Оксидная емкость затвора Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Емкость оксидного слоя затвора = Емкость затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)
Cox = Cg/(Wg*Lg)
В этой формуле используются 4 Переменные
Используемые переменные
Емкость оксидного слоя затвора - (Измеряется в Фарада на квадратный метр) - Емкость оксидного слоя затвора определяется как емкость вывода затвора полевого транзистора.
Емкость затвора - (Измеряется в фарада) - Емкость затвора — это емкость вывода затвора полевого транзистора.
Ширина ворот - (Измеряется в метр) - Ширина затвора относится к расстоянию между краем металлического электрода затвора и прилегающим полупроводниковым материалом в КМОП.
Длина ворот - (Измеряется в метр) - Длина ворот — это измерение или протяженность чего-либо от начала до конца.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Емкость затвора: 59.61 Микрофарад --> 5.961E-05 фарада (Проверьте преобразование здесь)
Ширина ворот: 0.285 Миллиметр --> 0.000285 метр (Проверьте преобразование здесь)
Длина ворот: 7.01 Миллиметр --> 0.00701 метр (Проверьте преобразование здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Cox = Cg/(Wg*Lg) --> 5.961E-05/(0.000285*0.00701)
Оценка ... ...
Cox = 29.8370748554696
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
29.8370748554696 Фарада на квадратный метр -->29.8370748554696 Микрофарад на квадратный миллиметр (Проверьте преобразование здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
29.8370748554696 29.83707 Микрофарад на квадратный миллиметр <-- Емкость оксидного слоя затвора
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

25 Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы

Плотность заряда области массового истощения СБИС
Идти Плотность заряда области массового истощения = -(1-((Боковая протяженность области истощения с источником+Боковая протяженность области истощения с дренажом)/(2*Длина канала)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Концентрация акцептора*abs(2*Поверхностный потенциал))
Коэффициент эффекта тела
Идти Коэффициент эффекта тела = modulus((Пороговое напряжение-Пороговое напряжение DIBL)/(sqrt(Поверхностный потенциал+(Разница в потенциале исходного тела))-sqrt(Поверхностный потенциал)))
Соединение Встроенное напряжение СБИС
Идти Встроенное напряжение соединения = ([BoltZ]*Температура/[Charge-e])*ln(Концентрация акцептора*Концентрация доноров/(Внутренняя концентрация)^2)
Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС
Идти Глубина истощения Pn-перехода с источником = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Встроенное напряжение соединения)/([Charge-e]*Концентрация акцептора))
Общая паразитная емкость источника
Идти Паразитная емкость источника = (Емкость между соединением тела и источника*Область диффузии источника)+(Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой*Периметр боковой стенки диффузии источника)
Ток насыщения короткого канала СБИС
Идти Ток насыщения короткого канала = ширина канала*Скорость дрейфа электронов насыщения*Оксидная емкость на единицу площади*Напряжение источника насыщения, стока
Переходный ток
Идти Ток перехода = (Статическая мощность/Базовое напряжение коллектора)-(Подпороговый ток+Текущий конфликт+Ток затвора)
Поверхностный потенциал
Идти Поверхностный потенциал = 2*Разница в потенциале исходного тела*ln(Концентрация акцептора/Внутренняя концентрация)
Пороговое напряжение, когда источник соответствует потенциалу тела
Идти Пороговое напряжение DIBL = Коэффициент DIBL*Сток в источник потенциала+Пороговое напряжение
DIBL Коэффициент
Идти Коэффициент DIBL = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Сток в источник потенциала
Пороговое напряжение
Идти Пороговое напряжение = Ворота к напряжению канала-(Плата за канал/Емкость затвора)
Емкость затвора
Идти Емкость затвора = Плата за канал/(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)
Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС
Идти Оксидная емкость после полного масштабирования = Оксидная емкость на единицу площади*Коэффициент масштабирования
Плата за канал
Идти Плата за канал = Емкость затвора*(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)
Подпороговый наклон
Идти Подпороговый наклон = Разница в потенциале исходного тела*Коэффициент DIBL*ln(10)
Длина затвора с использованием оксидной емкости затвора
Идти Длина ворот = Емкость затвора/(Емкость оксидного слоя затвора*Ширина ворот)
Оксидная емкость затвора
Идти Емкость оксидного слоя затвора = Емкость затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)
Толщина оксида затвора после полного масштабирования СБИС
Идти Толщина оксида затвора после полного масштабирования = Толщина оксида ворот/Коэффициент масштабирования
Глубина соединения после полного масштабирования СБИС
Идти Глубина соединения после полного масштабирования = Глубина соединения/Коэффициент масштабирования
Критическое напряжение
Идти Критическое напряжение = Критическое электрическое поле*Электрическое поле по длине канала
Ширина канала после полного масштабирования СБИС
Идти Ширина канала после полного масштабирования = ширина канала/Коэффициент масштабирования
Длина канала после полного масштабирования СБИС
Идти Длина канала после полного масштабирования = Длина канала/Коэффициент масштабирования
Внутренняя емкость затвора
Идти Емкость перекрытия МОП-затвора = Емкость МОП-ворота*Ширина перехода
Мобильность в Mosfet
Идти Мобильность в MOSFET = К Прайм/Емкость оксидного слоя затвора
K-Prime
Идти К Прайм = Мобильность в MOSFET*Емкость оксидного слоя затвора

Оксидная емкость затвора формула

Емкость оксидного слоя затвора = Емкость затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)
Cox = Cg/(Wg*Lg)

Каковы области работы МОП-транзисторов?

МОП-транзисторы имеют три области работы. Это отсечка или подпороговая область, линейная область и область насыщения.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!