Taxa de Geração Térmica Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Geração Térmica = Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Portadores Intrínsecos^2)
TG = αr*(ni^2)
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Geração Térmica - Taxas de recombinação da Geração Térmica que são balanceadas para que a densidade líquida de portadores de carga permaneça constante.
Proporcionalidade para recombinação - (Medido em Metro Cúbico por Segundo) - A proporcionalidade para recombinação é denotada pelo símbolo αr.
Concentração de Portadores Intrínsecos - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores intrínsecos é usada para descrever a concentração de portadores de carga (elétrons e buracos) em um material semicondutor intrínseco ou não dopado em equilíbrio térmico.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Proporcionalidade para recombinação: 1.2E-06 Metro Cúbico por Segundo --> 1.2E-06 Metro Cúbico por Segundo Nenhuma conversão necessária
Concentração de Portadores Intrínsecos: 270000000 1 por metro cúbico --> 270000000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
TG = αr*(ni^2) --> 1.2E-06*(270000000^2)
Avaliando ... ...
TG = 87480000000
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
87480000000 --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
87480000000 8.7E+10 <-- Geração Térmica
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

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Criado por Vidyashree V
Faculdade de Engenharia BMS (BMSCE), Bangalore
Vidyashree V criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
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Verificado por Rachita C
Faculdade de Engenharia BMS (BMSCE), Banglore
Rachita C verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

20 Banda de energia Calculadoras

Concentração de Portadores Intrínsecos
​ Vai Concentração de Portadores Intrínsecos = sqrt(Densidade efetiva de estado na banda de valência*Densidade efetiva de estado na banda de condução)*exp(-Diferença de energia/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Tempo de vida da transportadora
​ Vai Vida útil da operadora = 1/(Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Buracos na Banda de Valência+Concentração de elétrons na banda de condução))
Concentração de elétrons em estado estacionário
​ Vai Concentração de portadores em estado estacionário = Concentração de elétrons na banda de condução+Concentração de Transportador em Excesso
Energia do elétron dada a constante de Coulomb
​ Vai energia do elétron = (Número quântico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Comprimento potencial do poço^2)
Tempo de vida de recombinação
​ Vai Tempo de vida de recombinação = (Proporcionalidade para recombinação*Concentração de Buracos na Banda de Valência)^-1
Estado de densidade efetiva na banda de valência
​ Vai Densidade efetiva de estado na banda de valência = Concentração de Buracos na Banda de Valência/(1-Função Fermi)
Concentração de Buracos na Banda de Valência
​ Vai Concentração de Buracos na Banda de Valência = Densidade efetiva de estado na banda de valência*(1-Função Fermi)
Concentração na Banda de Condução
​ Vai Concentração de elétrons na banda de condução = Densidade efetiva de estado na banda de condução*Função Fermi
Densidade Efetiva de Estado
​ Vai Densidade efetiva de estado na banda de condução = Concentração de elétrons na banda de condução/Função Fermi
Função Fermi
​ Vai Função Fermi = Concentração de elétrons na banda de condução/Densidade efetiva de estado na banda de condução
Coeficiente de Distribuição
​ Vai Coeficiente de distribuição = Concentração de Impurezas no Sólido/Concentração de impurezas no líquido
Concentração Líquida
​ Vai Concentração de impurezas no líquido = Concentração de Impurezas no Sólido/Coeficiente de distribuição
Taxa Líquida de Mudança na Banda de Condução
​ Vai Proporcionalidade para recombinação = Geração Térmica/(Concentração de Portadores Intrínsecos^2)
Taxa de Geração Térmica
​ Vai Geração Térmica = Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Portadores Intrínsecos^2)
Excesso de concentração de portador
​ Vai Concentração de Transportador em Excesso = Taxa de geração óptica*Tempo de vida de recombinação
Taxa de geração óptica
​ Vai Taxa de geração óptica = Concentração de Transportador em Excesso/Tempo de vida de recombinação
Energia da Banda de Valência
​ Vai Energia da Banda de Valência = Energia da Banda de Condução-Diferença de energia
Energia da Banda de Condução
​ Vai Energia da Banda de Condução = Diferença de energia+Energia da Banda de Valência
Diferença de energia
​ Vai Diferença de energia = Energia da Banda de Condução-Energia da Banda de Valência
Energia fotoelétron
​ Vai Energia fotoelétron = [hP]*Frequência da Luz Incidente

Taxa de Geração Térmica Fórmula

Geração Térmica = Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Portadores Intrínsecos^2)
TG = αr*(ni^2)

O que é recombinação?

O processo de aniquilação de elétrons e buracos é conhecido como recombinação. Se a energia liberada através da recombinação estiver na forma de um fóton, o processo é conhecido como recombinação radiativa e é mais comum para elétrons que se movem completamente da banda de condução para a banda de valência.

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