Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom Taschenrechner

✖Eingangsstrom kann sich auf den elektrischen Strom beziehen, der in ein elektrisches Gerät oder einen Stromkreis fließt. Dieser Strom kann je nach Gerät und Stromquelle Wechsel- oder Gleichstrom sein.ⓘ Eingangsstrom [I_in]			+10% -10%
✖Die Winkelfrequenz einer Welle bezieht sich auf die Winkelverschiebung pro Zeiteinheit. Es ist ein skalares Maß für die Rotationsgeschwindigkeit.ⓘ Winkelfrequenz [ω]			+10% -10%
✖Die Source-Gate-Kapazität ist ein Maß für die Kapazität zwischen den Source- und Gate-Elektroden in einem Feldeffekttransistor (FET).ⓘ Source-Gate-Kapazität [C_sg]			+10% -10%
✖Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht.ⓘ Gate-Drain-Kapazität [C_gd]			+10% -10%

✖Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.ⓘ Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom [V_gs]

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Formel

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Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom

Formel

`"V"_{"gs"} = "I"_{"in"}/("ω"*("C"_{"sg"}+"C"_{"gd"}))`

Beispiel

`"3.997761V"="2mA"/("33rad/s"*("8.16μF"+"7μF"))`

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Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gate-Source-Spannung = Eingangsstrom/(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
V_gs = I_in/(ω*(C_sg+C_gd))
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.
Eingangsstrom - (Gemessen in Ampere) - Eingangsstrom kann sich auf den elektrischen Strom beziehen, der in ein elektrisches Gerät oder einen Stromkreis fließt. Dieser Strom kann je nach Gerät und Stromquelle Wechsel- oder Gleichstrom sein.
Winkelfrequenz - (Gemessen in Radiant pro Sekunde) - Die Winkelfrequenz einer Welle bezieht sich auf die Winkelverschiebung pro Zeiteinheit. Es ist ein skalares Maß für die Rotationsgeschwindigkeit.
Source-Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Source-Gate-Kapazität ist ein Maß für die Kapazität zwischen den Source- und Gate-Elektroden in einem Feldeffekttransistor (FET).
Gate-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Eingangsstrom: 2 Milliampere --> 0.002 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Winkelfrequenz: 33 Radiant pro Sekunde --> 33 Radiant pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Source-Gate-Kapazität: 8.16 Mikrofarad --> 8.16E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-Drain-Kapazität: 7 Mikrofarad --> 7E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_gs = I_in/(ω*(C_sg+C_gd)) --> 0.002/(33*(8.16E-06+7E-06))

Auswerten ... ...

V_gs = 3.99776125369793

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

3.99776125369793 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

3.99776125369793 ≈ 3.997761 Volt <-- Gate-Source-Spannung

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

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Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite/Kanallänge*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

Gemeinsame Gate-Ausgangsspannung

Gehen Ausgangsspannung = -(Steilheit*Kritische Spannung)*((Lastwiderstand*Torwiderstand)/(Torwiderstand+Lastwiderstand))

Eingangsspannung der Quelle

Gehen Eingangsspannung der Quelle = Eingangsspannung*(Widerstand des Eingangsverstärkers/(Widerstand des Eingangsverstärkers+Äquivalenter Quellenwiderstand))

Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung

Gehen Gate-Source-Spannung = Grenzspannung+sqrt((2*DC-Vorstrom)/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis))

Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

Gehen Drain-Spannung Q1 = -Ausgangswiderstand*(Steilheit*Gleichtakt-Eingangssignal)/(1+(2*Steilheit*Ausgangswiderstand))

Eingangs-Gate-Source-Spannung

Gehen Kritische Spannung = (Widerstand des Eingangsverstärkers/(Widerstand des Eingangsverstärkers+Äquivalenter Quellenwiderstand))*Eingangsspannung

Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand/((1/Steilheit)+2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal

Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom

Gehen Gate-Source-Spannung = Eingangsstrom/(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Positive Spannung bei gegebenem Geräteparameter im MOSFET

Gehen Eingangsstrom = Gate-Source-Spannung*(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert

Gehen Steilheit = Gesamtstrom/(Gleichtakt-Eingangssignal-(2*Gesamtstrom*Ausgangswiderstand))

Inkrementelles Spannungssignal des Differenzverstärkers

Gehen Gleichtakt-Eingangssignal = (Gesamtstrom/Steilheit)+(2*Gesamtstrom*Ausgangswiderstand)

Spannung am Drain Q1 des MOSFET

Gehen Ausgangsspannung = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal

Spannung am Drain Q2 im MOSFET

Gehen Ausgangsspannung = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal

Sättigungsspannung des MOSFET

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Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei differentieller Eingangsspannung bei gegebener Overdrive-Spannung

Gehen Gate-Source-Spannung = Grenzspannung+1.4*Effektive Spannung

Schwellenspannung, wenn MOSFET als Verstärker fungiert

Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung

Schwellenspannung des MOSFET

Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung

Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET

Gehen Drain-Spannung Q1 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET

Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

Overdrive-Spannung

Gehen Overdrive-Spannung = (2*Stromverbrauch)/Steilheit

Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom Formel

Gate-Source-Spannung = Eingangsstrom/(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
V_gs = I_in/(ω*(C_sg+C_gd))

Was ist MOSFET und wie funktioniert es?

Im Allgemeinen arbeitet der MOSFET als Schalter, der MOSFET steuert den Spannungs- und Stromfluss zwischen Source und Drain. Die Arbeitsweise des MOSFET hängt vom MOS-Kondensator ab, der die Halbleiteroberfläche unterhalb der Oxidschichten zwischen Source- und Drain-Anschluss ist.

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