Queda de tensão no IGBT no estado ON Calculadora

✖A corrente direta de um IGBT é a corrente máxima que pode fluir através do dispositivo quando ele está ligado.ⓘ Atual para a frente [I_f]			+10% -10%
✖A resistência do canal N de um IGBT é a resistência do material semicondutor no dispositivo quando o IGBT está ligado.ⓘ Resistência do Canal N [R_ch]			+10% -10%
✖A resistência à deriva de um IGBT é a região de deriva N do material semicondutor no dispositivo. A região de deriva N é um silício dopado espesso que separa o coletor da região de base P.ⓘ Resistência à deriva [R_d]			+10% -10%
✖A tensão Pn Junção 1 é causada pela barreira de potencial que existe na junção. Esta barreira potencial é criada pela difusão de portadores de carga através da junção.ⓘ Junção Pn de Tensão 1 [V_j1]			+10% -10%

✖Estágio ON de queda de tensão em um IGBT é a diferença de tensão entre os terminais coletor e emissor quando o IGBT é ligado. É material semicondutor no dispositivo.ⓘ Queda de tensão no IGBT no estado ON [V_drop]

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Fórmula

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Queda de tensão no IGBT no estado ON

Fórmula

`"V"_{"drop"} = "I"_{"f"}*"R"_{"ch"}+"I"_{"f"}*"R"_{"d"}+"V"_{"j1"}`

Exemplo

`"20.2533V"="1.69mA"*"10.59kΩ"+"1.69mA"*"0.98kΩ"+"0.7V"`

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Queda de tensão no IGBT no estado ON Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Queda de tensão no estágio = Atual para a frente*Resistência do Canal N+Atual para a frente*Resistência à deriva+Junção Pn de Tensão 1
V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Queda de tensão no estágio - (Medido em Volt) - Estágio ON de queda de tensão em um IGBT é a diferença de tensão entre os terminais coletor e emissor quando o IGBT é ligado. É material semicondutor no dispositivo.
Atual para a frente - (Medido em Ampere) - A corrente direta de um IGBT é a corrente máxima que pode fluir através do dispositivo quando ele está ligado.
Resistência do Canal N - (Medido em Ohm) - A resistência do canal N de um IGBT é a resistência do material semicondutor no dispositivo quando o IGBT está ligado.
Resistência à deriva - (Medido em Ohm) - A resistência à deriva de um IGBT é a região de deriva N do material semicondutor no dispositivo. A região de deriva N é um silício dopado espesso que separa o coletor da região de base P.
Junção Pn de Tensão 1 - (Medido em Volt) - A tensão Pn Junção 1 é causada pela barreira de potencial que existe na junção. Esta barreira potencial é criada pela difusão de portadores de carga através da junção.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Atual para a frente: 1.69 Miliamperes --> 0.00169 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Resistência do Canal N: 10.59 Quilohm --> 10590 Ohm (Verifique a conversão aqui)
Resistência à deriva: 0.98 Quilohm --> 980 Ohm (Verifique a conversão aqui)
Junção Pn de Tensão 1: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1 --> 0.00169*10590+0.00169*980+0.7

Avaliando ... ...

V_drop = 20.2533

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

20.2533 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

20.2533 Volt <-- Queda de tensão no estágio

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Mohamed Fazil V

Instituto de Tecnologia Acharya (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

< 8 IGBT Calculadoras

Corrente Nominal Contínua do Coletor do IGBT

Vai Atual para a frente = (-Tensão Total do Coletor e Emissor+sqrt((Tensão Total do Coletor e Emissor)^2+4*Resistência do Coletor e Emissor*((Junção operacional máxima-Temperatura da caixa)/Resistência térmica)))/(2*Resistência do Coletor e Emissor)

Queda de tensão no IGBT no estado ON

Vai Queda de tensão no estágio = Atual para a frente*Resistência do Canal N+Atual para a frente*Resistência à deriva+Junção Pn de Tensão 1

Tensão de saturação do IGBT

Vai Tensão de saturação do coletor para o emissor = Tensão base do emissor do transistor PNP+Corrente de drenagem*(Resistência à Condutividade+Resistência do Canal N)

Tempo de desligamento do IGBT

Vai Desligue o tempo = Tempo de atraso+Tempo inicial de outono+Hora final do outono

Capacitância de entrada do IGBT

Vai Capacitância de entrada = Porta para capacitância do emissor+Porta para capacitância do coletor

Dissipação Máxima de Potência em IGBT

Vai Dissipação Máxima de Potência = Junção operacional máxima/Junção ao Ângulo da Caixa

Tensão de ruptura de polarização direta do IGBT

Vai Tensão de ruptura na área operacional segura = (5.34*10^13)/((Carga Positiva Líquida)^(3/4))

Corrente do Emissor do IGBT

Vai Corrente do Emissor = Corrente do furo+Corrente Eletrônica

Queda de tensão no IGBT no estado ON Fórmula

Queda de tensão no estágio = Atual para a frente*Resistência do Canal N+Atual para a frente*Resistência à deriva+Junção Pn de Tensão 1
V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1

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