Figura de ruído de banda lateral única Calculadora

✖A temperatura do diodo é a medida do calor que flui no diodo preferencialmente em uma direção.ⓘ Temperatura do Diodo [T_d]			+10% -10%
✖A resistência do diodo pode ser definida como a oposição efetiva oferecida pelo diodo ao fluxo de corrente através dele.ⓘ Resistência de Diodo [R_d]			+10% -10%
✖A resistência de saída do gerador de sinal é um parâmetro operacional chave que controla o gerador de sinal de geração atual quando usado como fonte de energia.ⓘ Resistência de saída do gerador de sinal [R_g]			+10% -10%
✖Temperatura ambiente é a temperatura do ambiente.ⓘ Temperatura ambiente [T₀]			+10% -10%

✖A figura de ruído da definição de banda lateral única corresponde a uma situação em que o ruído de entrada da fonte na frequência da imagem é totalmente excluído da porta de entrada do mixer.ⓘ Figura de ruído de banda lateral única [F_ssb]

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Fórmula

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Figura de ruído de banda lateral única

Fórmula

`"F"_{"ssb"} = 2+((2*"T"_{"d"}*"R"_{"d"})/("R"_{"g"}*"T"_{"0"}))`

Exemplo

`"14.30303dB"=2+((2*"290K"*"210Ω")/("33Ω"*"300K"))`

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Figura de ruído de banda lateral única Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Figura de ruído de banda lateral única = 2+((2*Temperatura do Diodo*Resistência de Diodo)/(Resistência de saída do gerador de sinal*Temperatura ambiente))
F_ssb = 2+((2*T_d*R_d)/(R_g*T₀))
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Figura de ruído de banda lateral única - (Medido em Decibel) - A figura de ruído da definição de banda lateral única corresponde a uma situação em que o ruído de entrada da fonte na frequência da imagem é totalmente excluído da porta de entrada do mixer.
Temperatura do Diodo - (Medido em Kelvin) - A temperatura do diodo é a medida do calor que flui no diodo preferencialmente em uma direção.
Resistência de Diodo - (Medido em Ohm) - A resistência do diodo pode ser definida como a oposição efetiva oferecida pelo diodo ao fluxo de corrente através dele.
Resistência de saída do gerador de sinal - (Medido em Ohm) - A resistência de saída do gerador de sinal é um parâmetro operacional chave que controla o gerador de sinal de geração atual quando usado como fonte de energia.
Temperatura ambiente - (Medido em Kelvin) - Temperatura ambiente é a temperatura do ambiente.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Temperatura do Diodo: 290 Kelvin --> 290 Kelvin Nenhuma conversão necessária
Resistência de Diodo: 210 Ohm --> 210 Ohm Nenhuma conversão necessária
Resistência de saída do gerador de sinal: 33 Ohm --> 33 Ohm Nenhuma conversão necessária
Temperatura ambiente: 300 Kelvin --> 300 Kelvin Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

F_ssb = 2+((2*T_d*R_d)/(R_g*T₀)) --> 2+((2*290*210)/(33*300))

Avaliando ... ...

F_ssb = 14.3030303030303

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

14.3030303030303 Decibel --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

14.3030303030303 ≈ 14.30303 Decibel <-- Figura de ruído de banda lateral única

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Temperatura do quarto

Vai Temperatura ambiente = (2*Temperatura do Diodo*((1/(Coeficiente de Acoplamento*Fator Q))+(1/((Coeficiente de Acoplamento*Fator Q)^2))))/(Figura de ruído do conversor ascendente-1)

Temperatura média do diodo usando ruído de banda lateral única

Vai Temperatura do Diodo = (Figura de ruído de banda lateral única-2)*((Resistência de saída do gerador de sinal*Temperatura ambiente)/(2*Resistência de Diodo))

Figura de ruído de banda lateral única

Vai Figura de ruído de banda lateral única = 2+((2*Temperatura do Diodo*Resistência de Diodo)/(Resistência de saída do gerador de sinal*Temperatura ambiente))

Figura de ruído da banda lateral dupla

Vai Figura de ruído da banda lateral dupla = 1+((Temperatura do Diodo*Resistência de Diodo)/(Resistência de saída do gerador de sinal*Temperatura ambiente))

Coeficiente de Reflexão de Tensão do Diodo de Túnel

Vai Coeficiente de Reflexão de Tensão = (Diodo túnel de impedância-Impedância característica)/(Diodo túnel de impedância+Impedância característica)

Ganho do amplificador do diodo túnel

Vai Ganho do Amplificador de Diodo de Túnel = Resistência Negativa em Diodo de Túnel/(Resistência Negativa em Diodo de Túnel-Resistência de carga)

Razão entre Resistência Negativa e Resistência em Série

Vai Razão entre Resistência Negativa e Resistência em Série = Resistência Negativa Equivalente/Resistência Total em Série na Frequência Idler

Potência de saída do diodo túnel

Vai Potência de saída do diodo de túnel = (Diodo túnel de tensão*Diodo de túnel atual)/(2*pi)

Largura de banda usando fator de qualidade dinâmico

Vai largura de banda = Fator Q Dinâmico/(Frequência angular*Resistência em série do diodo)

Fator Q Dinâmico

Vai Fator Q Dinâmico = largura de banda/(Frequência angular*Resistência em série do diodo)

Tensão máxima aplicada no diodo

Vai Tensão Máxima Aplicada = Campo Elétrico Máximo*Comprimento de Depleção

Corrente máxima aplicada no diodo

Vai Corrente Máxima Aplicada = Tensão Máxima Aplicada/impedância reativa

Impedência Reativa

Vai impedância reativa = Tensão Máxima Aplicada/Corrente Máxima Aplicada

Condutância negativa do diodo túnel

Vai Diodo túnel de condutância negativa = 1/(Resistência Negativa em Diodo de Túnel)

Magnitude da Resistência Negativa

Vai Resistência Negativa em Diodo de Túnel = 1/(Diodo túnel de condutância negativa)

Ganho de potência do diodo túnel

Vai Ganho de potência do diodo túnel = Coeficiente de Reflexão de Tensão^2

Figura de ruído de banda lateral única Fórmula

Figura de ruído de banda lateral única = 2+((2*Temperatura do Diodo*Resistência de Diodo)/(Resistência de saída do gerador de sinal*Temperatura ambiente))
F_ssb = 2+((2*T_d*R_d)/(R_g*T₀))

O que é homo-transistor de junção?

Quando a junção do transistor é unida por dois materiais semelhantes, como silício para silício ou germânio para germânio, é chamada de transistor de homojunção.

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