Tensão Crítica Calculadora

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Otimização de materiais VLSI

Projeto VLSI analógico

✖Campo Elétrico Crítico é definido como a força elétrica por unidade de carga.ⓘ Campo Elétrico Crítico [E_x]			+10% -10%
✖Campo elétrico ao longo do comprimento do canalé o campo elétrico produzido no canal durante o processo.ⓘ Campo elétrico ao longo do comprimento do canal [E_ch]			+10% -10%

✖Tensão Crítica é a fase mínima para a tensão neutra que brilha e aparece ao longo de todo o condutor da linha.ⓘ Tensão Crítica [V_x]

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Fórmula

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Tensão Crítica

Fórmula

`"V"_{"x"} = "E"_{"x"}*"E"_{"ch"}`

Exemplo

`"28V"="0.004V/mm"*"7e-3V/mm"`

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Tensão Crítica Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
V_x = E_x*E_ch
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Tensão Crítica - (Medido em Volt) - Tensão Crítica é a fase mínima para a tensão neutra que brilha e aparece ao longo de todo o condutor da linha.
Campo Elétrico Crítico - (Medido em Volt por Metro) - Campo Elétrico Crítico é definido como a força elétrica por unidade de carga.
Campo elétrico ao longo do comprimento do canal - (Medido em Volt por Metro) - Campo elétrico ao longo do comprimento do canalé o campo elétrico produzido no canal durante o processo.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Campo Elétrico Crítico: 0.004 Volt por Milímetro --> 4 Volt por Metro (Verifique a conversão aqui)
Campo elétrico ao longo do comprimento do canal: 0.007 Volt por Milímetro --> 7 Volt por Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_x = E_x*E_ch --> 4*7

Avaliando ... ...

V_x = 28

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

28 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

28 Volt <-- Tensão Crítica

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 25 Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI

Vai Densidade de carga da região de esgotamento em massa = -(1-((Extensão lateral da região de esgotamento com fonte+Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno)/(2*Comprimento do canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentração do aceitante*abs(2*Potencial de Superfície))

Coeficiente de Efeito Corporal

Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Tensão integrada de junção VLSI

Vai Tensão interna de junção = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentração do aceitante*Concentração de doadores/(Concentração Intrínseca)^2)

Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI

Vai Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensão interna de junção)/([Charge-e]*Concentração do aceitante))

Capacitância Parasítica da Fonte Total

Vai Fonte de capacitância parasita = (Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte*Área de Difusão de Fonte)+(Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral*Perímetro da parede lateral de difusão da fonte)

Corrente de saturação de canal curto VLSI

Vai Corrente de saturação de canal curto = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Tensão da fonte de drenagem de saturação

Corrente de junção

Vai Corrente de Junção = (Potência Estática/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente de contenção+Corrente do portão)

Potencial de Superfície

Vai Potencial de Superfície = 2*Diferença potencial do corpo de origem*ln(Concentração do aceitante/Concentração Intrínseca)

Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão

Vai Comprimento do portão = Capacitância do portão/(Capacitância da camada de óxido de porta*Largura do portão)

Capacitância de Óxido de Porta

Vai Capacitância da camada de óxido de porta = Capacitância do portão/(Largura do portão*Comprimento do portão)

Capacitância da porta

Vai Capacitância do portão = Taxa de canal/(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Tensão de limiar

Vai Tensão de limiar = Tensão do portão para o canal-(Taxa de canal/Capacitância do portão)

Tensão Limiar quando a Fonte está no Potencial Corporal

Vai Tensão Limite DIBL = Coeficiente DIBL*Drenar para Potencial de Fonte+Tensão de limiar

Coeficiente DIBL

Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

Carga do canal

Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Sublimiar Inclinação

Vai Inclinação Sublimiar = Diferença potencial do corpo de origem*Coeficiente DIBL*ln(10)

Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI

Vai Capacitância de óxido após escala completa = Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Fator de escala

Espessura de óxido de porta após escala completa VLSI

Vai Espessura do óxido de porta após escala completa = Espessura do Óxido de Porta/Fator de escala

Capacitância de porta intrínseca

Vai Capacitância de sobreposição de porta MOS = Capacitância da Porta MOS*Largura da transição

Tensão Crítica

Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Profundidade da junção após Full Scaling VLSI

Vai Profundidade da junção após escala completa = Profundidade da Junção/Fator de escala

Comprimento do canal após Full Scaling VLSI

Vai Comprimento do canal após escala completa = Comprimento do canal/Fator de escala

Mobilidade em Mosfet

Vai Mobilidade em MOSFET = K Prime/Capacitância da camada de óxido de porta

Largura do canal após Full Scaling VLSI

Vai Largura do canal após escala completa = Largura de banda/Fator de escala

K-Prime

Vai K Prime = Mobilidade em MOSFET*Capacitância da camada de óxido de porta

Tensão Crítica Fórmula

Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
V_x = E_x*E_ch

O que é degradação da mobilidade?

Uma alta tensão na porta do transistor atrai as portadoras para a borda do canal, causando colisões com a interface de óxido que retardam as portadoras. Isso é chamado de degradação da mobilidade.

O que é saturação de velocidade?

Portadores aproximam-se de uma velocidade máxima vsat quando campos altos são aplicados. Este fenômeno é chamado de saturação de velocidade.

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