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Rauschmarge für Hochsignal-CMOS Taschenrechner
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✖
Die maximale Ausgangsspannung des CMOS ist definiert als die maximale Ausgangsspannung, wenn der Ausgangspegel logisch „1“ ist.
ⓘ
Maximale Ausgangsspannung [V
OH
]
Abvolt
Attovolt
Zentivolt
Dezivolt
Dekavolt
EMU des elektrischen Potentials
ESU des elektrischen Potenzials
Femtovolt
Gigavolt
Hektovolt
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Spannung
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Minimale Eingangsspannung CMOS ist definiert als minimale Eingangsspannung, die als logisch „1“ interpretiert werden kann.
ⓘ
Minimale Eingangsspannung [V
IH
]
Abvolt
Attovolt
Zentivolt
Dezivolt
Dekavolt
EMU des elektrischen Potentials
ESU des elektrischen Potenzials
Femtovolt
Gigavolt
Hektovolt
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Spannung
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Die Rauschmarge für Hochsignal-CMOS ist definiert als die Höhe der Spannung zwischen einem Wechselrichter, der von einem logischen Hochpegel (1) auf einen logischen Tiefpegel (0) übergeht.
ⓘ
Rauschmarge für Hochsignal-CMOS [N
MH
]
Abvolt
Attovolt
Zentivolt
Dezivolt
Dekavolt
EMU des elektrischen Potentials
ESU des elektrischen Potenzials
Femtovolt
Gigavolt
Hektovolt
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Spannung
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Kopie
Schritte
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Formel
✖
Rauschmarge für Hochsignal-CMOS
Formel
`"N"_{"MH"} = "V"_{"OH"}-"V"_{"IH"}`
Beispiel
`"1.75V"="3.3V"-"1.55V"`
Taschenrechner
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Herunterladen CMOS-Design und Anwendungen Formel Pdf
Rauschmarge für Hochsignal-CMOS Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Rauschmarge für hohes Signal
=
Maximale Ausgangsspannung
-
Minimale Eingangsspannung
N
MH
=
V
OH
-
V
IH
Diese formel verwendet
3
Variablen
Verwendete Variablen
Rauschmarge für hohes Signal
-
(Gemessen in Volt)
- Die Rauschmarge für Hochsignal-CMOS ist definiert als die Höhe der Spannung zwischen einem Wechselrichter, der von einem logischen Hochpegel (1) auf einen logischen Tiefpegel (0) übergeht.
Maximale Ausgangsspannung
-
(Gemessen in Volt)
- Die maximale Ausgangsspannung des CMOS ist definiert als die maximale Ausgangsspannung, wenn der Ausgangspegel logisch „1“ ist.
Minimale Eingangsspannung
-
(Gemessen in Volt)
- Minimale Eingangsspannung CMOS ist definiert als minimale Eingangsspannung, die als logisch „1“ interpretiert werden kann.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Maximale Ausgangsspannung:
3.3 Volt --> 3.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Minimale Eingangsspannung:
1.55 Volt --> 1.55 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
N
MH
= V
OH
-V
IH
-->
3.3-1.55
Auswerten ... ...
N
MH
= 1.75
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.75 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.75 Volt
<--
Rauschmarge für hohes Signal
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)
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Rauschmarge für Hochsignal-CMOS
Credits
Erstellt von
Priyanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften
(LDCE)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Parminder Singh
Chandigarh-Universität
(KU)
,
Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!
<
17 CMOS-Wechselrichter Taschenrechner
Ausbreitungsverzögerung für Übergangs-CMOS von niedriger zu hoher Ausgangsleistung
Gehen
Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch
= (
Ladekapazität
/(
Transkonduktanz von PMOS
*(
Versorgungsspannung
-
abs
(
Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias
))))*(((2*
abs
(
Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias
))/(
Versorgungsspannung
-
abs
(
Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias
)))+
ln
((4*(
Versorgungsspannung
-
abs
(
Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias
))/
Versorgungsspannung
)-1))
Ausbreitungsverzögerung für CMOS mit Übergang von hoher zu niedriger Ausgangsleistung
Gehen
Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig
= (
Ladekapazität
/(
Transkonduktanz von NMOS
*(
Versorgungsspannung
-
Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias
)))*((2*
Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias
/(
Versorgungsspannung
-
Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias
))+
ln
((4*(
Versorgungsspannung
-
Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias
)/
Versorgungsspannung
)-1))
Widerstandslast, minimale Ausgangsspannung CMOS
Gehen
Minimale Ausgangsspannung der ohmschen Last
=
Versorgungsspannung
-
Null-Vorspannungsschwellenspannung
+(1/(
Transkonduktanz von NMOS
*
Lastwiderstand
))-
sqrt
((
Versorgungsspannung
-
Null-Vorspannungsschwellenspannung
+(1/(
Transkonduktanz von NMOS
*
Lastwiderstand
)))^2-(2*
Versorgungsspannung
/(
Transkonduktanz von NMOS
*
Lastwiderstand
)))
Maximale Eingangsspannung CMOS
Gehen
Maximale Eingangsspannung CMOS
= (2*
Ausgangsspannung für maximalen Eingang
+(
Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias
)-
Versorgungsspannung
+
Transkonduktanzverhältnis
*
Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias
)/(1+
Transkonduktanzverhältnis
)
Widerstandslast, minimale Eingangsspannung CMOS
Gehen
Minimale Eingangsspannung der ohmschen Last
=
Null-Vorspannungsschwellenspannung
+
sqrt
((8*
Versorgungsspannung
)/(3*
Transkonduktanz von NMOS
*
Lastwiderstand
))-(1/(
Transkonduktanz von NMOS
*
Lastwiderstand
))
Schwellenspannung CMOS
Gehen
Grenzspannung
= (
Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias
+
sqrt
(1/
Transkonduktanzverhältnis
)*(
Versorgungsspannung
+(
Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias
)))/(1+
sqrt
(1/
Transkonduktanzverhältnis
))
Minimale Eingangsspannung CMOS
Gehen
Minimale Eingangsspannung
= (
Versorgungsspannung
+(
Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias
)+
Transkonduktanzverhältnis
*(2*
Ausgangsspannung
+
Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias
))/(1+
Transkonduktanzverhältnis
)
Lastkapazität des kaskadierten Inverter-CMOS
Gehen
Ladekapazität
=
Gate-Drain-Kapazität von PMOS
+
Gate-Drain-Kapazität von NMOS
+
Entleeren Sie die Massenkapazität des PMOS
+
Entleeren Sie die Massenkapazität von NMOS
+
Interne Kapazität
+
Gate-Kapazität
Von der Stromversorgung gelieferte Energie
Gehen
Von der Stromversorgung gelieferte Energie
=
int
(
Versorgungsspannung
*
Momentaner Drainstrom
*x,x,0,
Ladeintervall des Kondensators
)
Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS
Gehen
Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung
= (
Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig
+
Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch
)/2
Widerstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS
Gehen
Widerstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS
=
Null-Vorspannungsschwellenspannung
+(1/(
Transkonduktanz von NMOS
*
Lastwiderstand
))
Durchschnittliche Verlustleistung CMOS
Gehen
Durchschnittliche Verlustleistung
=
Ladekapazität
*(
Versorgungsspannung
)^2*
Frequenz
Schwingungsperiode Ringoszillator CMOS
Gehen
Schwingungsperiode
= 2*
Anzahl der Stufen des Ringoszillators
*
Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung
Maximale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS
Gehen
Maximale Eingangsspannung
= (3*
Versorgungsspannung
+2*
Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias
)/8
Minimale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS
Gehen
Minimale Eingangsspannung
= (5*
Versorgungsspannung
-2*
Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias
)/8
Rauschmarge für Hochsignal-CMOS
Gehen
Rauschmarge für hohes Signal
=
Maximale Ausgangsspannung
-
Minimale Eingangsspannung
Transkonduktanzverhältnis CMOS
Gehen
Transkonduktanzverhältnis
=
Transkonduktanz von NMOS
/
Transkonduktanz von PMOS
Rauschmarge für Hochsignal-CMOS Formel
Rauschmarge für hohes Signal
=
Maximale Ausgangsspannung
-
Minimale Eingangsspannung
N
MH
=
V
OH
-
V
IH
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