Taxa Líquida de Mudança na Banda de Condução Calculadora

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Portadores de semicondutores

✖Taxas de recombinação da Geração Térmica que são balanceadas para que a densidade líquida de portadores de carga permaneça constante.ⓘ Geração Térmica [TG]			+10% -10%
✖A concentração de portadores intrínsecos é usada para descrever a concentração de portadores de carga (elétrons e buracos) em um material semicondutor intrínseco ou não dopado em equilíbrio térmico.ⓘ Concentração de Portadores Intrínsecos [n_i]			+10% -10%

✖A proporcionalidade para recombinação é denotada pelo símbolo αr.ⓘ Taxa Líquida de Mudança na Banda de Condução [α_r]

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Fórmula

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Taxa Líquida de Mudança na Banda de Condução

Fórmula

`"α"_{"r"} = "TG"/("n"_{"i"}^2)`

Exemplo

`"1.2E^-6m³/s"="8.7e10"/(("2.7e8/m³")^2)`

Calculadora

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Taxa Líquida de Mudança na Banda de Condução Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Proporcionalidade para recombinação = Geração Térmica/(Concentração de Portadores Intrínsecos^2)
α_r = TG/(n_i^2)
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Proporcionalidade para recombinação - (Medido em Metro Cúbico por Segundo) - A proporcionalidade para recombinação é denotada pelo símbolo αr.
Geração Térmica - Taxas de recombinação da Geração Térmica que são balanceadas para que a densidade líquida de portadores de carga permaneça constante.
Concentração de Portadores Intrínsecos - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores intrínsecos é usada para descrever a concentração de portadores de carga (elétrons e buracos) em um material semicondutor intrínseco ou não dopado em equilíbrio térmico.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Geração Térmica: 87000000000 --> Nenhuma conversão necessária
Concentração de Portadores Intrínsecos: 270000000 1 por metro cúbico --> 270000000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

α_r = TG/(n_i^2) --> 87000000000/(270000000^2)

Avaliando ... ...

α_r = 1.19341563786008E-06

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.19341563786008E-06 Metro Cúbico por Segundo --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

1.19341563786008E-06 ≈ 1.2E-6 Metro Cúbico por Segundo <-- Proporcionalidade para recombinação

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 20 Banda de energia Calculadoras

Concentração de Portadores Intrínsecos

Vai Concentração de Portadores Intrínsecos = sqrt(Densidade efetiva de estado na banda de valência*Densidade efetiva de estado na banda de condução)*exp(-Diferença de energia/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Tempo de vida da transportadora

Vai Vida útil da operadora = 1/(Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Buracos na Banda de Valência+Concentração de elétrons na banda de condução))

Concentração de elétrons em estado estacionário

Vai Concentração de portadores em estado estacionário = Concentração de elétrons na banda de condução+Concentração de Transportador em Excesso

Energia do elétron dada a constante de Coulomb

Vai energia do elétron = (Número quântico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Comprimento potencial do poço^2)

Tempo de vida de recombinação

Vai Tempo de vida de recombinação = (Proporcionalidade para recombinação*Concentração de Buracos na Banda de Valência)^-1

Estado de densidade efetiva na banda de valência

Vai Densidade efetiva de estado na banda de valência = Concentração de Buracos na Banda de Valência/(1-Função Fermi)

Concentração de Buracos na Banda de Valência

Vai Concentração de Buracos na Banda de Valência = Densidade efetiva de estado na banda de valência*(1-Função Fermi)

Concentração na Banda de Condução

Vai Concentração de elétrons na banda de condução = Densidade efetiva de estado na banda de condução*Função Fermi

Densidade Efetiva de Estado

Vai Densidade efetiva de estado na banda de condução = Concentração de elétrons na banda de condução/Função Fermi

Função Fermi

Vai Função Fermi = Concentração de elétrons na banda de condução/Densidade efetiva de estado na banda de condução

Coeficiente de Distribuição

Vai Coeficiente de distribuição = Concentração de Impurezas no Sólido/Concentração de impurezas no líquido

Concentração Líquida

Vai Concentração de impurezas no líquido = Concentração de Impurezas no Sólido/Coeficiente de distribuição

Taxa Líquida de Mudança na Banda de Condução

Vai Proporcionalidade para recombinação = Geração Térmica/(Concentração de Portadores Intrínsecos^2)

Taxa de Geração Térmica

Vai Geração Térmica = Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Portadores Intrínsecos^2)

Excesso de concentração de portador

Vai Concentração de Transportador em Excesso = Taxa de geração óptica*Tempo de vida de recombinação

Taxa de geração óptica

Vai Taxa de geração óptica = Concentração de Transportador em Excesso/Tempo de vida de recombinação

Energia da Banda de Valência

Vai Energia da Banda de Valência = Energia da Banda de Condução-Diferença de energia

Energia da Banda de Condução

Vai Energia da Banda de Condução = Diferença de energia+Energia da Banda de Valência

Diferença de energia

Vai Diferença de energia = Energia da Banda de Condução-Energia da Banda de Valência

Energia fotoelétron

Vai Energia fotoelétron = [hP]*Frequência da Luz Incidente

Taxa Líquida de Mudança na Banda de Condução Fórmula

Proporcionalidade para recombinação = Geração Térmica/(Concentração de Portadores Intrínsecos^2)
α_r = TG/(n_i^2)

Como você encontra a concentração de um buraco?

Calcule a concentração de elétrons e buracos no Si intrínseco à temperatura ambiente se sua condutividade elétrica for 4x10-4 Mho/M. Dado que Mobilidade do Elétron= 0,14m2/V-sec e Mobilidade dos Buracos=0,04m2/ - Física Aplicada 1. 0,14m2/V-sec e Mobilidade dos Buracos=0,04m2/V-sec.

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