Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada Calculadora

✖A corrente de entrada pode se referir à corrente elétrica que flui para um dispositivo ou circuito elétrico. Esta corrente pode ser AC ou DC dependendo do dispositivo e da fonte de alimentação.ⓘ Corrente de entrada [I_in]			+10% -10%
✖A frequência angular da onda refere-se ao deslocamento angular por unidade de tempo. É uma medida escalar da taxa de rotação.ⓘ Frequência angular [ω]			+10% -10%
✖A capacitância da porta da fonte é uma medida da capacitância entre os eletrodos da fonte e da porta em um transistor de efeito de campo (FET).ⓘ Capacitância da porta de origem [C_sg]			+10% -10%
✖A capacitância gate-drain é uma capacitância parasita que existe entre os eletrodos gate e dreno de um transistor de efeito de campo (FET).ⓘ Capacitância Gate-Dreno [C_gd]			+10% -10%

✖A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.ⓘ Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada [V_gs]

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Fórmula

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Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada

Fórmula

`"V"_{"gs"} = "I"_{"in"}/("ω"*("C"_{"sg"}+"C"_{"gd"}))`

Exemplo

`"3.997761V"="2mA"/("33rad/s"*("8.16μF"+"7μF"))`

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Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão Gate-Fonte = Corrente de entrada/(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
V_gs = I_in/(ω*(C_sg+C_gd))
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Tensão Gate-Fonte - (Medido em Volt) - A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.
Corrente de entrada - (Medido em Ampere) - A corrente de entrada pode se referir à corrente elétrica que flui para um dispositivo ou circuito elétrico. Esta corrente pode ser AC ou DC dependendo do dispositivo e da fonte de alimentação.
Frequência angular - (Medido em Radiano por Segundo) - A frequência angular da onda refere-se ao deslocamento angular por unidade de tempo. É uma medida escalar da taxa de rotação.
Capacitância da porta de origem - (Medido em Farad) - A capacitância da porta da fonte é uma medida da capacitância entre os eletrodos da fonte e da porta em um transistor de efeito de campo (FET).
Capacitância Gate-Dreno - (Medido em Farad) - A capacitância gate-drain é uma capacitância parasita que existe entre os eletrodos gate e dreno de um transistor de efeito de campo (FET).

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Corrente de entrada: 2 Miliamperes --> 0.002 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Frequência angular: 33 Radiano por Segundo --> 33 Radiano por Segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância da porta de origem: 8.16 Microfarad --> 8.16E-06 Farad (Verifique a conversão aqui)
Capacitância Gate-Dreno: 7 Microfarad --> 7E-06 Farad (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_gs = I_in/(ω*(C_sg+C_gd)) --> 0.002/(33*(8.16E-06+7E-06))

Avaliando ... ...

V_gs = 3.99776125369793

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

3.99776125369793 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

3.99776125369793 ≈ 3.997761 Volt <-- Tensão Gate-Fonte

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

< 20 Tensão Calculadoras

Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source

Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Tensão de saída da porta comum

Vai Voltagem de saída = -(Transcondutância*Tensão Crítica)*((Resistência de carga*Resistência do portão)/(Resistência do portão+Resistência de carga))

Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET dado sinal de modo comum

Vai Tensão de dreno Q1 = -Resistência de saída*(Transcondutância*Sinal de entrada de modo comum)/(1+(2*Transcondutância*Resistência de saída))

Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial

Vai Tensão Gate-Fonte = Tensão de limiar+sqrt((2*Corrente de polarização DC)/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela))

Tensão de entrada da fonte

Vai Tensão de entrada da fonte = Tensão de entrada*(Resistência do amplificador de entrada/(Resistência do amplificador de entrada+Resistência de Fonte Equivalente))

Tensão de entrada porta-fonte

Vai Tensão Crítica = (Resistência do amplificador de entrada/(Resistência do amplificador de entrada+Resistência de Fonte Equivalente))*Tensão de entrada

Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET dado sinal de modo comum

Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída/((1/Transcondutância)+2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum

Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada

Vai Tensão Gate-Fonte = Corrente de entrada/(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET

Vai Corrente de entrada = Tensão Gate-Fonte*(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Tensão de overdrive quando o MOSFET atua como amplificador com resistência de carga

Vai Transcondutância = Corrente Total/(Sinal de entrada de modo comum-(2*Corrente Total*Resistência de saída))

Sinal de Tensão Incremental do Amplificador Diferencial

Vai Sinal de entrada de modo comum = (Corrente Total/Transcondutância)+(2*Corrente Total*Resistência de saída)

Tensão no dreno Q1 do MOSFET

Vai Voltagem de saída = -(Resistência de Carga Total do MOSFET/(2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum

Tensão no Dreno Q2 no MOSFET

Vai Voltagem de saída = -(Resistência de Carga Total do MOSFET/(2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum

Tensão de saturação do MOSFET

Vai Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar

Tensão Overdrive

Vai Tensão de ultrapassagem = (2*Corrente de drenagem)/Transcondutância

Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET

Vai Tensão de dreno Q1 = -(Resistência de saída*Corrente Total)

Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET

Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída*Corrente Total)

Tensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive

Vai Tensão Gate-Fonte = Tensão de limiar+1.4*Tensão Efetiva

Tensão limite quando o MOSFET atua como amplificador

Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva

Tensão limite do MOSFET

Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva

Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada Fórmula

Tensão Gate-Fonte = Corrente de entrada/(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
V_gs = I_in/(ω*(C_sg+C_gd))

O que é MOSFET e como funciona?

Em geral, o MOSFET funciona como uma chave, o MOSFET controla a tensão e o fluxo de corrente entre a fonte e o dreno. O funcionamento do MOSFET depende do capacitor MOS, que é a superfície do semicondutor abaixo das camadas de óxido entre a fonte e o terminal de drenagem.

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