Potencial do dreno para a fonte Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Drenar para Potencial de Fonte = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Coeficiente DIBL
Vds = (Vt0-Vt)/η
Esta fórmula usa 4 Variáveis
Variáveis Usadas
Drenar para Potencial de Fonte - (Medido em Volt) - Dreno para a fonte O potencial é o potencial entre o dreno e a fonte.
Tensão Limite DIBL - (Medido em Volt) - Tensão Limiar dibl é definida como a tensão mínima exigida pela junção da fonte do potencial do corpo, quando a fonte está no potencial do corpo.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.
Coeficiente DIBL - O coeficiente DIBL em um dispositivo CMOS é normalmente representado na ordem de 0,1.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão Limite DIBL: 0.59 Volt --> 0.59 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Nenhuma conversão necessária
Coeficiente DIBL: 0.2 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Vds = (Vt0-Vt)/η --> (0.59-0.3)/0.2
Avaliando ... ...
Vds = 1.45
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.45 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
1.45 Volt <-- Drenar para Potencial de Fonte
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

16 Projeto VLSI analógico Calculadoras

Potencial entre Fonte e Corpo
​ Vai Diferença potencial do corpo de origem = Potencial de Superfície/(2*ln(Concentração do aceitante/Concentração Intrínseca))
Porta para drenar a capacitância
​ Vai Porta para drenar a capacitância = Capacitância do portão-(Porta para capacitância base+Porta para capacitância de fonte)
Porta para capacitância de fonte
​ Vai Porta para capacitância de fonte = Capacitância do portão-(Porta para capacitância base+Porta para drenar a capacitância)
Porta para capacitância base
​ Vai Porta para capacitância base = Capacitância do portão-(Porta para capacitância de fonte+Porta para drenar a capacitância)
Tensão de drenagem
​ Vai Tensão do Coletor Base = sqrt(Potência Dinâmica/(Frequência*Capacitância))
Potencial do dreno para a fonte
​ Vai Drenar para Potencial de Fonte = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Coeficiente DIBL
Gate to Channel Voltage
​ Vai Tensão do portão para o canal = (Taxa de canal/Capacitância do portão)+Tensão de limiar
Potencial de porta para coletor
​ Vai Tensão do portão para o canal = (Potencial de porta para fonte+Potencial de porta para drenagem)/2
Potencial de porta para drenagem
​ Vai Potencial de porta para drenagem = 2*Tensão do portão para o canal-Potencial de porta para fonte
Potencial de porta para fonte
​ Vai Potencial de porta para fonte = 2*Tensão do portão para o canal-Potencial de porta para drenagem
Tensão de entrada baixa máxima
​ Vai Tensão de entrada máxima baixa = Margem de baixo ruído+Tensão máxima de saída baixa
Tensão de saída máxima baixa
​ Vai Tensão máxima de saída baixa = Tensão de entrada máxima baixa-Margem de baixo ruído
Margem de Baixo Ruído
​ Vai Margem de baixo ruído = Tensão de entrada máxima baixa-Tensão máxima de saída baixa
Tensão de entrada alta mínima
​ Vai Tensão de entrada mínima alta = Tensão Mínima de Alta Saída-Margem de alto ruído
Tensão de saída alta mínima
​ Vai Tensão Mínima de Alta Saída = Margem de alto ruído+Tensão de entrada mínima alta
Margem de ruído alto
​ Vai Margem de alto ruído = Tensão Mínima de Alta Saída-Tensão de entrada mínima alta

Potencial do dreno para a fonte Fórmula

Drenar para Potencial de Fonte = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Coeficiente DIBL
Vds = (Vt0-Vt)/η

O que é região de depleção?

Quando a voltagem positiva é transmitida através do Gate, ela faz com que os orifícios livres (carga positiva) sejam empurrados para trás ou repelidos da região do substrato sob o Gate. Quando esses orifícios são empurrados para baixo no substrato, eles deixam para trás uma região de depleção do portador.

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