Corrente de junção Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Corrente de Junção = (Potência Estática/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente de contenção+Corrente do portão)
ij = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ig)
Esta fórmula usa 6 Variáveis
Variáveis Usadas
Corrente de Junção - (Medido em Ampere) - Corrente de junção é vazamento de junção de difusões de fonte/dreno.
Potência Estática - (Medido em Watt) - A energia estática é definida como a corrente de fuga devido ao consumo de energia estática muito baixo em dispositivos CMOS.
Tensão do Coletor Base - (Medido em Volt) - A tensão do coletor base é um parâmetro crucial na polarização do transistor. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais base e coletor do transistor quando ele está em seu estado ativo.
Corrente Sublimiar - (Medido em Ampere) - A corrente sublimiar é uma fuga sublimiar através dos transistores OFF.
Corrente de contenção - (Medido em Ampere) - Corrente de contenção é definida como a corrente de contenção que ocorre nos circuitos racionais.
Corrente do portão - (Medido em Ampere) - A corrente da porta é definida como quando não há tensão entre os terminais da porta e da fonte, nenhuma corrente flui no dreno, exceto corrente de fuga, devido a uma impedância dreno-fonte muito alta.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Potência Estática: 0.37 Watt --> 0.37 Watt Nenhuma conversão necessária
Tensão do Coletor Base: 2.22 Volt --> 2.22 Volt Nenhuma conversão necessária
Corrente Sublimiar: 1.6 Miliamperes --> 0.0016 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Corrente de contenção: 25.75 Miliamperes --> 0.02575 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Corrente do portão: 4.5 Miliamperes --> 0.0045 Ampere (Verifique a conversão aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
ij = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ig) --> (0.37/2.22)-(0.0016+0.02575+0.0045)
Avaliando ... ...
ij = 0.134816666666667
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.134816666666667 Ampere -->134.816666666667 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)
RESPOSTA FINAL
134.816666666667 134.8167 Miliamperes <-- Corrente de Junção
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

25 Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI
Vai Densidade de carga da região de esgotamento em massa = -(1-((Extensão lateral da região de esgotamento com fonte+Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno)/(2*Comprimento do canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentração do aceitante*abs(2*Potencial de Superfície))
Coeficiente de Efeito Corporal
Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))
Tensão integrada de junção VLSI
Vai Tensão interna de junção = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentração do aceitante*Concentração de doadores/(Concentração Intrínseca)^2)
Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI
Vai Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensão interna de junção)/([Charge-e]*Concentração do aceitante))
Capacitância Parasítica da Fonte Total
Vai Fonte de capacitância parasita = (Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte*Área de Difusão de Fonte)+(Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral*Perímetro da parede lateral de difusão da fonte)
Corrente de saturação de canal curto VLSI
Vai Corrente de saturação de canal curto = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Tensão da fonte de drenagem de saturação
Corrente de junção
Vai Corrente de Junção = (Potência Estática/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente de contenção+Corrente do portão)
Potencial de Superfície
Vai Potencial de Superfície = 2*Diferença potencial do corpo de origem*ln(Concentração do aceitante/Concentração Intrínseca)
Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão
Vai Comprimento do portão = Capacitância do portão/(Capacitância da camada de óxido de porta*Largura do portão)
Capacitância de Óxido de Porta
Vai Capacitância da camada de óxido de porta = Capacitância do portão/(Largura do portão*Comprimento do portão)
Capacitância da porta
Vai Capacitância do portão = Taxa de canal/(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)
Tensão de limiar
Vai Tensão de limiar = Tensão do portão para o canal-(Taxa de canal/Capacitância do portão)
Tensão Limiar quando a Fonte está no Potencial Corporal
Vai Tensão Limite DIBL = Coeficiente DIBL*Drenar para Potencial de Fonte+Tensão de limiar
Coeficiente DIBL
Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte
Carga do canal
Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)
Sublimiar Inclinação
Vai Inclinação Sublimiar = Diferença potencial do corpo de origem*Coeficiente DIBL*ln(10)
Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI
Vai Capacitância de óxido após escala completa = Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Fator de escala
Espessura de óxido de porta após escala completa VLSI
Vai Espessura do óxido de porta após escala completa = Espessura do Óxido de Porta/Fator de escala
Capacitância de porta intrínseca
Vai Capacitância de sobreposição de porta MOS = Capacitância da Porta MOS*Largura da transição
Tensão Crítica
Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
Profundidade da junção após Full Scaling VLSI
Vai Profundidade da junção após escala completa = Profundidade da Junção/Fator de escala
Comprimento do canal após Full Scaling VLSI
Vai Comprimento do canal após escala completa = Comprimento do canal/Fator de escala
Mobilidade em Mosfet
Vai Mobilidade em MOSFET = K Prime/Capacitância da camada de óxido de porta
Largura do canal após Full Scaling VLSI
Vai Largura do canal após escala completa = Largura de banda/Fator de escala
K-Prime
Vai K Prime = Mobilidade em MOSFET*Capacitância da camada de óxido de porta

Corrente de junção Fórmula

Corrente de Junção = (Potência Estática/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente de contenção+Corrente do portão)
ij = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ig)

O MOSFET é um dispositivo de controle de corrente?

O MOSFET, como o FET, é um dispositivo controlado por voltagem. Uma entrada de tensão para a porta controla o fluxo de corrente da fonte ao dreno. O portão não puxa uma corrente contínua.

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