Margem de ruído para CMOS de alto sinal Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Margem de ruído para sinal alto = Tensão máxima de saída-Tensão Mínima de Entrada
NMH = VOH-VIH
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Margem de ruído para sinal alto - (Medido em Volt) - A margem de ruído para CMOS de sinal alto é definida como a quantidade de tensão entre um inversor em transição de um nível lógico alto (1) para um nível lógico baixo (0).
Tensão máxima de saída - (Medido em Volt) - Tensão máxima de saída CMOS é definida como a tensão máxima de saída quando o nível de saída é lógico "1".
Tensão Mínima de Entrada - (Medido em Volt) - Tensão mínima de entrada CMOS é definida como tensão mínima de entrada que pode ser interpretada como lógica "1".
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão máxima de saída: 3.3 Volt --> 3.3 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão Mínima de Entrada: 1.55 Volt --> 1.55 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
NMH = VOH-VIH --> 3.3-1.55
Avaliando ... ...
NMH = 1.75
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.75 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
1.75 Volt <-- Margem de ruído para sinal alto
(Cálculo concluído em 00.005 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Parminder Singh
Universidade de Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

17 Inversores CMOS Calculadoras

Atraso de propagação para CMOS de transição de saída baixa para alta
​ Vai Tempo para transição de produção baixa para alta = (Capacitância de Carga/(Transcondutância do PMOS*(Tensão de alimentação-abs(Tensão limite de PMOS com polarização corporal))))*(((2*abs(Tensão limite de PMOS com polarização corporal))/(Tensão de alimentação-abs(Tensão limite de PMOS com polarização corporal)))+ln((4*(Tensão de alimentação-abs(Tensão limite de PMOS com polarização corporal))/Tensão de alimentação)-1))
Atraso de propagação para CMOS de transição de saída alta para baixa
​ Vai Tempo para transição de saída de alto para baixo = (Capacitância de Carga/(Transcondutância de NMOS*(Tensão de alimentação-Tensão limite de NMOS com polarização corporal)))*((2*Tensão limite de NMOS com polarização corporal/(Tensão de alimentação-Tensão limite de NMOS com polarização corporal))+ln((4*(Tensão de alimentação-Tensão limite de NMOS com polarização corporal)/Tensão de alimentação)-1))
Tensão de saída mínima de carga resistiva CMOS
​ Vai Tensão mínima de saída de carga resistiva = Tensão de alimentação-Tensão limite de polarização zero+(1/(Transcondutância de NMOS*Resistência de carga))-sqrt((Tensão de alimentação-Tensão limite de polarização zero+(1/(Transcondutância de NMOS*Resistência de carga)))^2-(2*Tensão de alimentação/(Transcondutância de NMOS*Resistência de carga)))
Tensão máxima de entrada CMOS
​ Vai Tensão máxima de entrada CMOS = (2*Tensão de saída para entrada máxima+(Tensão limite de PMOS sem polarização corporal)-Tensão de alimentação+Razão de Transcondutância*Tensão limite de NMOS sem polarização corporal)/(1+Razão de Transcondutância)
Tensão de entrada mínima de carga resistiva CMOS
​ Vai Tensão de entrada mínima de carga resistiva = Tensão limite de polarização zero+sqrt((8*Tensão de alimentação)/(3*Transcondutância de NMOS*Resistência de carga))-(1/(Transcondutância de NMOS*Resistência de carga))
Tensão Limite CMOS
​ Vai Tensão de limiar = (Tensão limite de NMOS sem polarização corporal+sqrt(1/Razão de Transcondutância)*(Tensão de alimentação+(Tensão limite de PMOS sem polarização corporal)))/(1+sqrt(1/Razão de Transcondutância))
Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata
​ Vai Capacitância de Carga = Capacitância de drenagem do portão do PMOS+Capacitância de drenagem do portão do NMOS+Drenar capacitância em massa do PMOS+Drenar capacitância em massa de NMOS+Capacitância Interna+Capacitância do portão
Tensão Mínima de Entrada CMOS
​ Vai Tensão Mínima de Entrada = (Tensão de alimentação+(Tensão limite de PMOS sem polarização corporal)+Razão de Transcondutância*(2*Voltagem de saída+Tensão limite de NMOS sem polarização corporal))/(1+Razão de Transcondutância)
Energia entregue pela fonte de alimentação
​ Vai Energia entregue pela fonte de alimentação = int(Tensão de alimentação*Corrente de drenagem instantânea*x,x,0,Intervalo de carga do capacitor)
Tensão de entrada máxima de carga resistiva CMOS
​ Vai Tensão de entrada máxima de carga resistiva CMOS = Tensão limite de polarização zero+(1/(Transcondutância de NMOS*Resistência de carga))
CMOS de atraso médio de propagação
​ Vai Atraso médio de propagação = (Tempo para transição de saída de alto para baixo+Tempo para transição de produção baixa para alta)/2
CMOS de dissipação média de energia
​ Vai Dissipação Média de Potência = Capacitância de Carga*(Tensão de alimentação)^2*Frequência
Tensão máxima de entrada para CMOS simétrico
​ Vai Tensão máxima de entrada = (3*Tensão de alimentação+2*Tensão limite de NMOS sem polarização corporal)/8
Tensão de entrada mínima para CMOS simétrico
​ Vai Tensão Mínima de Entrada = (5*Tensão de alimentação-2*Tensão limite de NMOS sem polarização corporal)/8
Oscilador de anel de período de oscilação CMOS
​ Vai Período de oscilação = 2*Número de estágios do oscilador de anel*Atraso médio de propagação
Margem de ruído para CMOS de alto sinal
​ Vai Margem de ruído para sinal alto = Tensão máxima de saída-Tensão Mínima de Entrada
Relação de transcondutância CMOS
​ Vai Razão de Transcondutância = Transcondutância de NMOS/Transcondutância do PMOS

Margem de ruído para CMOS de alto sinal Fórmula

Margem de ruído para sinal alto = Tensão máxima de saída-Tensão Mínima de Entrada
NMH = VOH-VIH
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