Rauschmarge für Hochsignal-CMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Rauschmarge für hohes Signal = Maximale Ausgangsspannung-Minimale Eingangsspannung
NMH = VOH-VIH
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Rauschmarge für hohes Signal - (Gemessen in Volt) - Die Rauschmarge für Hochsignal-CMOS ist definiert als die Höhe der Spannung zwischen einem Wechselrichter, der von einem logischen Hochpegel (1) auf einen logischen Tiefpegel (0) übergeht.
Maximale Ausgangsspannung - (Gemessen in Volt) - Die maximale Ausgangsspannung des CMOS ist definiert als die maximale Ausgangsspannung, wenn der Ausgangspegel logisch „1“ ist.
Minimale Eingangsspannung - (Gemessen in Volt) - Minimale Eingangsspannung CMOS ist definiert als minimale Eingangsspannung, die als logisch „1“ interpretiert werden kann.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Maximale Ausgangsspannung: 3.3 Volt --> 3.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Minimale Eingangsspannung: 1.55 Volt --> 1.55 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
NMH = VOH-VIH --> 3.3-1.55
Auswerten ... ...
NMH = 1.75
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.75 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.75 Volt <-- Rauschmarge für hohes Signal
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Priyanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften (LDCE), Ahmedabad
Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

17 CMOS-Wechselrichter Taschenrechner

Ausbreitungsverzögerung für Übergangs-CMOS von niedriger zu hoher Ausgangsleistung
​ Gehen Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch = (Ladekapazität/(Transkonduktanz von PMOS*(Versorgungsspannung-abs(Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias))))*(((2*abs(Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias))/(Versorgungsspannung-abs(Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias)))+ln((4*(Versorgungsspannung-abs(Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias))/Versorgungsspannung)-1))
Ausbreitungsverzögerung für CMOS mit Übergang von hoher zu niedriger Ausgangsleistung
​ Gehen Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig = (Ladekapazität/(Transkonduktanz von NMOS*(Versorgungsspannung-Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias)))*((2*Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias/(Versorgungsspannung-Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias))+ln((4*(Versorgungsspannung-Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias)/Versorgungsspannung)-1))
Widerstandslast, minimale Ausgangsspannung CMOS
​ Gehen Minimale Ausgangsspannung der ohmschen Last = Versorgungsspannung-Null-Vorspannungsschwellenspannung+(1/(Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand))-sqrt((Versorgungsspannung-Null-Vorspannungsschwellenspannung+(1/(Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand)))^2-(2*Versorgungsspannung/(Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand)))
Maximale Eingangsspannung CMOS
​ Gehen Maximale Eingangsspannung CMOS = (2*Ausgangsspannung für maximalen Eingang+(Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias)-Versorgungsspannung+Transkonduktanzverhältnis*Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias)/(1+Transkonduktanzverhältnis)
Widerstandslast, minimale Eingangsspannung CMOS
​ Gehen Minimale Eingangsspannung der ohmschen Last = Null-Vorspannungsschwellenspannung+sqrt((8*Versorgungsspannung)/(3*Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand))-(1/(Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand))
Schwellenspannung CMOS
​ Gehen Grenzspannung = (Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias+sqrt(1/Transkonduktanzverhältnis)*(Versorgungsspannung+(Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias)))/(1+sqrt(1/Transkonduktanzverhältnis))
Minimale Eingangsspannung CMOS
​ Gehen Minimale Eingangsspannung = (Versorgungsspannung+(Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias)+Transkonduktanzverhältnis*(2*Ausgangsspannung+Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias))/(1+Transkonduktanzverhältnis)
Lastkapazität des kaskadierten Inverter-CMOS
​ Gehen Ladekapazität = Gate-Drain-Kapazität von PMOS+Gate-Drain-Kapazität von NMOS+Entleeren Sie die Massenkapazität des PMOS+Entleeren Sie die Massenkapazität von NMOS+Interne Kapazität+Gate-Kapazität
Von der Stromversorgung gelieferte Energie
​ Gehen Von der Stromversorgung gelieferte Energie = int(Versorgungsspannung*Momentaner Drainstrom*x,x,0,Ladeintervall des Kondensators)
Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS
​ Gehen Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung = (Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig+Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch)/2
Widerstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS
​ Gehen Widerstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS = Null-Vorspannungsschwellenspannung+(1/(Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand))
Durchschnittliche Verlustleistung CMOS
​ Gehen Durchschnittliche Verlustleistung = Ladekapazität*(Versorgungsspannung)^2*Frequenz
Schwingungsperiode Ringoszillator CMOS
​ Gehen Schwingungsperiode = 2*Anzahl der Stufen des Ringoszillators*Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung
Maximale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS
​ Gehen Maximale Eingangsspannung = (3*Versorgungsspannung+2*Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias)/8
Minimale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS
​ Gehen Minimale Eingangsspannung = (5*Versorgungsspannung-2*Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias)/8
Rauschmarge für Hochsignal-CMOS
​ Gehen Rauschmarge für hohes Signal = Maximale Ausgangsspannung-Minimale Eingangsspannung
Transkonduktanzverhältnis CMOS
​ Gehen Transkonduktanzverhältnis = Transkonduktanz von NMOS/Transkonduktanz von PMOS

Rauschmarge für Hochsignal-CMOS Formel

Rauschmarge für hohes Signal = Maximale Ausgangsspannung-Minimale Eingangsspannung
NMH = VOH-VIH
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