Esgotamento total para sistema WDM Calculadora

✖Número de canais refere-se ao filtro óptico sintonizável usado para selecionar um único canal entre os N canais incidentes nele.ⓘ Número de canais [N]			+10% -10%
✖Coeficiente de ganho Raman normalmente usado como uma medida da força do processo de espalhamento Raman dentro da fibra óptica.ⓘ Coeficiente de Ganho Raman [g_R[Ωm]]			+10% -10%
✖Potência do canal refere-se à quantidade de potência transportada por um canal individual dentro de um sinal multiplexado.ⓘ Potência do canal [P_ch]			+10% -10%
✖O Comprimento Efetivo é o comprimento que resiste à flambagem.ⓘ Comprimento efetivo [L_eff]			+10% -10%
✖Área Efetiva uma medida da área da seção transversal através da qual a energia óptica é efetivamente confinada e guiada ao longo da fibra.ⓘ Área Efetiva [A_eff]			+10% -10%

✖O esgotamento total para um sistema WDM refere-se ao esgotamento completo ou quase completo dos portadores de carga em um dispositivo semicondutor usado no sistema.ⓘ Esgotamento total para sistema WDM [D_R]

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Fórmula

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Esgotamento total para sistema WDM

Fórmula

`"D"_{"R"} = sum(x,2,"N",("g"_{"R"}"[Ωm]")*"P"_{"ch"}*"L"_{"eff"}/"A"_{"eff"})`

Exemplo

`"3412.723"=sum(x,2,"8","8rad/m"*"5.7W"*"50.25m"/"4.7m²")`

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Esgotamento total para sistema WDM Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Esgotamento total para um sistema WDM = sum(x,2,Número de canais,Coeficiente de Ganho Raman*Potência do canal*Comprimento efetivo/Área Efetiva)
D_R = sum(x,2,N,g_R[Ωm]*P_ch*L_eff/A_eff)
Esta fórmula usa 1 Funções, 6 Variáveis

Funções usadas

sum - A notação de soma ou sigma (∑) é um método usado para escrever uma soma longa de forma concisa., sum(i, from, to, expr)

Variáveis Usadas

Esgotamento total para um sistema WDM - O esgotamento total para um sistema WDM refere-se ao esgotamento completo ou quase completo dos portadores de carga em um dispositivo semicondutor usado no sistema.
Número de canais - Número de canais refere-se ao filtro óptico sintonizável usado para selecionar um único canal entre os N canais incidentes nele.
Coeficiente de Ganho Raman - (Medido em radianos por metro) - Coeficiente de ganho Raman normalmente usado como uma medida da força do processo de espalhamento Raman dentro da fibra óptica.
Potência do canal - (Medido em Watt) - Potência do canal refere-se à quantidade de potência transportada por um canal individual dentro de um sinal multiplexado.
Comprimento efetivo - (Medido em Metro) - O Comprimento Efetivo é o comprimento que resiste à flambagem.
Área Efetiva - (Medido em Metro quadrado) - Área Efetiva uma medida da área da seção transversal através da qual a energia óptica é efetivamente confinada e guiada ao longo da fibra.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Número de canais: 8 --> Nenhuma conversão necessária
Coeficiente de Ganho Raman: 8 radianos por metro --> 8 radianos por metro Nenhuma conversão necessária
Potência do canal: 5.7 Watt --> 5.7 Watt Nenhuma conversão necessária
Comprimento efetivo: 50.25 Metro --> 50.25 Metro Nenhuma conversão necessária
Área Efetiva: 4.7 Metro quadrado --> 4.7 Metro quadrado Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

D_R = sum(x,2,N,g_R[Ωm]*P_ch*L_eff/A_eff) --> sum(x,2,8,8*5.7*50.25/4.7)

Avaliando ... ...

D_R = 3412.72340425532

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

3412.72340425532 --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

3412.72340425532 ≈ 3412.723 <-- Esgotamento total para um sistema WDM

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Zaheer Sheik

Faculdade de Engenharia Seshadri Rao Gudlavalleru (SRGEC), Gudlavalleru

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Verificado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Tensão de microondas em Buncher Gap

Vai Tensão de microondas no Buncher Gap = (Amplitude do sinal/(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Tempo médio de trânsito))*(cos(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Inserindo hora)-cos(Frequência Angular Ressonante+(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Distância da lacuna de Buncher)/Velocidade do elétron))

Potência de saída de RF

Vai Potência de saída de RF = Potência de entrada RF*exp(-2*Constante de atenuação de RF*Comprimento do circuito RF)+int((Energia RF gerada/Comprimento do circuito RF)*exp(-2*Constante de atenuação de RF*(Comprimento do circuito RF-x)),x,0,Comprimento do circuito RF)

Tensão do repelente

Vai Tensão do repelente = sqrt((8*Frequência angular^2*Comprimento do espaço de deriva^2*Tensão de feixe pequeno)/((2*pi*Número de oscilação)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Tensão de feixe pequeno

Esgotamento total para sistema WDM

Vai Esgotamento total para um sistema WDM = sum(x,2,Número de canais,Coeficiente de Ganho Raman*Potência do canal*Comprimento efetivo/Área Efetiva)

Perda média de potência no ressonador

Vai Perda média de potência no ressonador = (Resistência superficial do ressonador/2)*(int(((Valor de pico de intensidade magnética tangencial)^2)*x,x,0,Raio do ressonador))

Frequência de Plasma

Vai Frequência Plasmática = sqrt(([Charge-e]*Densidade de carga eletrônica DC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))

Energia total armazenada no ressonador

Vai Energia total armazenada no ressonador = int((Permissividade do Meio/2*Intensidade do Campo Elétrico^2)*x,x,0,Volume do ressonador)

Profundidade da Pele

Vai Profundidade da pele = sqrt(Resistividade/(pi*Permeabilidade relativa*Frequência))

Densidade total da corrente do feixe de elétrons

Vai Densidade total da corrente do feixe de elétrons = -Densidade de corrente do feixe CC+Perturbação instantânea da corrente do feixe de RF

Frequência portadora na linha espectral

Vai Frequência da portadora = Frequência da Linha Espectral-Número de amostras*Frequência de repetição

Velocidade total do elétron

Vai Velocidade total do elétron = Velocidade do elétron DC+Perturbação instantânea da velocidade do elétron

Densidade total de carga

Vai Densidade total de carga = -Densidade de carga eletrônica DC+Densidade de carga RF instantânea

Frequência Plasmática Reduzida

Vai Frequência Plasmática Reduzida = Frequência Plasmática*Fator de redução de carga espacial

Energia obtida da fonte de alimentação CC

Vai Fonte de alimentação CC = Energia gerada no circuito anódico/Eficiência Eletrônica

Potência Gerada no Circuito Ânodo

Vai Energia gerada no circuito anódico = Fonte de alimentação CC*Eficiência Eletrônica

Ganho máximo de tensão na ressonância

Vai Ganho máximo de tensão na ressonância = Transcondutância/Condutância

Potência de pico de pulso de microondas retangular

Vai Potência de pico de pulso = Potencia média/Ciclo de trabalho

Perda de retorno

Vai Perda de retorno = -20*log10(Coeficiente de reflexão)

Alimentação CA fornecida pela tensão do feixe

Vai Fonte de alimentação CA = (Tensão*Atual)/2

Energia DC fornecida pela tensão do feixe

Vai Fonte de alimentação CC = Tensão*Atual

Esgotamento total para sistema WDM Fórmula

Esgotamento total para um sistema WDM = sum(x,2,Número de canais,Coeficiente de Ganho Raman*Potência do canal*Comprimento efetivo/Área Efetiva)
D_R = sum(x,2,N,g_R[Ωm]*P_ch*L_eff/A_eff)

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