Capacité d'oxyde de porte Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Capacité de la couche d'oxyde de grille = Capacité de porte/(Largeur du portail*Longueur de la porte)
Cox = Cg/(Wg*Lg)
Cette formule utilise 4 Variables
Variables utilisées
Capacité de la couche d'oxyde de grille - (Mesuré en Farad par mètre carré) - La capacité de la couche d'oxyde de grille est définie comme la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.
Capacité de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité de grille est la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.
Largeur du portail - (Mesuré en Mètre) - La largeur de grille fait référence à la distance entre le bord d'une électrode de grille métallique et le matériau semi-conducteur adjacent dans un CMOS.
Longueur de la porte - (Mesuré en Mètre) - La longueur de la porte est la mesure ou l'étendue de quelque chose d'un bout à l'autre.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Capacité de porte: 59.61 microfarades --> 5.961E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Largeur du portail: 0.285 Millimètre --> 0.000285 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Longueur de la porte: 7.01 Millimètre --> 0.00701 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Cox = Cg/(Wg*Lg) --> 5.961E-05/(0.000285*0.00701)
Évaluer ... ...
Cox = 29.8370748554696
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
29.8370748554696 Farad par mètre carré -->29.8370748554696 Microfarad par millimètre carré (Vérifiez la conversion ici)
RÉPONSE FINALE
29.8370748554696 29.83707 Microfarad par millimètre carré <-- Capacité de la couche d'oxyde de grille
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

25 Optimisation des matériaux VLSI Calculatrices

Densité de charge de la région d'épuisement en vrac VLSI
Aller Densité de charge de la région d'épuisement global = -(1-((Étendue latérale de la région d'épuisement avec source+Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain)/(2*Longueur du canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentration d'accepteur*abs(2*Potentiel des surfaces))
Coefficient d'effet corporel
Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))
Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI
Aller Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tension intégrée de jonction)/([Charge-e]*Concentration d'accepteur))
Jonction Tension intégrée VLSI
Aller Tension intégrée de jonction = ([BoltZ]*Température/[Charge-e])*ln(Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs/(Concentration intrinsèque)^2)
Capacité parasitaire totale de la source
Aller Capacité parasite de la source = (Capacité entre la jonction du corps et la source*Zone de diffusion de la source)+(Capacité entre la jonction du corps et la paroi latérale*Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source)
Courant de saturation des canaux courts VLSI
Aller Courant de saturation des canaux courts = Largeur de canal*Vitesse de dérive des électrons de saturation*Capacité d'oxyde par unité de surface*Tension de source de drain de saturation
Courant de jonction
Aller Courant de jonction = (Puissance statique/Tension du collecteur de base)-(Courant sous-seuil+Conflit actuel+Courant de porte)
Potentiel de surface
Aller Potentiel des surfaces = 2*Différence potentielle du corps source*ln(Concentration d'accepteur/Concentration intrinsèque)
Longueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte
Aller Longueur de la porte = Capacité de porte/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Largeur du portail)
Capacité d'oxyde de porte
Aller Capacité de la couche d'oxyde de grille = Capacité de porte/(Largeur du portail*Longueur de la porte)
Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps
Aller Tension de seuil DIBL = Coefficient DIBL*Potentiel de drainage vers la source+Tension de seuil
Coefficient DIBL
Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source
Pente sous-seuil
Aller Pente sous-seuil = Différence potentielle du corps source*Coefficient DIBL*ln(10)
Capacité de porte
Aller Capacité de porte = Frais de canal/(Tension porte à canal-Tension de seuil)
Tension de seuil
Aller Tension de seuil = Tension porte à canal-(Frais de canal/Capacité de porte)
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète = Capacité d'oxyde par unité de surface*Facteur d'échelle
Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller Épaisseur d'oxyde de porte après mise à l'échelle complète = Épaisseur d'oxyde de porte/Facteur d'échelle
Charge de canal
Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)
Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète = Profondeur de jonction/Facteur d'échelle
Tension critique
Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal
Longueur du canal après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller Longueur du canal après mise à l'échelle complète = Longueur du canal/Facteur d'échelle
Capacité de porte intrinsèque
Aller Capacité de chevauchement de porte MOS = Capacité de la porte MOS*Largeur de transition
Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller Largeur du canal après mise à l'échelle complète = Largeur de canal/Facteur d'échelle
Mobilité à Mosfet
Aller Mobilité dans MOSFET = K Premier/Capacité de la couche d'oxyde de grille
K-Prime
Aller K Premier = Mobilité dans MOSFET*Capacité de la couche d'oxyde de grille

Capacité d'oxyde de porte Formule

Capacité de la couche d'oxyde de grille = Capacité de porte/(Largeur du portail*Longueur de la porte)
Cox = Cg/(Wg*Lg)

Quelles sont les régions de fonctionnement des transistors MOS ?

Les transistors MOS ont trois régions de fonctionnement. Ce sont la région de coupure ou sous-seuil, la région linéaire et la région de saturation.

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