Calculatrice A à Z
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Sous-système de chemin de données de tableau
✖
La tension de sortie maximale CMOS est définie comme la tension de sortie maximale lorsque le niveau de sortie est logique « 1 ».
ⓘ
Tension de sortie maximale [V
OH
]
Abvolt
Attovolt
centivolt
Décivolt
Dékavolt
EMU Du potentiel électrique
ESU du potentiel électrique
Femtovolt
gigavolt
Hectovolt
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Pétavolt
Picovolt
Tension de Planck
Statvolt
Téravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Tension d'entrée minimale CMOS est définie comme une tension d'entrée minimale qui peut être interprétée comme un "1" logique.
ⓘ
Tension d'entrée minimale [V
IH
]
Abvolt
Attovolt
centivolt
Décivolt
Dékavolt
EMU Du potentiel électrique
ESU du potentiel électrique
Femtovolt
gigavolt
Hectovolt
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Pétavolt
Picovolt
Tension de Planck
Statvolt
Téravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
La marge de bruit pour le signal élevé CMOS est définie comme la quantité de tension entre un onduleur passant d'un niveau logique haut (1) à un niveau logique bas (0).
ⓘ
Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé [N
MH
]
Abvolt
Attovolt
centivolt
Décivolt
Dékavolt
EMU Du potentiel électrique
ESU du potentiel électrique
Femtovolt
gigavolt
Hectovolt
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Pétavolt
Picovolt
Tension de Planck
Statvolt
Téravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé
Formule
`"N"_{"MH"} = "V"_{"OH"}-"V"_{"IH"}`
Exemple
`"1.75V"="3.3V"-"1.55V"`
Calculatrice
LaTeX
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Télécharger Conception et applications CMOS Formule PDF
Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Marge de bruit pour un signal élevé
=
Tension de sortie maximale
-
Tension d'entrée minimale
N
MH
=
V
OH
-
V
IH
Cette formule utilise
3
Variables
Variables utilisées
Marge de bruit pour un signal élevé
-
(Mesuré en Volt)
- La marge de bruit pour le signal élevé CMOS est définie comme la quantité de tension entre un onduleur passant d'un niveau logique haut (1) à un niveau logique bas (0).
Tension de sortie maximale
-
(Mesuré en Volt)
- La tension de sortie maximale CMOS est définie comme la tension de sortie maximale lorsque le niveau de sortie est logique « 1 ».
Tension d'entrée minimale
-
(Mesuré en Volt)
- Tension d'entrée minimale CMOS est définie comme une tension d'entrée minimale qui peut être interprétée comme un "1" logique.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Tension de sortie maximale:
3.3 Volt --> 3.3 Volt Aucune conversion requise
Tension d'entrée minimale:
1.55 Volt --> 1.55 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
N
MH
= V
OH
-V
IH
-->
3.3-1.55
Évaluer ... ...
N
MH
= 1.75
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
1.75 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
1.75 Volt
<--
Marge de bruit pour un signal élevé
(Calcul effectué en 00.004 secondes)
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Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé
Crédits
Créé par
Priyanka Patel
Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai
(PEMD)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!
Vérifié par
Parminder Singh
Université de Chandigarh
(UC)
,
Pendjab
Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
<
17 Onduleurs CMOS Calculatrices
Retard de propagation pour les CMOS de transition de faible à haut rendement
Aller
Temps de transition de faible à élevée de la sortie
= (
Capacité de charge
/(
Transconductance du PMOS
*(
Tension d'alimentation
-
abs
(
Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle
))))*(((2*
abs
(
Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle
))/(
Tension d'alimentation
-
abs
(
Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle
)))+
ln
((4*(
Tension d'alimentation
-
abs
(
Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle
))/
Tension d'alimentation
)-1))
Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse
Aller
Temps de transition de haut en bas de la sortie
= (
Capacité de charge
/(
Transconductance du NMOS
*(
Tension d'alimentation
-
Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle
)))*((2*
Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle
/(
Tension d'alimentation
-
Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle
))+
ln
((4*(
Tension d'alimentation
-
Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle
)/
Tension d'alimentation
)-1))
Charge résistive Tension de sortie minimale CMOS
Aller
Tension de sortie minimale de charge résistive
=
Tension d'alimentation
-
Tension de seuil de polarisation nulle
+(1/(
Transconductance du NMOS
*
Résistance à la charge
))-
sqrt
((
Tension d'alimentation
-
Tension de seuil de polarisation nulle
+(1/(
Transconductance du NMOS
*
Résistance à la charge
)))^2-(2*
Tension d'alimentation
/(
Transconductance du NMOS
*
Résistance à la charge
)))
Tension d'entrée maximale CMOS
Aller
Tension d'entrée maximale CMOS
= (2*
Tension de sortie pour entrée maximale
+(
Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle
)-
Tension d'alimentation
+
Rapport de transconductance
*
Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle
)/(1+
Rapport de transconductance
)
Tension de seuil CMOS
Aller
Tension de seuil
= (
Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle
+
sqrt
(1/
Rapport de transconductance
)*(
Tension d'alimentation
+(
Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle
)))/(1+
sqrt
(1/
Rapport de transconductance
))
Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS
Aller
Tension d'entrée minimale de charge résistive
=
Tension de seuil de polarisation nulle
+
sqrt
((8*
Tension d'alimentation
)/(3*
Transconductance du NMOS
*
Résistance à la charge
))-(1/(
Transconductance du NMOS
*
Résistance à la charge
))
Tension d'entrée minimale CMOS
Aller
Tension d'entrée minimale
= (
Tension d'alimentation
+(
Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle
)+
Rapport de transconductance
*(2*
Tension de sortie
+
Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle
))/(1+
Rapport de transconductance
)
Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS
Aller
Capacité de charge
=
Capacité de drain de grille du PMOS
+
Capacité de drain de grille du NMOS
+
Capacité de drainage en vrac du PMOS
+
Capacité de drainage en vrac du NMOS
+
Capacité interne
+
Capacité de porte
Énergie fournie par l'alimentation électrique
Aller
Énergie fournie par l'alimentation électrique
=
int
(
Tension d'alimentation
*
Courant de vidange instantané
*x,x,0,
Intervalle de charge du condensateur
)
Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS
Aller
Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS
=
Tension de seuil de polarisation nulle
+(1/(
Transconductance du NMOS
*
Résistance à la charge
))
Délai de propagation moyen CMOS
Aller
Délai de propagation moyen
= (
Temps de transition de haut en bas de la sortie
+
Temps de transition de faible à élevée de la sortie
)/2
Dissipation de puissance moyenne CMOS
Aller
Dissipation de puissance moyenne
=
Capacité de charge
*(
Tension d'alimentation
)^2*
Fréquence
Tension d'entrée maximale pour CMOS symétrique
Aller
Tension d'entrée maximale
= (3*
Tension d'alimentation
+2*
Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle
)/8
Tension d'entrée minimale pour CMOS symétrique
Aller
Tension d'entrée minimale
= (5*
Tension d'alimentation
-2*
Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle
)/8
Oscillateur en anneau à période d'oscillation CMOS
Aller
Période d'oscillation
= 2*
Nombre d'étages de l'oscillateur en anneau
*
Délai de propagation moyen
Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé
Aller
Marge de bruit pour un signal élevé
=
Tension de sortie maximale
-
Tension d'entrée minimale
Rapport de transconductance CMOS
Aller
Rapport de transconductance
=
Transconductance du NMOS
/
Transconductance du PMOS
Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé Formule
Marge de bruit pour un signal élevé
=
Tension de sortie maximale
-
Tension d'entrée minimale
N
MH
=
V
OH
-
V
IH
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