Capacitância de entrada do IGBT Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância de entrada = Porta para capacitância do emissor+Porta para capacitância do coletor
Cin = C(g-e)+C(g-c)
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Capacitância de entrada - (Medido em Farad) - A capacitância de entrada de um IGBT é a capacitância entre os terminais de porta e emissor do dispositivo.
Porta para capacitância do emissor - (Medido em Farad) - Porta para capacitância do emissor (C
Porta para capacitância do coletor - (Medido em Farad) - A capacitância de porta para coletor, também conhecida como capacitância de Miller, é uma capacitância parasita que existe entre os terminais de porta e coletor de um IGBT.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Porta para capacitância do emissor: 0.21 Farad --> 0.21 Farad Nenhuma conversão necessária
Porta para capacitância do coletor: 5.55 Farad --> 5.55 Farad Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Cin = C(g-e)+C(g-c) --> 0.21+5.55
Avaliando ... ...
Cin = 5.76
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
5.76 Farad --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
5.76 Farad <-- Capacitância de entrada
(Cálculo concluído em 00.021 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Mohamed Fazil V
Instituto de Tecnologia Acharya (AIT), Bengaluru
Mohamed Fazil V criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Parminder Singh
Universidade de Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

8 IGBT Calculadoras

Corrente Nominal Contínua do Coletor do IGBT
​ Vai Atual para a frente = (-Tensão Total do Coletor e Emissor+sqrt((Tensão Total do Coletor e Emissor)^2+4*Resistência do Coletor e Emissor*((Junção operacional máxima-Temperatura da caixa)/Resistência térmica)))/(2*Resistência do Coletor e Emissor)
Queda de tensão no IGBT no estado ON
​ Vai Queda de tensão no estágio = Atual para a frente*Resistência do Canal N+Atual para a frente*Resistência à deriva+Junção Pn de Tensão 1
Tensão de saturação do IGBT
​ Vai Tensão de saturação do coletor para o emissor = Tensão base do emissor do transistor PNP+Corrente de drenagem*(Resistência à Condutividade+Resistência do Canal N)
Tempo de desligamento do IGBT
​ Vai Desligue o tempo = Tempo de atraso+Tempo inicial de outono+Hora final do outono
Capacitância de entrada do IGBT
​ Vai Capacitância de entrada = Porta para capacitância do emissor+Porta para capacitância do coletor
Dissipação Máxima de Potência em IGBT
​ Vai Dissipação Máxima de Potência = Junção operacional máxima/Junção ao Ângulo da Caixa
Tensão de ruptura de polarização direta do IGBT
​ Vai Tensão de ruptura na área operacional segura = (5.34*10^13)/((Carga Positiva Líquida)^(3/4))
Corrente do Emissor do IGBT
​ Vai Corrente do Emissor = Corrente do furo+Corrente Eletrônica

Capacitância de entrada do IGBT Fórmula

Capacitância de entrada = Porta para capacitância do emissor+Porta para capacitância do coletor
Cin = C(g-e)+C(g-c)
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