g-e)(igbt)+C(g-c)(igbt)
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Capacitância de entrada (IGBT) - (Medido em Farad) - Capacitância de entrada (IGBT) é a capacitância entre os terminais gate e emissor do dispositivo.
Capacitância de porta para emissor (IGBT) - (Medido em Farad) - Gate to Emitter Capacitance (IGBT) é a capacitância entre os terminais gate e emissor do dispositivo.
Porta para capacitância do coletor (IGBT) - (Medido em Farad) - A capacitância Gate to Collector (IGBT), também conhecida como capacitância de Miller, é uma capacitância parasita que existe entre os terminais gate e coletor de um IGBT.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Capacitância de porta para emissor (IGBT): 0.21 Farad --> 0.21 Farad Nenhuma conversão necessária
Porta para capacitância do coletor (IGBT): 5.55 Farad --> 5.55 Farad Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Cin(igbt) = C(g-e)(igbt)+C(g-c)(igbt) --> 0.21+5.55
Avaliando ... ...
Cin(igbt) = 5.76
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
5.76 Farad --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
5.76 Farad <-- Capacitância de entrada (IGBT)
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Mohamed Fazil V
Instituto de Tecnologia Acharya (AIT), Bengaluru
Mohamed Fazil V criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Parminder Singh
Universidade de Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

8 IGBT Calculadoras

Corrente Nominal Contínua do Coletor do IGBT
​ Vai Corrente direta (IGBT) = (-Tensão Total do Coletor e Emissor (IGBT)+sqrt((Tensão Total do Coletor e Emissor (IGBT))^2+4*Resistência do Coletor e Emissor (IGBT)*((Junção Operacional Máxima (IGBT)-Temperatura da caixa IGBT)/Resistência Térmica (IGBT))))/(2*Resistência do Coletor e Emissor (IGBT))
Queda de tensão no IGBT no estado ON
​ Vai Queda de tensão no estágio (IGBT) = Corrente direta (IGBT)*Resistência do Canal N (IGBT)+Corrente direta (IGBT)*Resistência à Deriva (IGBT)+Junção Pn de Tensão 1 (IGBT)
Tensão de saturação do IGBT
​ Vai Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT) = Tensão base do emissor PNP IGBT+Corrente de drenagem (IGBT)*(Resistência à condutividade IGBT+Resistência do Canal N (IGBT))
Tempo de desligamento do IGBT
​ Vai Tempo de desligamento (IGBT) = Tempo de atraso (IGBT)+Tempo de queda inicial (IGBT)+Tempo Final de Queda (IGBT)
Capacitância de entrada do IGBT
​ Vai Capacitância de entrada (IGBT) = Capacitância de porta para emissor (IGBT)+Porta para capacitância do coletor (IGBT)
Dissipação Máxima de Potência em IGBT
​ Vai Dissipação Máxima de Potência (IGBT) = Junção Operacional Máxima (IGBT)/Junção ao Ângulo da Caixa (IGBT)
Corrente do Emissor do IGBT
​ Vai Corrente do emissor (IGBT) = Corrente do furo (IGBT)+Corrente Eletrônica (IGBT)
Tensão de ruptura de polarização direta do IGBT
​ Vai Tensão de ruptura SOA IGBT = (5.34*10^13)/((Carga Positiva Líquida (IGBT))^(3/4))

Capacitância de entrada do IGBT Fórmula

Capacitância de entrada (IGBT) = Capacitância de porta para emissor (IGBT)+Porta para capacitância do coletor (IGBT)
Cin(igbt) = C(g-e)(igbt)+C(g-c)(igbt)
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